【技术实现步骤摘要】
半导体封装及其形成方法
[0001]本揭露实施例涉及一种半导体封装及其形成方法。
技术介绍
[0002]由于各种电子元件(即晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度不断增进，半导体行业经历了快速增长。在大多数情况下，集成密度的这种增进来自于最小特征尺寸(feature size)不断地减小，这允许将更多较小的元件整合到给定区域。这些较小的电子元件会需要较小的封装，其比以前的封装占用更少的面积。用于半导体器件的一些较小类型的封装包括四面扁平封装(quad flat package，QFP)、接脚栅格阵列(pin grid array，PGA)封装、球状栅格阵列(ball grid array，BGA)封装等。目前，整合扇出封装(integrated fan
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out package)因其密实度而变得越来越热门。
技术实现思路
[0003]根据本专利技术的实施例，一种半导体封装包括重布线结构、第一半导体器件、第二半导体器件、底部填充胶层及包封体。第一半导体器件设置在所述重布线结构上并与所述重...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体封装，包括：重布线结构；第一半导体器件设置在所述重布线结构上并与所述重布线结构电连接，其中所述第一半导体器件具有第一底部表面、第一顶部表面和与所述第一底部表面和所述第一顶部表面相连接的第一侧表面，所述第一侧表面包括相互连接的第一子表面和第二子表面，所述第一子表面与所述第一底部表面相连接，且第一钝角位于所述第一子表面与所述第二子表面之间；第二半导体器件设置在所述重布线结构上并与所述重布线结构电连接，其中所述第二半导体器件具有第二底部表面、第二顶部表面和与所述第二底部表面和所述第二顶部表面相连接的第二侧表面，所述第二侧表面面向所述第一侧表面，所述第二侧表面包括相互连接的第三子表面和第四子表面，所述第三子表面与所述第二底部表面连接，且第二钝角位于所述第三子表面和所述第四子表面之间；底部填充胶层，位于所述第一半导体器件和所述第二半导体器件之间、所述第一半导体器件和所述重布线结构之间、及所述第二半导体器件和所述重布线结构之间；以及包封体，包封所述第一半导体器件、所述第二半导体器件和所述底部填充胶层。2.根据权利要求1所述的半导体封装，其中所述第一底部表面和所述第二底部表面之间的第一最小距离大于所述第一顶部表面和所述第二顶部表面之间的第二最小距离。3.根据权利要求1所述的半导体封装，其中所述第一子表面与垂直于所述第一顶部表面的第一虚拟平面之间的第一夹角大于所述第二子表面与垂直于所述第一顶部表面的第二虚拟平面之间的第二夹角；以及所述第三子表面与垂直于所述第二顶部表面的第三虚拟平面之间的第三夹角大于所述第四子表面与垂直于所述第二顶部表面的第四虚拟平面之间的第四夹角。4.一种半导体封装，包括：重布线结构；第一半导体器件设置在所述重布线结构上并与所述重布线结构电连接，其中所述第一半导体器件包括第一部分和沿第一方向堆叠在所述第一部分上的第二部分，所述第一部分具有第一倾斜侧表面，所述第二部分具有与所述第一倾斜侧表面相连接的第二倾斜侧表面，以及所述第一倾斜侧表面的斜率小于所述第二倾斜侧表面的斜率；第二半导体器件设置在所述第一半导体器件旁边并与所述重布线结构电连接，其中所述第二半导体器件包括第三部分和沿所述第一方向堆叠在所述第三部分上的第四部分，所述第三部分具有第三倾斜侧表面，所述第四部分具有与所述第三倾斜侧表面连接的第四倾斜侧表面，空间位于所述第一半导体器件和所述第二半导体器件之间且由所述第一倾斜侧表面、所述第二倾斜侧表面、所述第三倾斜侧表面和所述第四倾斜侧表面所形成并夹置，及所述第三倾斜侧表面的斜率小于所述第四...
【专利技术属性】
技术研发人员：林昱圣，汪金华，叶书伸，陈见宏，林柏尧，郑心圃，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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