半导体制造厂房中的外气处理装置及其净化空气的方法制造方法及图纸

本发明专利技术实施例涉及半导体制造厂房中的外气处理装置及使用所述装置净化空气的方法。本发明专利技术实施例提供一种半导体制造厂房。所述半导体制造厂房包含周围控制环境及经配置以将清洁空气供应到所述周围控制环境的外气处理装置。所述外气处理装置包含具有进气口及排气口的外壳。所述外气处理装置还包含经定位在所述外壳中的第一过滤模块。所述第一过滤模块包含经配置以引导空气从所述进气口流动到所述排气口的若干中空纤维。多孔层经形成在所述中空纤维中的每一者的内壁处以过滤具有选定大小的空浮分子污染AMC。的空浮分子污染AMC。的空浮分子污染AMC。

【技术实现步骤摘要】
半导体制造厂房中的外气处理装置及其净化空气的方法


[0001]本专利技术实施例涉及半导体制造厂房中的外气处理装置及使用所述装置净化空气的方法。

技术介绍

[0002]一般来说，用于在硅晶片衬底上制造集成电路的工艺通常涉及：使用氧化或各种化学气相沉积工艺中的任一者将薄电介质或导电膜沉积在晶片上；通过光刻使电路图案形成在一层光致抗蚀剂材料上；将对应于电路图案的光致抗蚀剂掩模层放置在晶片上；蚀刻晶片上导电层中的电路图案；及从晶片剥离光致抗蚀剂掩模层。这些步骤(包含光致抗蚀剂剥离步骤)中的每一者提供有机、金属及其它潜在电路污染颗粒累积在晶片表面上的大量机会。
[0003]在半导体制造业中，随着晶片上的集成电路器件的大小减小，最小化半导体晶片上的颗粒污染变得越来越重要。随着器件大小减小，污染物比过去含有较大器件的晶片占据晶片上电路元件的可用空间的相对更大百分比。此外，集成电路中存在颗粒损及成品电子产品中器件的功能完整性。
[0004]因此，期望提供一种用于控制半导体制造厂房中的周围环境的外气处理装置。

