一种降压电路及将输入电压降压的方法，如本文中所描述的系统及方法可以采取多种形式。在实例中，降压电路包含第一降压模块及第二降压模块。第一降压模块具有作为输入的供应电压及第一参考电压及作为输出的中间降压电压，中间降压电压电耦接至第一降压模块...

一种半导体结构及其形成方法，半导体结构包括一基板，基板含有第一类型深沟槽及第二类型深沟槽。该些第一类型深沟槽及该些第二类型深沟槽具有沿着不同方向横向地延伸的长度方向侧壁。半导体结构包括一电容器结构，电容器结构包括一层堆叠，层堆叠含有与至...

一种半导体装置及其形成方法，形成半导体的方法包括在突出于基板的第一半导体鳍片中形成第一凹槽，且在突出于基板第一半导体鳍片的第二半导体鳍片中形成第二凹槽，并在第一凹槽及第二凹槽中形成源极/漏极区。形成源极/漏极区包括在第一凹槽中形成第一层...

一种晶粒堆叠及系统集成电路结构，晶粒堆叠包含：第一晶粒，包含第一半导体基板；第一重分布层(RDL)结构，设置在第一晶粒的前表面上且电连接至第一半导体基板；第二晶粒，接合至第一晶粒的前表面且包含第二半导体基板；第三晶粒，接合至第一晶粒的前...

一种半导体装置包括衬底、至少一个通孔、衬层和导电层。衬底包括电子电路。至少一个通孔穿过衬底。至少一个通孔在其侧壁上包括多个凹入部分。衬层填满至少一个通孔的多个凹入部分。导电层配置于至少一个通孔的侧壁上、覆盖衬层，并延伸至衬底表面上。至少...

一种半导体装置的制造方法至少包括以下步骤。提供牺牲衬底。在牺牲衬底上形成外延层。在外延层上形成刻蚀终止层。将碳原子植入到刻蚀终止层中。在刻蚀终止层上形成顶盖层以及元件层。将处置衬底接合到元件层。从处置衬底移除牺牲衬底、外延层以及具有碳原...

一种集成电路及制作集成电路的方法，集成电路包括第一与第二金属

一种封装结构包括第一散热结构、第一半导体管芯、第二半导体管芯。第一散热结构包括半导体衬底、嵌置在半导体衬底中的导通孔、电连接到导通孔的第一电容器及设置在半导体衬底及导通孔之上的传热结构。第一半导体管芯设置在第一散热结构上。第二半导体管芯...

本公开的各种实施例针对一种存储器器件及其制造方法，所述存储器器件包括在侧向上包围存储单元的保护性侧壁间隔壁层。上部层间介电(ILD)层上覆在衬底之上。存储单元设置在上部ILD层内。存储单元包括顶部电极、底部电极及设置在顶部电极与底部电极...

一种用于在半导体晶片上执行沉积工艺的设备包括腔室、晶片固持件和屏蔽结构。腔室包含反应区域，晶片固持件设置在腔室中以固持半导体晶片，反应区域在半导体晶片之上。屏蔽结构设置在腔室中并将腔室的内侧壁与反应区域隔离。屏蔽结构包括基底构件、第一构...

半导体封装包括重布线结构、第一导电柱和第二导电柱，以及半导体器件。重布线结构具有第一表面和与第一表面相对的第二表面。第一导电柱和第二导电柱设置在重布线结构的第一表面上并与重布线结构电连接，其中第一导电柱的最大横向尺寸大于第二导电柱的最大...

提供了一种集成电路(IC)及其形成方法。该集成电路包括衬底；导电层配置在衬底上；阻障层配置在导电层上；刻蚀停止层覆盖阻障层的侧壁且在阻障层的顶面的第一部分上延伸；以及至少一电容器结构配置在阻障层的顶面的第二部分上。分上。分上。

本公开的各种实施例涉及半导体封装和其制造方法。半导体封装至少包括电路衬底、半导体管芯和填充材料。电路衬底有第一表面、与所述第一表面相反的第二表面和从所述第一表面凹进去的凹穴。电路衬底包括介电材料和埋设在介电材料中并位于凹穴下方的金属底板...

本发明实施例提供一种金属

一种半导体组件及其形成方法以及光耦合系统。公开具有高耦合效率和低偏振相关损耗的边缘耦合器，以及制造边缘耦合器的方法。在一个实施例中，公开用于光耦合的半导体组件。半导体组件包括：衬底；光波导，在衬底之上；及多个层，在光波导之上。多个层包括...

一种工件处理系统包括载体、下部成像器件及传递机构。载体被配置成承载至少一个工件。下部成像器件设置在载体旁边。传递机构可移动地设置在下部成像器件及载体之上，其中传递机构包括被配置成拾取及放置所述至少一个工件的末端执行器以及设置在末端执行器...

本发明涉及集成电路结构与电路及其操作方法。本揭露根据实施例描述薄膜晶体管类型光感测电路。薄膜晶体管类型光感测电路包括两薄膜晶体管以，其中一薄膜晶体管的通道区包括光感测区且另一薄膜晶体管的通道区具有设置于其上的顶盖材料。薄膜晶体管类型光感...

一种半导体封装包括重布线结构、第一半导体器件、第二半导体器件、底部填充胶层和包封体。第一半导体器件设置在重布线结构上并与其电连接，第一半导体器件具有第一底部表面、第一顶部表面和与第一底部表面和第一顶部表面连接的第一侧表面，第一侧表面包括...

一种形成半导体元件的方法及执行物理沉积制程的方法，形成半导体元件的方法包括在晶圆上形成介电层。蚀刻介电层，以形成开口。执行电浆沉积制程，以在开口中形成种子层，其中执行电浆沉积制程包括将晶圆设置于磁体模块下方并旋转磁体模块，磁体模块包括载...

一种半导体装置包括衬底、封装结构、热界面材料(TIM)结构及盖结构。封装结构设置于衬底上。TIM结构设置于封装结构上。TIM结构包括金属TIM层及与金属TIM层接触的非金属TIM层，且非金属TIM层环绕金属TIM层。盖结构设置于衬底及T...