封装结构及其形成方法技术

技术编号：35851195 阅读：13 留言：0更新日期：2022-12-07 10:35

本公开提供一种封装结构及其形成方法。封装结构包括一基板、一第一钝化层、一金属层、一第二钝化层以及一聚合物层。第一钝化层形成在基板之上。金属层共形地形成在第一钝化层上。第二钝化层共形地形成在第一钝化层及金属层上。一阶梯结构形成在第二钝化层的顶表面上，且包括至少一较低部分，低于阶梯结构的其他部分。聚合物层形成在第二钝化层之上。聚合物层的一部分延伸到阶梯结构的较低部分中以与阶梯结构卡合。梯结构卡合。梯结构卡合。

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【技术实现步骤摘要】
封装结构及其形成方法

[0001]本专利技术实施例涉及一种半导体制造技术，尤其涉及一种具有防聚合物层分层设计的封装结构及其形成方法。

技术介绍

[0002]半导体产业通过不断减小最小特征尺寸来持续提高各种电子构件(例如，晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度，从而允许将更多构件整合到既定区域中。随着对更小的电子装置的需求不断增长，越来越需要更小且更有创意的半导体裸片封装技术。
[0003]传统封装技术将晶片分成多个单独的裸片并封装每个个别的裸片，按照以下顺序：将单个裸片放置在封装基板上、一般通过打线接合或倒装芯片接合形成第一级互连(interconnects)、密封、测试、检查以及在最终组装中与电路板的第二级互连。这些技术和流程非常耗时。
[0004]晶片级封装(Wafer level package，WLP)技术是在晶片级封装裸片的技术。晶片级封装技术可以生产尺寸小且电性能良好的裸片，目前因其成本低且工艺相对简单而被广泛使用。晶片级封装技术基本上包括装置互连及装置保护工艺。在晶片级封装技术中，后段(back
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end
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of
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line，BEOL)工艺涉及一些掩模层，从聚合物介电层开始、重分布层、凸块下金属化层以及晶片凸块，所有这些都在切割之前进行。
[0005]尽管现有的晶片级封装技术通常已经足以满足其预期目的，但它们仍不是在所有方面都完全令人满意的。

技术实现思路

[0006]本公开一些实施例提供一种封装结构，包...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种封装结构，包括：一基板；一第一钝化层，形成在该基板之上；一金属层，共形地形成在该第一钝化层上；一第二钝化层，共形地形成在该第一钝化层及该金属层上，其中一阶梯结构形成在该第二钝化层的一顶表面上，且包括至少一较低部分，该至少一较低部分系低于该阶梯结构的其他部分；以及一聚合物层，形成在该第二钝化层之上，其中该聚合物层的一部分延伸到该阶梯结构的该至少一较低部分中以与该阶梯结构卡合。2.如权利要求1所述的封装结构，其中该金属层包括一第一金属垫，且该第一金属垫包括多个第一部分及一第二部分，多个所述第一部分位于该第一钝化层之上，该第二部分位于多个所述第一部分之间并延伸到该第一钝化层中，及其中该阶梯结构包括多个较高部分及一较低部分，该较低部分位于多个所述较高部分之间并低于多个所述较高部分，及其中多个所述较高部分的位置对应于该第一金属垫的多个所述第一部分的位置，且该较低部分的位置对应于该第一金属垫的该第二部分的位置。3.如权利要求2所述的封装结构，其中一装置放置在该基板上，且该金属层还包括被该聚合物层覆盖并与该第一金属垫分离的一第二金属垫，及其中该第二金属垫电耦接到该装置，且该第一金属垫与该装置绝缘。4.如权利要求2所述的封装结构，其中该金属层还包括比该第一金属垫更远离该聚合物层的一第二金属垫，且该第二金属垫包括多个第三部分及一第四部分，多个所述第三部分位于该第一钝化层之上，该第四部分位于多个所述第三部分之间并延伸到该第一钝化层中，及其中在平行于该第二钝化层的该顶表面的一水平方向上，该第一金属垫的该第二部分的宽度大于该第二金属垫的该第四部分的宽度。5.如权利要求2所述的封装结构，其中该第一金属垫还包括位于多个所述第一部分之间并延伸到该第一钝化层中的多个第二部分，及其中该阶梯结构还包括位于多个所述较高部分之间并低于多个所述较高部分的多个较低部分，及其中多个所述较高部分的位...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈开亨，曹佩华，吕学德，王荣德，王建竣，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：

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