晶圆对准方法及设备技术

一种晶圆对准方法及设备，在一实施方式中，一种方法包含：放置晶圆于布植机台板上，晶圆包含对准标记；通过使用一或多个相机测量对准标记的位置来测量晶圆的位置；确定晶圆的位置与晶圆的参考位置之间的角位移；以及以角位移旋转布植机台板。移旋转布植机台板。移旋转布植机台板。

【技术实现步骤摘要】
晶圆对准方法及设备


[0001]本揭露是有关于一种晶圆对准方法及设备。

技术介绍

[0002]半导体元件用于各种电子应用，例如个人计算机、手机、数字相机和其他电子设备。半导体元件通常通过在半导体机板上方依序地沉积绝缘层或介电层、导电层和半导体材料层，并使用光刻对各种材料层进行图案化以在其上形成电路部件和元件来制造。
[0003]半导体工业通过不断缩小最小特征尺寸来继续提高各种电子元件(例如，晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度，这允许将更多元件整合到给定区域中。

技术实现思路

[0004]在本揭露的一或多个实施方式中，一种晶圆对准方法包含：放置晶圆于布植机台板上，晶圆包含数个对准标记；通过使用一或多个相机测量对准标记的位置来测量晶圆的位置；确定晶圆的位置与晶圆的参考位置之间的角位移；以及以角位移旋转布植机台板。
[0005]在本揭露的一或多个实施方式中，一种晶圆对准方法包含：放置晶圆于布植机台板上，晶圆包含第一对准标记以及第二对准标记；测量第一对准标记的第一位置与第二对准标记的第二位置；确定第一线与第二线之间的角度，第一线通过第一对准标记的第一位置以及第二对准标记的第二位置，第二线通过第一对准标记的第一参考位置以及第二对准标记的第二参考位置；以及以角度旋转布植机台板。
[0006]在本揭露的一或多个实施方式中，一种晶圆对准设备包含腔室、机台板、驱动机构、离子束产生器、相机以及控制器。机台板于腔室中，机台板可操作以支撑晶圆。驱动机构连接至机台板，驱动机构可操作以于腔室内移动机台板。离子束产生器可操作以将离子束导向机台板。相机可操作以测量晶圆上的数个对准标记的数个位置。控制器通讯耦合至相机、离子束产生器以及驱动机构，控制器配置以：自对准标记的位置确定晶圆的位置；确定晶圆的位置与离子束之间的位移；以及通过控制驱动机构于腔室内移动机台板以减少晶圆的位置与离子束之间的位移。
附图说明
[0007]当结合附图阅读时，得以自以下详细描述最佳地理解本揭露。需强调的是，根据本领域的标准实务，各种特征并未按比例绘制且仅用于说明目的。事实上，为了论述清楚起见，可任意地增大或减少各种特征的尺寸。
[0008]图1是根据一些实施方式的晶圆的俯视图；
[0009]图2是根据一些实施方式的对准标记的俯视图；
[0010]图3是根据一些实施方式的机台板上的晶圆的俯视图；
[0011]图4A和图4B是根据一些实施方式的离子暴露设备的示意图；
[0012]图5是根据一些实施方式的用于制造半导体元件的方法的流程图；
[0013]图6A和图6B是根据一些实施方式的在晶圆对准制程期间的机台板的俯视图；
[0014]图7是根据一些实施方式的机台板上的晶圆的俯视图；
[0015]图8A和图8B是根据一些实施方式的离子暴露设备的示意图。
[0016]【符号说明】
[0017]50:晶圆
[0018]52:对准标记
[0019]52A:第一对准标记
[0020]52B:第二对准标记
[0021]54:集成电路晶片
[0022]56:凹口
[0023]62:光栅
[0024]62A:第一子集
[0025]62B:第二子集
[0026]64:沟槽
[0027]70:离子暴露设备
[0028]72:腔室
[0029]74:机台板
[0030]74S:顶面
[0031]76:驱动机构
[0032]78:离子束产生器
[0033]80:相机
[0034]80A:第一相机
[0035]80B:第二相机
[0036]82:控制器
[0037]84:腔室壁
[0038]84A,84B,84C:孔
[0039]86:离子束
[0040]90:离子源
[0041]92:线性加速器
[0042]94:扫描单元
[0043]96:分离磁铁
[0044]102:光源
[0045]104:光
[0046]106:视野
[0047]106A:第一视野
[0048]106B:第二视野
[0049]108,116:参考位置
[0050]108A:第一参考位置
[0051]108B:第二参考位置
[0052]110:第一线
[0053]112:第二线
