集成电路结构及其制造方法技术

本发明专利技术实施例提供一种集成电路结构包括半导体衬底、钝化层、第一保护层及第二保护层。钝化层设置于半导体衬底之上。第一保护层设置于钝化层之上。第二保护层设置于第一保护层之上，其中第一保护层的边界框限于第二保护层内。内。内。

【技术实现步骤摘要】
集成电路结构及其制造方法


[0001]本专利技术实施例涉及一种集成电路结构及其制造方法。

技术介绍

[0002]半导体器件用于各种电子应用，例如个人计算机、手机、数码相机和其他电子设备。半导体器件通常通过依次沉积绝缘或介电层、导电层和半导体材料层在半导体衬底上并使用光刻对各种材料层进行图案化以在其上形成电路组件和部件来制造。许多集成电路通常是在单个半导体晶片上制造的。晶片的管芯可以在晶片级进行加工和封装，并且已经开发了用于晶片级封装的各种技术。

技术实现思路

[0003]根据本公开的一些实施例，集成电路结构包括半导体衬底、钝化层、第一保护层及第二保护层。钝化层设置于所述半导体衬底之上。第一保护层设置于所述钝化层之上。第二保护层设置于所述第一保护层之上，其中所述第一保护层的边界框限于所述第二保护层内。
[0004]根据本公开的一些实施例，集成电路结构包括半导体衬底、导电层、钝化层、第一保护层及第二保护层。导电层，设置于所述半导体衬底之上。钝化层部分覆盖所述导电层。第一保护层设置于所述钝化层之上。第二保护层覆盖所述第一保护层本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种集成电路结构，其特征在于，包括：半导体衬底；钝化层设置于所述半导体衬底之上；第一保护层设置于所述钝化层之上；以及第二保护层设置于所述第一保护层之上，其中所述第一保护层的边界框限于所述第二保护层内。2.根据权利要求1所述的集成电路结构，其特征在于，所述第二保护层与所述第一保护层的外缘接触并覆盖所述第一保护层及所述钝化层之间的界面。3.根据权利要求1所述的集成电路结构，其特征在于，更包括：第三保护层设置在所述第一保护层及所述第二保护层之间，其中所述第二保护层与所述第三保护层的外缘接触并覆盖所述第一保护层及所述第三保护层之间的界面。4.根据权利要求1所述的集成电路结构，其特征在于，更包括：多个导电凸块设置于所述第二保护层之上并部分嵌入所述第二保护层；以及密封环设置在所述半导体衬底的周缘之上，其中从顶视图的方向看，所述第二保护层与所述密封圈重叠，其中所述钝化层设置在所述密封环之上并包括覆盖并符合所述密封环的轮廓的突出部，并且所述第一保护层与所述突出部间隔开，且所述第二保护层覆盖所述突出部的一部分以及位在所述第一保护层与所述突出部之间的所述钝化层。5.一种集成电路结构，其特征在于，包括：半导体衬底；导电层，设置于所述半导体衬底之上；钝化层，部分覆盖所述导电层；第一保护层，设置于所述钝化层之上；以及第二保护层，覆盖所述第一保护层及所述第一保护层及所述钝化层之间的界面。6.根据权利要求5所述的集成电路结构，其特征在于，...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵永清，蒋伟韩，钟鹏元，康金玮，林政仁，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：