半导体器件及其形成方法技术

本发明专利技术的实施例涉及半导体器件及其形成方法。半导体器件包括：衬底；以及单元区，具有相对于第一方向相对的第一侧和第二侧，单元区包括形成在衬底中在第一方向上延伸的有源区；相对于在垂直于第一方向的第二方向上的假想第一参考线，有源区的第一多数具有与第一参考线对齐的第一端部，第一侧平行于且靠近第一参考线；相对于在第二方向上的假想第二参考线，有源区的第二多数具有与第二参考线对齐的第二端部，第二侧平行于且靠近第二参考线；以及栅极结构，对应地位于有源区中的第一有源区和第二有源区上；以及其中，相对于第二方向，栅极结构中的所选择栅极结构的第一端部邻接位于第一有源区和第二有源区之间的中间区。第一有源区和第二有源区之间的中间区。第一有源区和第二有源区之间的中间区。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件及其形成方法


[0001]本专利技术的实施例涉及半导体器件及其形成方法。

技术介绍

[0002]半导体集成电路(IC)行业生产各种模拟和数字设备，以解决许多不同领域的问题。半导体工艺技术节点的发展已逐渐减小组件尺寸并收紧间距，从而导致晶体管密度逐渐增加。IC变得更小了。
[0003]在半导体器件制造的环境下，设计规则是强加给电路板、半导体器件和IC设计人员的几何约束，以确保他们的设计正常、可靠地运行并以可接受的良率生产。生产设计规则由工艺工程师根据相应的半导体工艺技术节点制定。电子设计自动化(EDA)用于确保设计人员不违反设计规则；称为设计规则检查(DRC)的过程。DRC是对设计进行物理验证签核期间的一个步骤，其中还涉及LVS(布局与原理图)检查、XOR(逻辑)检查、电气规则检查(ERC)、天线检查(从电磁场收集电荷)等。

