用于支持环境控制的方法、层状气流过滤器装置以及用于产生层状气流的装置制造方法及图纸

本申请的实施例，提供了一种用于支持在半导体晶圆处理空间中的环境控制的方法，该方法包括：在第一方向上流动压力下的第一气体穿过第一扩散器管，从而产生穿过第一扩散器管的侧壁的第一横向气流；在第二方向上流动压力下的第二气体穿过第二扩散器管，从而产生穿过第二扩散器管的侧壁的第二横向气流，第二方向与第一方向相反；在外壳内合并第一横向气流和第二横向气流；以及从外壳输出合并的横向气流以产生覆盖半导体晶圆处理空间的开口的层状气流。根据本申请的另一实施例，还提供了一种用于支持在半导体晶圆处理空间中的环境控制的层状气流过滤器装置。根据本申请的又一实施例，还提供了用于产生层状气流的装置。提供了用于产生层状气流的装置。提供了用于产生层状气流的装置。

【技术实现步骤摘要】
用于支持环境控制的方法、层状气流过滤器装置以及用于产生层状气流的装置


[0001]本申请的实施例涉及用于支持环境控制的方法以及层状气流过滤器装置，以及用于产生层状气流的装置。

技术介绍

[0002]以下涉及半导体制造技术，特别是涉及一种用于与半导体制造相关的环境控制空间的层状气流过滤器。

技术实现思路

[0003]根据本申请的一个实施例，提供了一种用于支持环境控制的方法，该方法用于支持在半导体晶圆处理空间中的环境控制，该方法包括：使压力下的第一气体在第一方向上流动穿过第一扩散器管，从而产生穿过第一扩散器管的侧壁的第一横向气流；使压力下的第二气体在第二方向上流动穿过第二扩散器管，从而产生穿过第二扩散器管的侧壁的第二横向气流，第二方向与第一方向相反；在外壳内合并第一横向气流和第二横向气流；以及从外壳输出合并的横向气流以产生覆盖通向半导体晶圆处理空间的开口的层状气流。
[0004]根据本申请的另一个实施例，提供了一种层状气流过滤器装置，层状气流过滤器装置用于支持在半导体晶圆处理空间中的环境控制，该装置包括：第一扩散器管，气体穿过第一扩散器管在第一方向上流动，从而产生从第一方向横向地穿过第一扩散器管的侧壁的第一气流；第二扩散器管，气体穿过第二扩散器管在第二方向上流动，从而产生从第二方向横向地穿过第二扩散器管的侧壁的第二气流，第二方向与第一方向相反；以及包含第一扩散器管和第二扩散器管的外壳，第一气流和第二气流在外壳内合并并且从外壳输出以产生覆盖通向半导体晶圆处理空间的开口的层状气流。
[0005]根据本申请的又一个实施例，提供了一种用于产生层状气流的装置，该装置包括：第一扩散器管，第一扩散器管具有透气侧壁；第一气体入口，第一气体入口供应压力下的气流到第一扩散器管的第一端部，以穿过第一扩散器管的侧壁输出第一横向气流；第一扩散器头，第一扩散器头覆盖第一扩散器管的第二端部，第一扩散器管的第二端部与第一扩散器管的第一端部相对；外壳，外壳包含第一扩散器管；以及过滤器，装置的输出气流穿过过滤器离开外壳，输出气流至少部分地由于第一横向气流而产生。
[0006]本申请的实施例还涉及一种层状气流过滤器。
附图说明
[0007]当结合附图进行阅读时，根据下面详细的描述可以最佳地理解本专利技术的各个方面。应该注意，根据工业中的标准实践，各种部件没有被按比例绘制。实际上，为了清楚的讨论，在附图中所示的各种部件的尺寸可以被任意增加或减少。
[0008]图1示意性地示出了根据本文公开的一些实施例的层状气流过滤器和/或装置的
应用。
[0009]图2A示意性地示出了根据本文公开的一些实施例的层状气流过滤器和/或装置的透视图。
[0010]图2B示意性地示出了根据本文公开的一些实施例的层状气流过滤器和/或装置的前视图。
[0011]图2C示意性地示出了根据本文公开的一些实施例的层状气流过滤器和/或装置的端部视图。
[0012]图3示意性地示出了根据本文公开的一些实施例的层状气流过滤器和/或装置的截面图。
[0013]图4示意性地示出了根据本文公开的一些实施例的在层状气流过滤器和/或装置中使用的空气过滤器。
[0014]图5示意性地示出了另一个透视图，该透视图显示了根据本文公开的一些实施例的层状气流过滤器和/或装置的内部元件。
[0015]图6示意性地示出了根据本文公开的一些实施例的在层状气流过滤器和/或装置中使用的扩散器管。
[0016]图7是流程图，显示了根据本文公开的一些实施例，在其长度上以基本均匀的速度产生清洁层状气流的方法。
具体实施方式
[0017]以下公开提供了许多用于实现所提供主题的不同特征的不同的实施例或实例。下面描述了组件和布置的具体实例以简化本公开。当然，这些仅是实例而不旨在限制。例如，在以下描述中，在第二部件上方或者上形成第一部件可以包括第一部件和第二部件直接接触形成的实施例，并且也可以包括在第一部件和第二部件之间可以形成附加部件，从而使得第一部件和第二部件可以不直接接触的实施例。此外，本公开可以在各个示例中重复参考数字和/或字母。该重复是为了简单和清楚的目的，并且其本身不指示讨论的个实施例和/或配置之间的关系。
