抛光方法技术

本公开描述一种抛光方法和一种抛光设备，可增强用于化学机械抛光制程的研磨浆氧化性。抛光方法可包括将一基板固定至一抛光系统的一承载件之上。所述抛光方法可更包括借由抛光系统的一供料器分配一第一研磨浆至抛光系统的一抛光垫。所述抛光方法可更包括借由增强第一研磨浆的氧化性形成一第二研磨浆，以及使用第二研磨浆在基板上执行一抛光制程。第二研磨浆在基板上执行一抛光制程。第二研磨浆在基板上执行一抛光制程。

【技术实现步骤摘要】
抛光方法


[0001]本专利技术实施例是有关于一种抛光方法。更具体地来说，本专利技术实施例有关于一种使用具有较高氧化性的研磨浆的抛光方法。

技术介绍

[0002]化学机械抛光或平坦化(Chemical mechanical polishing or planarization,CMP)是使用化学和机械力的组合使表面平滑和平面化的制程。化学机械平坦化使用有研磨作用的化学研磨浆与抛光垫和固定环结合。在半导体制造业中，化学机械平坦化是用来平坦化和抛光具有结晶、多晶、或非晶微结构的不同种类材料(例如介电质、金属、以及半导体)。

技术实现思路

[0003]在一些实施例中，一抛光方法可包括将一基板固定至一抛光系统的一承载件之上。所述抛光方法可更包括借由抛光系统的一供料器分配一第一研磨浆至抛光系统的一抛光垫。所述抛光方法可更包括借由增强第一研磨浆的氧化性形成一第二研磨浆，以及使用第二研磨浆在基板上执行一抛光制程。
[0004]在一些实施例中，一抛光方法可包括提供一基板至一抛光系统。所述抛光方法可更包括借由抛光系统的一供料器接收一第一研磨浆。所述抛光方法可更包括照射第一研磨浆以产生一第二研磨浆，第二研磨浆比起第一研磨浆具有较高的氧化性，以及使用第二研磨浆在基板上执行一抛光制程。
[0005]在一些实施例中，一抛光设备可包括一基板载体、一抛光垫、一供料器、以及一研磨浆增强模块。基板载体配置来支持一基板。抛光垫设置在基板载体之下且配置来抛光基板。供料器配置来接收一研磨浆以及将研磨浆分配至抛光垫。研磨浆增强模块设置在抛光垫之上且配置来增强研磨浆的氧化性。
附图说明
[0006]图1是表示根据一些实施例的抛光系统的方框图。
[0007]图2A是表示根据一些实施例的抛光设备的侧视图。
[0008]图2B和图2C是表示根据一些实施例的抛光设备的俯视图。
[0009]图3A是表示根据一些实施例的抛光设备的侧视图。
[0010]图3B是表示根据一些实施例的抛光设备的俯视图。
[0011]图4是表示根据一些实施例，操作抛光系统的方法。
[0012]图5是表示根据一些实施例，操作抛光系统的方法。
[0013]图6是表示根据一些实施例，用以实现本公开各种实施例的电脑系统。
[0014]其中，附图标记说明如下：
[0015]100：抛光系统
[0016]110：抛光设备
[0017]120：通讯线路
[0018]130：电脑系统
[0019]200：抛光设备/抛光机
[0020]202：抛光垫
[0021]204：平台
[0022]206：基板载体
[0023]208：垫片调节器/调节器
[0024]210：供料器
[0025]210A：入口
[0026]210B：出口
[0027]211：基板/半导体基板
[0028]214：研磨浆
[0029]216：研磨浆
[0030]218：混合槽
[0031]230：侦测模块
[0032]260：研磨浆增强模块
[0033]261：射线
[0034]262：照射源
[0035]263：邻近处
[0036]264：梁柱
[0037]265：邻近处
[0038]300：抛光机
[0039]360：研磨浆增强模块
[0040]362：照射源
[0041]364：流体导管
[0042]400：方法
[0043]410：操作
[0044]420：操作
[0045]430：操作
[0046]440：操作
[0047]500：方法
[0048]510：操作
[0049]520：操作
[0050]530：操作
[0051]600：电脑系统
[0052]602：显示界面/使用者输入输出接口
[0053]603：输入和输出设备/使用者输入输出装置
[0054]604：处理器
[0055]606：通讯基础建设
[0056]608：主要存储器
[0057]610：次要存储器
[0058]612：硬盘
[0059]614：可移除存储驱动器
[0060]618：可移除存储单元
[0061]620：接口
[0062]622：可移除存储单元
[0063]624：通讯接口
[0064]626：通讯路径
[0065]628：可连接至电脑系统的元件/远端装置、网络、实体物
[0066]D
202
：直径
[0067]S
262
：间隔
[0068]S
263
：间隔
[0069]S
265
：间隔
[0070]θ
261
：锐角/照射锐角/照射角度/角度
具体实施方式
[0071]需注意的是，说明书中的“一个实施例”、“一实施例”、“示例性的实施例”、“例如”等用语，其是指所述实施例可包含特定特征、结构、或特性，但各实施例不一定包含特定特征、结构、或特性。此外，这些句子指的不一定是相同实施例。再者，当特定特征、结构、或特性的说明连结至一实施例时，本
中具有通常知识者自可将这些特征、结构、或特性连结至其他实施例，即使未特别说明。
[0072]应理解的是，本文使用的用语或术语仅是用以说明而非局限本专利技术实施例，因此本
中具有通常知识者可根据本文的教示解读这些用语或术语。
[0073]为了便于描述图式中一元件或特征与另一(复数)元件或(复数)特征的关系，可使用空间相关用语，例如“下面”、“下方”、“之下”、“上方”、“之上”及类似的用语等。除了图式所绘示的方位之外，空间相关用语涵盖装置在使用或操作中的不同方位。所述装置也可被另外定位(旋转90度或在其他方位上)，且同样可对应地解读于此所使用的空间相关描述。
[0074]在一些实施例中，用语“约”和“大致”可指给定数量的数值在所述数值的5％之内变化(例如，所述数值的
±
1％、
±
2％、
±
3％、
±
4％、
±
5％)。这些数值仅为示例，并非局限于此。用语“大约”及“大致”可指根据本文所教示，由所属
中具有通常知识者解释该值的百分比。
[0075]化学机械平坦化(Chemical mechanical planarization,CMP)是一种平坦化技术，用来使晶圆的表面平坦化。化学机械平坦化制程在晶圆和抛光垫之间存在研磨浆的情况下，施加压力以及晶圆和抛光垫之间的相对运动。研磨浆可与晶圆表面产生化学反应，以在化学机械平坦化的制程期间从晶圆表面移除特定材料。举例而言，研磨浆可本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种抛光方法，包括：将一基板固定至一抛光系统的一承载件之上；借由该抛光系统的一供料器分配一第一研磨浆至该抛光系统...

【专利技术属性】
技术研发人员：廖峻宏，吴振豪，李安璿，赵皇麟，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：