集成扇出封装件及其形成方法技术

方法包括将第一管芯和第二管芯附接至载体；在第一管芯和第二管芯之间形成模塑料；以及在第一管芯、第二管芯和模塑料上方形成再分布结构，再分布结构包括第一再分布区域；第二再分布区域；以及位于第一再分布区域和第二再分布区域之间的切割区域。该方法还包括在切割区域中形成第一开口和第二开口，第一开口和第二开口延伸穿过再分布结构并且暴露模塑料；以及从模塑料的第二侧朝向模塑料的第一侧通过切割穿过模塑料的与切割区域对准的部分来分离第一管芯和第二管芯，第二侧与第一侧相对。本发明专利技术实施例涉及集成扇出封装件及其形成方法。法。法。

【技术实现步骤摘要】
集成扇出封装件及其形成方法
[0001]本申请是2018年07月02日提交的标题为“集成扇出封装件及其形成方法”、专利申请号为201810707996.8的分案申请。


[0002]本专利技术实施例涉及集成扇出封装件及其形成方法。

技术介绍

[0003]由于各个电组件(例如，晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度的持续改进，半导体工业已经经历了快速增长。对于大部分而言，这种集成密度的改进来自于最小部件尺寸的连续减小，这使得更多的组件集成到给定的区域。随着最近对更小的电子器件的需求的增长，对半导体管芯的更小且更具创造性的封装技术的需求已经出现。
[0004]这些封装技术的实例是叠层封装(POP)技术。在PoP封装件中，顶部半导体封装件堆叠在底部半导体封装件的顶部上以允许高集成度和组件密度。另一个实例是多芯片模块(MCM)技术，其中，将多个半导体管芯封装在一个半导体封装件中以提供具有集成功能的半导体器件。
[0005]先进的封装技术的高集成度使得能够产生具有增强的功能和较小的覆盖区的半导体器件，这对于诸如手机、平板电脑和数字音乐播放器的小型器件是有利的。另一个优势是连接半导体封装件内的互操作部分的导电路径的长度缩短。这提高了半导体器件的电性能，这是由于电路之间互连的更短的路径产生更快的信号传播并且减少了噪声和串扰。

