用于EUV反射掩模的薄膜及其制造方法技术

用于EUV光掩模的薄膜包括第一层、第二层以及设置在第一层和第二层之间的主膜。主膜包括多个同轴纳米管，多个同轴纳米管的每个包括内管和围绕内管的一个或多个外管，并且内管和一个或多个外管中的两个由彼此不同的材料制成。本申请的实施例还涉及用于EUV反射掩模的薄膜及其制造方法。薄膜及其制造方法。薄膜及其制造方法。

【技术实现步骤摘要】
用于EUV反射掩模的薄膜及其制造方法


[0001]本申请的实施例涉及用于EUV反射掩模的薄膜及其制造方法。

技术介绍

[0002]薄膜是在框架上方拉伸的薄透明膜，该薄膜粘在光掩模的一侧上方，以保护光掩模免受损坏、灰尘和/或湿气。在EUV光刻中，通常需要在EUV波长区域具有高透明度、高机械强度和低热膨胀的薄膜。

技术实现思路

[0003]本申请的一些实施例提供了一种用于极紫外(EUV)反射掩模的薄膜，包括：第一层；第二层；以及主膜，设置在所述第一层和所述第二层之间，其中：所述主膜包括多个同轴纳米管，多个同轴纳米管的每个包括内管和围绕所述内管的一个或多个外管，以及所述内管和所述一个或多个外管中的两个由彼此不同的材料制成。
[0004]本申请的另一些实施例提供了一种用于极紫外(EUV)反射掩模的薄膜，包括：第一层；支撑框架，附接至所述第一层；以及主膜，设置在所述第一层上方，其中，所述主膜包括多个纳米管，多个纳米管的每个包括内纳米管和每个同轴围绕所述内纳米管的第一至第N外层，其中N是从1至10的自然数。/>[0005]本申本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于极紫外(EUV)反射掩模的薄膜，包括：第一层；第二层；以及主膜，设置在所述第一层和所述第二层之间，其中：所述主膜包括多个同轴纳米管，多个同轴纳米管的每个包括内管和围绕所述内管的一个或多个外管，以及所述内管和所述一个或多个外管中的两个由彼此不同的材料制成。2.根据权利要求1所述的薄膜，其中，所述内管和所述一个或多个外管的每个是选自由碳纳米管、氮化硼纳米管、过渡金属二硫属化物(TMD)纳米管组成的组中的一种，其中过渡金属二硫属化物由MX2表示，其中M是Mo、W、Pd、Pt或Hf中的一种或多种，并且X是S、Se或Te中的一种或多种。3.根据权利要求2所述的薄膜，其中，所述内管是碳纳米管。4.根据权利要求2所述的薄膜，其中，所述多个同轴纳米管的每个包括所述内管和由与所述内管不同的材料制成的一个外管。5.根据权利要求2所述的薄膜，其中，所述多个同轴纳米管的每个包括所述内管和两个外管，所有内管和外管由彼此不同的材料制成。6.根据权利要求2所述的薄膜，其中，所述多个同轴纳米管...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵子昂，郑兆钦，汪涵，李明洋，皮特纳，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：