半导体封装和其制造方法技术

一种半导体封装和其制造方法。在一实施例中，结构包括芯衬底、耦合到芯衬底的第一侧的重布线结构、包括多个重布线层的重布线结构，多个重布线层中的每一个包括介电层和金属化层，以及嵌入在多个重布线层的第一重布线层中的第一局部互连组件，第一局部互连组件包括衬底、互连结构和互连结构上的接合垫，第一局部互连组件的接合垫与第二重布线层的金属化层实体接触，第二重布线层与第一重布线层相邻，第二重布线层的金属化层包括第一导通孔，第一重布线层的介电层包封第一局部互连组件。重布线层的介电层包封第一局部互连组件。重布线层的介电层包封第一局部互连组件。

【技术实现步骤摘要】
半导体封装和其制造方法


[0001]本专利技术的实施例涉及半导体封装及其制造方法。

技术介绍

[0002]由于各种电子组件(例如，晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度不断提高，半导体行业经历了快速增长。在大多数情况下，集成密度的提高源于最小特征尺寸(feature size)的不断地减小，这允许将更多组件整合到给定区域。随着对缩小电子器件的需求不断增长，出现了对更小、更具创意的半导体管芯封装技术的需求。这种封装系统的一个例子是层叠封装(Package
‑
on
‑
Package，PoP)技术。在PoP器件中，顶部半导体封装被堆叠在底部半导体封装的顶部上，以提供高集成度和组件密度。PoP 技术通常能够生产功能性得到增强和在印刷电路板(printed circuit board， PCB)上占用面积(footprint)小的半导体器件。

技术实现思路

[0003]本专利技术实施例提供一种半导体封装。所述半导体封装包括芯衬底；重布线结构，耦合到所述芯衬底的第一侧，所述重布线结构包括：多个重布线本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体封装，包括：芯衬底；重布线结构，耦合到所述芯衬底的第一侧，所述重布线结构包括：多个重布线层，所述多个重布线层中的每一个包括介电层和金属化层；以及第一局部互连组件，嵌入在所述多个重布线层的第一重布线层中，所述第一局部互连组件包括衬底，所述衬底上的互连结构，和所述互连结构上的多个接合垫，所述第一局部互连组件的所述多个接合垫实体接触第二重布线层的金属化层，所述第二重布线层与所述第一重布线层相邻，所述第二重布线层的所述金属化层包括多个第一导通孔，所述第一重布线层的介电层包封所述第一局部互连组件；第一集成电路管芯，耦合到所述重布线结构，所述重布线结构介于所述芯衬底和所述第一集成电路管芯之间；第二集成电路管芯，耦合到所述重布线结构，所述重布线结构介于所述芯衬底和所述第一集成电路管芯之间，所述第一局部互连组件的所述互连结构电耦合所述第一集成电路管芯到所述第二集成电路管芯；以及一组导电连接件，耦合到所述芯衬底的第二侧。2.根据权利要求1所述的半导体封装，其中使用多个第一焊料连接件将所述重布线结构耦合到所述芯衬底的所述第一侧。3.根据权利要求1所述的半导体封装，还包括：包封体介于所述重布线结构和所述芯衬底之间。4.根据权利要求1所述的半导体封装，其中所述第一局部互连组件的所述互连结构在所述第一局部互连组件的所述衬底的第一侧，所述第一局部互连组件的所述第一侧面向所述第一集成电路管芯。5.一种制造半导体封装的方法，包括：在第一载体衬底之上形成第一重布线结构，其中形成所述第一重布线结构包括：在所述第一载体衬底之上形成第一组导线；在所述第一载体衬底之上邻近所述第一组导线形成第一组导通孔；使用多个第一焊料区域将第一互连管芯与所述第一组导线接合，所述第一互连管芯包括衬底、所述衬底上的互连结构和所述互连结构上的多个第一接合垫，使用所述多个第一焊料区域将所述多个第一接合垫与所述第一组导线接合，所述第一互连管芯位于所述第一组导通孔中的两者之间；在所述第一组导线、所述第一组导通孔和所述第一互连管芯之上形成第一介电层，所述第一介电层、所述第一组导通孔、所述第一组导线和所述第一互连管芯形成第一重布线层；以及在所述第一重布线层上形成第二重布线层，所述第二重布线层包括第二介电层和第二组导通孔，所述第二组导通孔电耦合到所述第一组导通孔；去除所述第一载体衬底；移除所述第一组导线...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴俊毅，余振华，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：