技术实现思路

[0006]根据本专利技术的一些实施例，提供了一种形成半导体封装件的方法，包括：将第一管芯和第二管芯附接至载体；在所述第一管芯和所述第二管芯之间形成模塑料；在所述第一管芯、所述第二管芯和所述模塑料上方形成再分布结构，所述再分布结构包括：第一再分布区域，位于所述第一管芯上方；第二再分布区域，位于所述第二管芯上方；和切割区域，位于所述第一再分布区域和所述第二再分布区域之间；在所述切割区域中形成第一开口和第二开口，所述第一开口和所述第二开口延伸穿过所述再分布结构并且暴露所述模塑料的第一侧；以及通过切割穿过所述模塑料的与所述切割区域对准的部分来分离所述第一管芯和所述第二管芯，其中，从所述模塑料的第二侧朝向所述模塑料的第一侧实施所述切割，所述第二侧与所述第一侧相对。
[0007]根据本专利技术的另一些实施例，还提供了一种形成半导体封装件的方法，包括：在载体的第一侧上方形成第一导电柱和第二导电柱；将所述第一管芯和所述第二管芯附接至所述载体的第一侧，所述第一管芯和所述第二管芯分别邻近所述第一导电柱和所述第二导电柱；在所述载体的第一侧上方形成模塑料，所述模塑料沿着所述第一管芯的侧壁、所述第二管芯的侧壁、所述第一导电柱的侧壁和所述第二导电柱的侧壁延伸；在所述第一管芯、所述第二管芯和所述模塑料上方形成再分布结构，所述再分布结构包括位于所述第一管芯上方
的第一再分布区域、位于所述第二管芯上方的第二再分布区域以及位于所述第一再分布区域和所述第二再分布区域之间的切割区域；去除所述切割区域中的所述再分布结构的部分以形成靠近所述第一管芯的第一开口和靠近所述第二管芯的第二开口，所述第一开口通过所述切割区域中的所述再分布结构的剩余部分与所述第二开口分隔开；使所述载体脱粘；将所述第一半导体封装件电连接至所述第一导电柱；将所述第二半导体封装件电连接至所述第二导电柱；以及使用刀片从所述第一管芯的背侧切割穿过所述模塑料，所述切割将所述第一管芯与所述第二管芯分离。
[0008]根据本专利技术的又一些实施例，还提供了一种半导体封装件，包括：下封装件，包括：管芯和靠近所述管芯的导电柱，所述管芯和所述导电柱位于再分布结构上方；以及模塑料，位于所述再分布结构上方，所述模塑料插入在所述管芯和所述导电柱之间，所述模塑料延伸超出所述再分布结构的横向范围。
附图说明
[0009]当结合附图进行阅读时，从以下详细描述可最佳理解本专利技术的各个方面。应该指出，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制。实际上，为了清楚的讨论，各个部件的尺寸可以任意地增大或减小。
[0010]图1至图6、图7A、图7B和图8至图11示出了根据实施例的处于各个制造阶段的半导体封装件的各个视图。
[0011]图12示出了根据一些实施例的用于形成半导体封装件的方法的流程图。
具体实施方式
[0012]以下公开内容提供了许多用于实现本专利技术的不同特征的不同实施例或实例。下面描述了组件和布置的具体实例以简化本专利技术。当然，这些仅仅是实例，而不旨在限制本专利技术。例如，以下描述中，在第二部件上方或者上形成第一部件可以包括第一部件和第二部件直接接触形成的实施例，并且也可以包括在第一部件和第二部件之间可以形成额外的部件，从而使得第一部件和第二部件可以不直接接触的实施例。
[0013]而且，为便于描述，在此可以使用诸如“在
…
之下”、“在
…
下方”、“下部”、“在
…
之上”、“上部”等空间相对术语，以描述如图所示的一个元件或部件与另一个(或另一些)原件或部件的关系。除了图中所示的方位外，空间相对术语旨在包括器件在使用或操作中的不同方位。装置可以以其他方式定向(旋转90度或在其他方位上)，而本文使用的空间相对描述符可以同样地作出相应的解释。
[0014]本专利技术的实施例在半导体封装件和形成半导体封装件的方法的上下文中讨论，并且更具体地，在集成扇出(InFO)半导体封装件的上下文中讨论。在一些实施例中，在载体上方形成多个半导体管芯和导电柱，并且在载体上方和管芯周围以及导电柱周围形成模塑料。在模塑料、管芯和导电柱上方形成再分布结构以形成半导体结构，该半导体结构包括将在随后的工艺中切割的多个单独的半导体封装件。根据一些实施例，在管芯周围的再分布结构中不形成密封环，这节省了用于密封环的空间并且允许在载体上方形成更多单独的半导体封装件，从而提高了制造工艺的生产能力。在一些实施例中，为了分离单独的半导体封装件，实施预切割工艺以在半导体结构的第一侧(例如，在再分布结构的切割区域中)形成
开口，随后从半导体结构的与第一侧相对的第二侧开始切割工艺。由预切割工艺形成的开口可以防止或减少切割工艺期间再分布结构的分层。
[0015]图1至图6、图7A、图7B和图8至图11示出了根据实施例的处于各个制造阶段的叠层封装(PoP)半导体封装件500的各个视图(例如截面图、俯视图)。具体地，图1至图6、图7A、图7B和图8示出了PoP封装件的一个或多个底部封装件1100(例如，1100A、1100B)的各个视图，并且图9至图11示出了在顶部封装件160(例如，160A、160B)附接至底部封装件1100之后的PoP封装件的截面图。
[0016]参照图1，在载体101上方形成可以是缓冲层的介电层110。在介电层110上方形成导电柱119。
[0017]载体101可以由诸如硅、聚合物、聚合物复合材料、金属箔、陶瓷、玻璃、玻璃环氧树脂、氧化铍、带或用于结构支撑的其他合适材料的材料制成。在一些实施例中，介电层110由聚合物，诸如聚苯并恶唑(PBO)、聚酰亚胺、苯并环丁烯(BCB)等本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种形成半导体封装件的方法，包括：将第一管芯和第二管芯附接至载体；在所述载体上方并且邻近所述第一管芯形成第一导电柱；在所述第一管芯和所述第二管芯以及所述第一导电柱之间形成模塑料；在所述第一管芯、所述第二管芯、所述第一导电柱和所述模塑料上方形成再分布结构，所述再分布结构包括：第一再分布区域，位于所述第一管芯上方；第二再分布区域，位于所述第二管芯上方；和切割区域，位于所述第一再分布区域和所述第二再分布区域之间；在所述再分布结构上方形成并且电连接至所述再分布结构的凸块下金属(UBM)结构；在所述凸块下金属结构上方形成连接件和电子器件；在所述切割区域中形成第一开口和第二开口，所述第一开口和所述第二开口延伸穿过所述再分布结构并且暴露所述模塑料的第一侧；在形成所述第一开口和所述第二开口之后，将所述再分布结构附接至带；以及通过使用刀片切割穿过所述模塑料的与所述切割区域对准的部分来分离所述第一管芯和所述第二管芯，其中，从所述模塑料的第二侧朝向所述模塑料的第一侧实施所述切割，所述第二侧与所述第一侧相对，其中，在所述切割期间，所述刀片没有切入所述带，其中，在分离所述第一管芯和所述第二管芯后，所述第一导电柱为最远离所述第一管芯的导电柱，所述连接件中具有最靠近所述电子器件且与所述第一导电柱的位置相对应的第一连接件，并且在截面图中，所述第一导电柱与所述第一连接件之间没有通过所述再分布结构中的导线和金属通孔物理连接。2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述切割区域没有导电部件。3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一开口和所述第二开口彼此物理分隔开。4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一开口和所述第二开口延伸至所述模塑料内。5.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述第一开口和所述第二开口包括使用第一激光束和第二激光束去除所述切割区域中的所述再分布结构的部分以分别形成所述第一开口和所述第二开口。6.根据权利要求5所述的方法，其中，将所述第一激光束和所述第二激光束同时施加至所述切割区域。7.根据权利要求1所述的方法，其中，使用所述刀片实施切割。8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述第一开口横向位于所述第一管芯和所述第二开口之间，其中，所述刀片的第一宽度小于所述第一开口的最靠近第一管芯的第一侧壁和所述第二开口的最靠近第二管芯的第二侧壁之间的第二宽度。9.一种形成半导体封装件的方法，包括：在载体的第一侧上方形成...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄立贤，林岳霆，苏安治，叶名世，叶德强，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：