晶体管以及半导体装置与六方碳氮化硼层的制造方法制造方法及图纸

一种晶体管包括沟道层、栅极堆叠以及源极/漏极区。沟道层包括石墨烯层以及分散在石墨烯层中的六方氮化硼(hexagonal boron nitride，hBN)片。hBN片的排列方向(orientation)实质上对齐。栅极堆叠位于沟道层上。源极/漏极区位于栅极堆叠旁。层上。源极/漏极区位于栅极堆叠旁。层上。源极/漏极区位于栅极堆叠旁。

【技术实现步骤摘要】
晶体管以及半导体装置与六方碳氮化硼层的制造方法


[0001]本专利技术实施例涉及一种晶体管、半导体装置的制造方法以及六方碳氮化硼层的制造方法。更具体来说，本专利技术实施例涉及一种具有六方氮化硼片的晶体管、半导体装置的制造方法以及六方碳氮化硼层的制造方法。

技术介绍

[0002]在集成电路的最近发展中对二维(two dimensional，2D)半导体电子装置进行了研究。2D晶体管可包括2D沟道，所述2D沟道包括具有原子等级的厚度的沟道，且所述沟道形成在两个绝缘体层之间。然而，在实体晶片上使用2D晶体管会遇到问题。举例来说，在先前的研究中，沟道材料的带隙对于在制作工艺中控制电子特性来说是不稳定的，且容易发生漏电(leakage)、分子吸收、载流子迁移率下降等。

技术实现思路

[0003]一种晶体管包括沟道层、栅极堆叠以及源极/漏极区。所述沟道层包括石墨烯层以及分散在所述石墨烯层中的六方氮化硼(hexagonal boron nitride，hBN)片。所述hBN片的排列方向(orientation)实质上对齐。所述栅极堆叠位于所述本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶体管，包括：沟道层，其中所述沟道层包括石墨烯层以及分散在所述石墨烯层中的六方氮化硼片，且所述六方氮化硼片的排列方向对齐；栅极堆叠，位于所述沟道层上；以及源极/漏极区，位于所述栅极堆叠旁。2.根据权利要求1所述的晶体管，还包括设置在所述沟道层的两个相对的侧上的第一六方氮化硼层与第二六方氮化硼层，且所述第二六方氮化硼层位于所述栅极堆叠与所述沟道层之间。3.根据权利要求2所述的晶体管，其中所述源极/漏极区与所述第二六方氮化硼层实体接触且通过所述第二六方氮化硼层与所述沟道层在实体上隔开。4.一种六方碳氮化硼层的制造方法，包括：在衬底上沉积多晶铜膜；通过执行热退火工艺将所述多晶铜膜转换成单晶铜膜；在所述单晶铜膜上提供第一工艺气体，以在所述单晶铜膜上形成六方氮化硼片；以及在所述单晶铜膜上提供第二工艺气体，以形成填充所述六方氮化硼片之间的空间的石墨烯层。5.根据权利要求4所...

【专利技术属性】
技术研发人员：褚志彪，陈则安，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：