[0054]114:当前位置
[0055]502,504,506,508,510,512:步骤
[0056]D1:距离
[0057]D2:工作距离
[0058]L1:线性位移
[0059]P1:节距
[0060]W1:宽度
[0061]X,Y,Z:方向
[0062]X1,X2:轴
[0063]θ1:角位移
具体实施方式
[0064]以下揭露内容提供用于实施本揭露的不同特征的许多不同实施方式或实施例。以下描述部件及排列的特定实施方式以简化本揭露。当然，此些仅为实施方式，且并不意欲为限制。举例来说，在以下叙述中，形成第一特征在第二特征上方或之上可以包含第一和第二特征直接接触形成的实施方式，并且还可以包含在第一和第二特征之间形成附加特征的实施方式，使得第一和第二特征可以不直接接触。另外，本揭露可以在各个实施方式中重复参考数字和/或字母。该重复是出于简单和清楚的目的，并且其本身并不指示所讨论的各种实施方式和/或配置之间的关系。
[0065]另外，为了便于描述，可在本文中使用像是“在
……
下面”、“在
……
下方”、“下部”、“在
……
之上”、“上部”及其类似术语的空间相对术语，以描述如诸图中所绘示的一个元件或特征与另一(另一些)元件或特征的关系。除了诸图中所描绘的定向以外，此些空间相对术语意欲涵盖元件在使用中或操作中的不同定向。元件可以其他方向(旋转90度或以其他方向)，且可同样相应地解释本文中所使用的空间相对描述词。
[0066]根据各种实施方式，一种离子暴露设备包含机台板和用于侦测晶圆在机台板上的位置的一或多个对准感测器。晶圆的位置具有线性分量(例如，在X方向和Y方向上)和/或角度分量(例如，围绕Z方向上的旋转轴)。晶圆包含在晶圆中被图案化的对准标记。在一些实施方式中，对准感测器是撷取对准标记的影像的相机，并且通过使用机器视觉测量对准标记在撷取影像中的位置来确定晶圆的位置。因此可以确定和校正晶圆的测量位置与晶圆的参考位置之间的未对准。晶圆的参考位置是晶圆相对于在操作期间将由离子暴露设备产生的离子束对准(线性和/或角度)的位置。在一些实施方式中，离子暴露设备是布植机并且产生离子束以将所需元素植入晶圆中。机台板可操作以平移和/或旋转晶圆以校正晶圆相对于离子束的位置的未对准，使得在产生离子束的期间，晶圆的中心与本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶圆对准方法，其特征在于，包含：放置一晶圆于一布植机台板上，该晶圆包含多个对准标记；通过使用一或多个相机测量所述多个对准标记的多个位置来测量该晶圆的一位置；确定该晶圆的该位置与该晶圆的一参考位置之间的一角位移；以及以该角位移旋转该布植机台板。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，进一步包含在放置该晶圆于该布植机台板上之前：通过对准该晶圆中的一凹口的一第一图案化制程图案化该晶圆中的该对准标记；以及通过对准该对准标记的一第二图案化制程图案化该晶圆中的一半导体特征。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，进一步包含：确定该晶圆的该位置与该晶圆的该参考位置之间的一线性位移；以及以该线性位移平移该布植机台板。4.一种晶圆对准方法，其特征在于，包含：放置一晶圆于一布植机台板上，该晶圆包含一第一对准标记以及一第二对准标记；测量该第一对准标记的一第一位置与该第二对准标记的一第二位置；确定一第一线与一第二线之间的一角度，该第一线通过该第一对准标记的该第一位置以及该第二对准标记的该第二位置，该第二线通过该第一对准标记的一第一参考位置以及该第二对准标记的一第二参考位置；以及以该角度旋转该布植机台板。5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，该晶圆的一中心设置于该第一对准标记与该第二对准标记之间，该方法进一步包含：确定该晶圆的该中心的一第三位置与该晶圆的该中心的一第三参考位置之间的一向量，该第一线通过该晶圆的该中心的该第三位置，该第二线通过该晶圆的该中心的该第三参考位置；以及以该向量平移该布植机台板...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈佳政，杨智凯，陈亮吟，张惠政，杨育佳，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：