[0018]此外，为了便于描述，本文中可以使用诸如“左”、“右”、“侧”、“后面”、“后”、“在
…
的后面”、“前面”、“在
…
下方”、“在
…
下面”、“下部”、“在
…
之上”、“上部”等的空间相对术语，以描述如图中所示的一个元件或部件与另一元件或部件的关系。除了图中所示的方位外，空间相对术语旨在包括器件在使用或操作工艺中的不同方位。装置可以以其它方式定位(旋转90度或在其它方位)，并且在本文中使用的空间相对描述符可以同样地作相应地解释。
[0019]通常，半导体器件，例如，诸如金属
‑
氧化物
‑
半导体场效应晶体管(MOS
‑
FET)器件、集成电路(IC)等，是在半导体制造厂(通常被称为FAB或代工厂)中从半导体晶圆制作和/或制造的。通常有许多应用于半导体晶圆的处理步骤，以在晶圆上产生所需的半导体器件和/或许多半导体器件。例如，半导体制造可以是光刻、机械和/或化学处理步骤(例如，诸如表面钝化、热氧化、平面扩散、结隔离等)的多步骤序列，在此期间电子电路和/或半导体器件逐渐在半导体晶圆上形成。因此，除了用于蚀刻、清洁、掺杂、测试、检查(等)半导体晶圆的工具和用于半导体晶圆的临时暂存和/或存储的负载埠或类似装置之外，FAB清洁房间或进
行制造的其他类似空间通常还包含许多用于半导体器件生产的单独的机械和/或工具，例如，但不限于，诸如用于光刻的步进器和/或扫描仪。在制造工艺中，半导体晶圆通常从一个工具运输到另一个工具和/或以其他方式转移到和/或从具有机械臂等的各种工具和/或设备(例如，设备前端模块(EFEM))的处理和/或保持腔室转移。
[0020]为了在半导体制造工艺中维持晶圆质量和防止缺陷，各种工具和/或设备的FAB空间和/或处理或保持腔室受到环境控制。也就是说，在保持和/或处理半导体晶圆的FAB空间和/或各种设备腔室中，努力实现对例如空气中的分子污染物(AMC)、水分、相对湿度(RH)、氧气(O2)等的环境控制，以实现改进的晶圆质量和/或改进的半导体制造工艺，例如，在限制缺陷、改进晶圆验收测试(WAT)、电路探针(CP)、晶圆的Q时间延长等方面。然而，提供了通往各种FAB空间和/或设备腔室的门或开口，例如，以允许半导体晶圆的进入和/或离开FAB空间和/或设备腔室。因此，根据本文公开的一些示例性实施例，层状气流过滤器和/或装置被布置成在半导体FAB空间和/或设备腔室的开口前面和/或覆盖通向半导体FAB空间和/或设备腔室的开口以提供层状气流，例如，所谓的空气帘，从而有助于维持半导体FAB空间和/或设备腔室内的环境控制。
[0021]现在参考图1，根据本文公开本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于支持环境控制的方法，所述方法用于支持在半导体晶圆处理空间中的环境控制，所述方法包括：使压力下的第一气体在第一方向上流动穿过第一扩散器管，从而产生穿过所述第一扩散器管的侧壁的第一横向气流；使压力下的第二气体在第二方向上流动穿过第二扩散器管，从而产生穿过所述第二扩散器管的侧壁的第二横向气流，所述第二方向与所述第一方向相反；在外壳内合并所述第一横向气流和所述第二横向气流；以及从所述外壳输出所述合并的横向气流以产生覆盖通向所述半导体晶圆处理空间的开口的层状气流。2.根据权利要求1所述的方法，还包括：在所述的从所述外壳输出之前过滤所述合并的横向气流。3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一横向气流具有沿着所述第一方向增加的第一气流速度，并且所述第二横向气流具有沿着所述第二方向增加的第二气流速度。4.根据权利要求1所述的方法，其中：所述第一横向气流基本上垂直于所述第一方向；以及所述第二横向气流基本上垂直于所述第二方向。5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述过滤包括：使所述合并的横向气流穿过空气过滤器，所述空气过滤器可选择性地从所述外壳移除。6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述空气过滤器是具有纤维材料的波纹层的超低颗粒空气过滤器。7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述外壳具有垂直地延伸的侧壁、水平地延伸的顶壁和在所述侧壁和所述顶壁之间延伸的倾斜壁，并且所述外壳的所述侧壁、所述倾斜壁和所述顶壁中的至少两个相邻的...

【专利技术属性】
技术研发人员：许志修，蔡文训，胡建群，郑光伟，黄宋儒，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：