【技术实现步骤摘要】
包括标准单元的集成电路芯片
[0001]本申请要求于2021年5月26日在韩国知识产权局提交的第10
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2021
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0067361号韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请的公开通过引用全部包含于此。
[0002]实施例涉及一种包括标准单元的半导体芯片。
技术介绍
[0003]集成电路(又可称为集成电路芯片)可以包括多个标准单元。集成电路可以包括提供相同的功能的标准单元，并且可以包括提供不同的功能的标准单元。此外，集成电路可以包括在提供相同的功能的同时提供不同的特性的标准单元，并且可以包括例如从执行相同的功能的多个标准单元之中基于特性(例如，操作速度、功耗、面积等)而选择的标准单元。凭借半导体工艺的进步，可以提供具有减小的面积的标准单元，或者可能需要具有大的面积的标准单元，所述具有大的面积的标准单元为使用给定半导体工艺制造的集成电路提供高的电流驱动能力(current drivability)以满足期望的条件(例如，操作速度)。
技术实现思路
[0004]可以通过提供一...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种集成电路芯片，所述集成电路芯片包括：基底，包括第一元件区域和第二元件区域，第一元件区域和第二元件区域分别包括不同类型的阱；第一沟道有源区域，从基底的第一元件区域突出，并且沿第一方向延伸；第二沟道有源区域，从基底的第二元件区域突出，并且沿第一方向延伸；多条栅极线，沿与第一方向交叉的第二方向延伸，并且与第一沟道有源区域和第二沟道有源区域交叉；扩散中断，沿第二方向延伸；多个源极/漏极区域，位于所述多条栅极线中的每条栅极线的相对侧处，并且分别位于第一沟道有源区域和第二沟道有源区域上；第一电力线，电连接到所述多个源极/漏极区域中的一部分；以及第二电力线，电连接到所述多个源极/漏极区域中的另一部分，并且具有比第一电力线的电压电平低的电压电平，其中，所述扩散中断包括：第一区域，包括绝缘体，第一区域与第一元件区域叠置；以及第二区域，包括与所述多条栅极线的材料相同的材料，第二区域与第二元件区域叠置，并且其中，第二区域电连接到第二电力线。2.根据权利要求1所述的集成电路芯片，其中，第一元件区域为P型，并且第二元件区域为N型。3.根据权利要求1所述的集成电路芯片，其中，所述扩散中断的第一区域和第二区域在第二方向上线性地对准。4.根据权利要求3所述的集成电路芯片，其中，第一区域和第二区域通过栅极切割区域彼此分离。5.根据权利要求1所述的集成电路芯片，其中，第一区域不与第一沟道有源区域叠置，并且第二区域包括与第二沟道有源区域叠置的部分。6.根据权利要求5所述的集成电路芯片，其中，第一区域分隔第一沟道有源区域，并且第二区域与第二沟道有源区域交叉。7.根据权利要求1所述的集成电路芯片，其中，第一区域和第二区域位于所述集成电路芯片的一个标准单元中。8.根据权利要求1所述的集成电路芯片，其中，第二区域的电压电平是地电压电平。9.根据权利要求1所述的集成电路芯片，其中，所述扩散中断与所述多条栅极线处于同一水平。10.根据权利要求1所述的集成电路芯片，其中，所述扩散中断是单扩散中断。11.根据权利要求1所述的集成电路芯片，其中，源极/漏极区域通过第一接触电极和第一过孔电连接到第一电力线或第二电力线，并且第二区域通过第二接触电极和第二过孔电连接到第二电力线。
12.根据权利要求1所述的集成电路芯片，其中，第一电力线包括与第一区域叠置的部分，并且第二电力线包括与第二区域叠置的部分。13.根据权利要求1所述的集成电路芯片，其中，第一区域的长度和第二区域的长度均小于所述多条栅极线中的至少一条栅极线的长度。14.根据权利要求1至13中的任一项所述的集成电路芯片，所述集成电路芯片还包括：线图案，沿第一方向延伸穿过第二区域的内部和所述多条栅极线的内部，其中，线图案包括与第二沟道有源区域的材料相同的材料。15.一种集成电路芯片，所述集成电路芯片包括：基底，包括第一元件区域和第二元件区域以及将第一元件区域和第二元件区域彼此分离的有源切割区域，第一元件区域和第二元件区域分别由不同类型的阱构成；前端制程结构，位于基底上；后端制程结构，位于前端制程结构上，后端制程结构包括第一电力线和第二电力线，第二电力线具有比第一电力线的电压电平低的电压电...
【专利技术属性】
技术研发人员：朴判济，姜秉柱，金允贞，千宽永，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：
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