用于唤醒铁电存储器的方法技术

一种用于唤醒铁电存储器的方法被提供。一晶片是形成有多个第一信号线、多个第二信号线、多个第三信号线、及构成一铁电存储器阵列的多个铁电存储器单元。所述铁电存储器单元中的每一者是电连接至所述第一信号线中的一者、所述第二信号线中的一者及所述第三信号线中的一者。电压信号是同时施加至所述第一信号线、所述第二信号线及所述第三信号线以在所述铁电存储器单元中引发一唤醒效应发生。铁电存储器单元中引发一唤醒效应发生。铁电存储器单元中引发一唤醒效应发生。

【技术实现步骤摘要】
用于唤醒铁电存储器的方法


[0001]本专利技术实施例涉及一种用于唤醒铁电存储器的方法，特别是有关于用于有效率地唤醒铁电存储器的方法。

技术介绍

[0002]非易失性存储器是广泛地用于电子装置中以存储数据。具有相对简单结构并且与互补金属氧化物半导体(CMOS)逻辑制造制程兼容的铁电随机存取存储器(Ferroelectric random access memory,FeRAM)为下一代非易失性存储器的候选者。

技术实现思路

[0003]依据本专利技术的一实施例，是特地提出一种用于唤醒铁电存储器的方法，包括下列步骤。在一步骤中，构成一铁电存储器阵列的多个第一信号线、多个第二信号线、多个第三信号线及多个铁电存储器单元是形成于一晶片上。所述铁电存储器单元中的每一者是电连接至所述第一信号线中的一者、所述第二信号线中的一者及所述第三信号线中的一者。在一步骤中，电压信号是同时施加至所述第一信号线、所述第二信号线及所述第三信号线，以在所述铁电存储器单元中引发一唤醒效应发生。
[0004]依据本专利技术的另一实施例，是特地提出一种用于唤本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于唤醒铁电存储器的方法，其特征在于，所述方法包含下列步骤：在一晶片上形成多个第一信号线、多个第二信号线、多个第三信号线及构成一个铁电存储器阵列的多个铁电存储器单元，其中所述铁电存储器单元中的每一者是...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈姿妤，石昇弘，张富宸，涂国基，朱文定，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：