技术实现思路

[0005]本专利技术的实施例涉及一种半导体制造厂房(FAB)，其包括：周围控制环境；及外气处理装置，其经配置以将清洁空气从所述半导体制造厂房的外部供应到所述周围控制环境，其中所述外气处理装置包括：外壳，其具有进气口及排气口；及第一过滤模块，其定位在所述外壳中且包括经配置以引导空气从所述进气口流动到所述排气口的多个中空纤维，其中多孔层形成在所述中空纤维中的每一者的内壁处。
[0006]本专利技术的实施例涉及一种过滤模块，其包括：罩壳，其具有主轴且包括定位在所述主轴的两侧处的两个相对侧壁；及多个过滤板，其定位在所述罩壳中且每一者连接到所述两个相对侧壁之间，其中所述过滤板中的每一者包括：多个中空纤维，其布置成矩阵且每一者包括管状体及形成在所述管状体的内壁上的多孔层，其中所述多孔层经配置以移除具有小于5的碳原子数的物质；及接合材料，其连接在所述管状体之间用于接合所述中空纤维。
[0007]本专利技术的实施例涉及一种用于净化半导体制造厂房中的空气的方法，其包括：通过进气口将空气从所述半导体制造厂房的外部收集到外气处理装置的外壳；引导来自所述进气口的所述空气流动通过定位在所述外壳中的多个中空纤维以由形成在所述中空纤维中的每一者的内壁处的多孔层捕集物质；及在所述空气通过所述中空纤维之后，通过所述外壳的排气口将所述空气引导到所述半导体制造厂房的周围控制环境。
附图说明
[0008]从结合附图来解读的以下详细描述最佳理解本公开的实施例的方面。应注意，根
据行业标准做法，各种结构未按比例绘制。事实上，为使讨论清楚，可任意增大或减小各种结构的尺寸。
[0009]图1是根据本公开的一些实施例的半导体制造厂房中的无尘室外气处理装置的示意图。
[0010]图2是根据本公开的一些实施例的外气处理装置内部的过滤模块的示意图。
[0011]图3是沿图2中的线A
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A取得的过滤模块的部分元件的剖面图。
[0012]图4是沿图3中的线B
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B取得的过滤板的部分元件的剖面图。
[0013]图5是根据本公开的一些实施例的中空纤维的剖面图。
[0014]图6是根据本公开的一些实施例的气流通过中空纤维的多孔层时图5中的区域“C”的放大图。
[0015]图7是根据本公开的一些实施例的用于从半导体制造厂房的室外净化外气的方法的流程图。
[0016]图8是展示根据本公开的一些实施例的用于在气流通过过滤模块时净化半导体制造厂房中的空气的方法的阶段的剖面图。
[0017]图9是展示根据本公开的实施例的包含过滤模块的不同过滤材料的过滤效率的附图。
[0018]图10是根据本公开的一些实施例的过滤模块的部分元件的剖面图。
[0019]图11是根据本公开的一些实施例的具有布置在轴上的多个过滤板的过滤器组合件的剖面图。
[0020]图12是根据本公开的一些实施例的具有以V形方式布置的多个过滤板的过滤器组合件的剖面图。
[0021]图13是根据本公开的一些实施例的具有以U形方式布置的多个过滤板的过滤器组合件的剖面图。
[0022]图14是根据本公开的一些实施例的具有以弧形方式布置的多个过滤板的过滤器组合件的剖面图。
[0023]图15是根据本公开的一些实施例的具有多个过滤板及导流构件的过滤器组合件的剖面图。
具体实施方式
[0024]以下公开提供用于实施所提供的目标的不同特征的许多不同实施例或实例。下文将描述元件及布置的特定实例以简化本公开。当然，这些仅为实例且不旨在限制。例如，在以下描述中，“使第一构件形成在第二构件上方或第二构件上”可包含其中形成直接接触的所述第一构件及所述第二构件的实施例，且还可包含其中可形成介于所述第一构件与所述第二构件之间的额外构件使得所述第一构件及所述第二构件可不直接接触的实施例。另外，本公开可在各种实例中重复元件符号及/或字母。此重复是为了简化及清楚且其本身不指示所讨论的各种实施例及/或配置之间的关系。
[0025]此外，为便于描述，例如“下面”、“下方”、“下”、“上方(above)”、“上方(over)”、“上”、“在
…
上”及其类似者的空间相对术语可在本文中用于描述元件或构件与另一(些)元件或构件的关系，如图中所说明。空间相对术语除涵盖图中所描绘的定向之外，还希望涵盖
器件在使用或操作中的不同定向。设备可以其它方式定向(旋转90度或以其它定向)且还可因此解译本文所使用的空间相对描述词。
[0026]如本文所使用，例如“第一”、“第二”及“第三”的术语描述各种元件、组件、区域、层及/或区段，这些元件、组件、区域、层及/或区段不应受限于这些术语。这些术语可仅用于使元件、组件、区域、层或区段彼此区分。除非内文明确指示，否则本文所使用的例如“第一”、“第二”及“第三”的术语不隐含序列或顺序。
[0027]如本文所使用，术语“近似”、“大体上”、“大体”及“约”用于描述及解释小变动。当结合事件或情境使用时，术语可为指其中事件或情境精确发生的例子及其中事件或情境非常近似发生的例子。
[0028]根据本公开的一些实施例，提供外气处理装置来清洁外部空气用于半导体制造厂房(FAB)中的整个周围控制环境中的空气的后续分配。周围控制环境(也称为无尘室)为实施半导体制造的位置。通过使用室外外气处理装置，本公开的无尘室与外部环境隔离且经受对污染物(包含空浮颗粒、空浮分子污染(AMC，包含违禁有机化合物，例如异丙醇(IPA)/丙酮)、金属及静电放电(ESD))及对环境参数(例如温度、相对湿度、氧气及振动)的严格控制。外气处理装置利用包含具有多孔层的至少中空纤维的至少过滤模块来强力捕获预选大小的无用物质以防止半导体产品受到污染。
[0029]请参考图1，其展示根据本公开的一些实施例的外气处理装置1的示意图。根据一些本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体制造厂房，其包括：周围控制环境；及外气处理装置，其经配置以将清洁空气从所述半导体制造厂房的外部供应到所述周围控制环境，其中所述外气处理装置包括：外壳，其具有进气口及排气口；及第一过滤模块，其经定位在所述外壳中且包括经配置以引导空气从所述进气口流动到所述排气口的多个中空纤维，其中多孔层形成在所述中空纤维中的每一者的内壁处。2.根据权利要求1所述的半导体制造厂房，其中所述多孔层的孔径在从约5埃到约6埃的范围内。3.根据权利要求1所述的半导体制造厂房，其中所述中空纤维中的每一者包括一个单一气体通道，其中所述中空纤维中的每一者的所述内壁界定于所述气体通道中且经覆盖有所述多孔层。4.根据权利要求1所述的半导体制造厂房，其中所述中空纤维中的每一者包括多个所述气体通道，其中所述中空纤维中的每一者的所述内壁界定于所述气体通道中且经覆盖有所述多孔层。5.根据权利要求1所述的半导体制造厂房，其中所述外气处理装置进一步包括经定位在所述外壳中且位于所述第一过滤模块下游的第二过滤模块，其中所述第二过滤模块包括活性炭过滤器。6.一种过滤模块，其包括：罩壳，其具有主轴且包括经定位在所述主轴的两侧处的两个相对侧壁；及多个过滤板，其定位在所述罩...

【专利技术属性】
技术研发人员：曹志明，庄子寿，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：