技术实现思路

[0004]根据本专利技术实施例的一个方面，提供了一种半导体器件，包括：衬底；以及单元区，具有相对于第一方向相对的第一侧和第二侧，单元区包括形成在衬底中在第一方向上延伸的有源区；相对于在垂直于第一方向的第二方向上的假想第一参考线，有源区的第一多数具有与第一参考线对齐的第一端部，第一侧平行于且靠近第一参考线；相对于在第二方向上的假想第二参考线，有源区的第二多数具有与第二参考线对齐的第二端部，第二侧平行于且靠近第二参考线；以及栅极结构，对应地位于有源区中的第一有源区和第二有源区上；并且其中，相对于第二方向，栅极结构中的所选择栅极结构的第一端部邻接位于第一有源区和第二有源区之间的中间区。
[0005]根据本专利技术实施例的另一个方面，提供了一种半导体器件，包括：单元区，包括在第一方向上延伸的有源区；相对于在垂直于第一方向的第二方向上延伸的假想中心参考线，单元区被布置为使得中心参考线相对于第一方向位于单元区内的中央；相对于在第二方向上延伸的假想第一参考线，两个或更多个有源区的第一端部部分在第一方向上从中心参考线到第一参考线延伸最大距离，单元区的第一边缘平行于且靠近第一参考线；相对于在第二方向上延伸的假想第二参考线，两个或更多个有源区的第二端部部分从中心参考线到第二参考线延伸最大距离，单元区的第二边缘平行于且靠近第二参考线，第二边缘相对于第一边缘位于单元区的相对侧上；和有源区中的第一有源区和第二有源区具有在第一方向上的对应长轴，长轴与第一方向共线，第一有源区和第二有源区由第一中间区分离。
[0006]根据本专利技术实施例的一个方面，提供了一种形成半导体器件的方法，方法包括：在衬底中形成有源区，有源区在第一方向上对应地延伸，形成有源区包括：相对于在垂直于第一方向的第二方向上的假想第一参考线，形成具有与第一参考线对齐的第一端部的有源区的第一多数，单元区的第一侧平行于且靠近第一参考线参考线，单元区包括有源区；相对于
在第二方向上的假想第二参考线，形成具有与第二参考线对齐的第二端部的有源区的第二多数，单元区的第二侧平行于且靠近第二参考线；形成对应地位于有源区中的第一有源区和第二有源区上的栅极结构；以及将栅极结构中的所选择栅极结构转换为对应的隔离伪栅极结构，使得没有一个栅极结构占据第一有源区和第二有源区之间的中间区。
附图说明
[0007]一个或多个实施例在附图的图中以示例而非限制的方式示出，其中具有相同附图标记的元件自始至终表示相同的元件。除非另有说明，否则附图不是按比例绘制的。
[0008]图1A
‑
图1B是根据一些实施例的集成电路(IC)的对应框图。
[0009]图2A是根据一些实施例的半导体器件的布局图。
[0010]图2B是根据一些实施例的半导体器件的平面图。
[0011]图3A是根据一些实施例的半导体器件的布局图。
[0012]图3B是根据一些实施例的半导体器件的平面图。
[0013]图3C
‑
图3D是根据一些实施例的图3B的半导体器件的对应截面图。
[0014]图4A、图4B、图4C、图4D和图4E是根据一些实施例的半导体器件的平面图。
[0015]图5A、图5B、图5C、图5D和图5E是根据一些实施例的半导体器件的平面图。
[0016]图6A、图6B和图6C是根据一些实施例的半导体器件的平面图。
[0017]图7A和图7B是根据一些实施例的半导体器件的平面图。
[0018]图8A和图8B是根据一些实施例的半导体器件的平面图。
[0019]图9A和图9B是根据一些实施例的半导体器件的平面图。
[0020]图10A和图10B是根据一些实施例的半导体器件的平面图。
[0021]图11A和图11B是根据一些实施例的半导体器件的平面图。
[0022]图12A和图12B是根据一些实施例的半导体器件的平面图。
[0023]图13是根据一些实施例的半导体器件的平面图。
[0024]图14是根据一些实施例的半导体器件的平面图。
[0025]图15A、图15B和图15C是根据一些实施例的半导体器件的平面图。
[0026]图16A是根据一些实施例的生成布局图的方法的流程图。
[0027]图16B是根据一些实施例的制造半导体器件的方法的流程图。
[0028]图17A和图17B是根据一些实施例的制造半导体器件的方法的流程图。
[0029]图18是根据一些实施例的电子设计自动化(EDA)系统的框图。
[0030]图19是根据一些实施例的集成电路(IC)制造系统以及与其相关联的IC制造流程的框图。
具体实施方式
[0031]以下公开内容提供了许多用于实现本专利技术的不同特征不同的实施例或实例。下面描述了组件、材料、值、步骤、操作、布置等的具体实施例或实例以简化本专利技术。当然，这些仅是实例而不旨在限制。可以考虑其他组件、材料、值、步骤、操作、布置等。例如在以下描述中，在第二部件上方或者上形成第一部件可以包括第一部件和第二部件直接接触形成的实施例，并且也可以包括在第一部件和第二部件之间可以形成额外的部件，从而使得第一部
件和第二部件可以不直接接触的实施例。此外，本专利技术可以在各个示例中重复参考数字和/或字母。该重复是为了简单和清楚的目的，并且其本身不指示讨论的各个实施例和/或配置之间的关系。
[0032]此外，为了便于描述，本文中可以使用诸如“在
…
下方”、“在
…
下面”、“下部”、“在
…
上面”、“上部”等的间隔关系术语，以描述如图中所示的一个元件或部件与另一元件或部件的关系。除了图中所示的方位外，间隔关系术语旨在包括器件在使用或操作工艺中的不同方位。装置可以以其它方式定位(旋转90度或在其它方位)，并且在本文中使用的间隔关系描述符可以同样地作相应地解释。在一些实施例中，术语“标准单元结构”是指包括在各种标准单元结构的库中的标准化构建块。在一些实施例中，各种标准单元结构从标准单元结构的库中选择并用作表本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，包括：衬底；以及单元区，具有相对于第一方向相对的第一侧和第二侧，所述单元区包括形成在所述衬底中在所述第一方向上延伸的有源区；相对于在垂直于所述第一方向的第二方向上的假想第一参考线，所述有源区的第一多数具有与所述第一参考线对齐的第一端部，所述第一侧平行于且靠近所述第一参考线；相对于在所述第二方向上的假想第二参考线，所述有源区的第二多数具有与所述第二参考线对齐的第二端部，所述第二侧平行于且靠近所述第二参考线；以及栅极结构，对应地位于所述有源区中的第一有源区和第二有源区上；并且其中，相对于所述第二方向，所述栅极结构中的所选择栅极结构的第一端部邻接位于所述第一有源区和所述第二有源区之间的中间区。2.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：第一隔离伪栅极，形成在所述中间区中。3.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：所述半导体器件的低泄漏部分，其中，包括在所述半导体器件中的每个有源区具有相对于所述第二方向的第一高度；和所述半导体器件的高泄漏部分，其中，包括在所述半导体器件中的每个有源区具有相对于所述第二方向的第二高度，所述第二高度大于所述第一高度；并且其中：所述第一有源区包括在所述低泄漏部分中；和具有所述第一高度的每个有源区表现出等于或低于预定阈值的电流泄漏。4.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：所述半导体器件的高泄漏区，其中，所述第二有源区基本位于所述高泄漏部分内，并且，所述第二有源区被配置为具有大于所述第一有源区的所述高度的高度并且支持预定阈值内的开关速度。5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：相对于所述第一方向，所述第一有源区和所述第二有源区由所述中间区分离。6.根据权利要求2所述的半导体器件，其中：所述第一隔离伪栅极的长轴在所述第二方向上延伸。7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：所述第一有源区为多个第一有源区中的一个；并且所述半导体器件还包括：所述半导体器件的低泄漏部分，其中，包括在所述半导体器件中的每个有源区具有相对于第二方向的第一高度；所述半导体器件的高泄漏部分，其中，包括在所述半导体器件中的每个有源区具有相对于所述第二方向的第二高度，所述第二高度大于所述第一高度；和所述低泄漏部分包括所述多个第一有源区的...

【专利技术属性】
技术研发人员：王茹毓，萧有呈，林高正，苏品岱，江庭玮，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：