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一种晶体管包括沟道层、栅极堆叠以及源极/漏极区。沟道层包括石墨烯层以及分散在石墨烯层中的六方氮化硼(hexagonal boron nitride,hBN)片。hBN片的排列方向(orientation)实质上对齐。栅极堆叠位于沟道层上。源...该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。
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一种晶体管包括沟道层、栅极堆叠以及源极/漏极区。沟道层包括石墨烯层以及分散在石墨烯层中的六方氮化硼(hexagonal boron nitride,hBN)片。hBN片的排列方向(orientation)实质上对齐。栅极堆叠位于沟道层上。源...