半导体装置及其形成方法制造方法及图纸

一种半导体装置及其形成方法，形成半导体的方法包括在突出于基板的第一半导体鳍片中形成第一凹槽，且在突出于基板第一半导体鳍片的第二半导体鳍片中形成第二凹槽，并在第一凹槽及第二凹槽中形成源极/漏极区。形成源极/漏极区包括在第一凹槽中形成第一层的第一部分及在第二凹槽中形成第一层的第二部分，通过流动第一前驱物在第一层上形成第二层，及通过流动第二前驱物在第二层上形成第三层，第三层为单一连续材料。单一连续材料。单一连续材料。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置及其形成方法


[0001]本揭露为关于一种形成半导体装置及其形成方法，特别是关于一种使用包括中间源极/漏极层的磊晶生长技术的形成半导体装置的方法。

技术介绍

[0002]半导体装置用于多种电子应用，诸如举例而言，个人计算机、手机、数字相机、及其他电子设备。半导体装置通常为通过在半导体基板上方顺序沉积绝缘或介电层、导电层、及半导体材料层，并使用微影术图案化各种材料层以在其上形成电路组件及元件来制造的。
[0003]半导体行业通过不断减小最小特征尺寸来不断提高各种电子组件(如晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度，从而允许更多元件整合至给定面积中。

技术实现思路

[0004]根据一实施方式，一种形成半导体装置的方法，包含：在第一半导体鳍片及第二半导体鳍片上方形成第一栅极结构，第一半导体鳍片及第二半导体鳍片突出于基板；在与第一栅极结构相邻的第一半导体鳍片中形成第一凹槽，且在与第一栅极结构相邻的第二半导体鳍片中形成第二凹槽；以及在第一凹槽及第二凹槽中形成第一源极/漏极区。形成第一源极/漏极区的步骤包括：在第一凹槽本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种形成一半导体装置的方法，其特征在于，包含：在一第一半导体鳍片及一第二半导体鳍片上方形成一第一栅极结构，该第一半导体鳍片及该第二半导体鳍片突出于一基板；在与该第一栅极结构相邻的该第一半导体鳍片中形成一第一凹槽，且在与该第一栅极结构相邻的该第二半导体鳍片中形成一第二凹槽；及在该第一凹槽及该第二凹槽中形成一第一源极/漏极区，其中该形成该第一源极/漏极区的步骤包含：在该第一凹槽及该第二凹槽中形成一第一层，该形成该第一层的步骤包含在该第一凹槽中形成该第一层的一第一部分及在该第二凹槽中形成该第一层的一第二部分；通过流动一硅烷气体在该第一层上形成一第二层，该形成该第二层的步骤包含在该第一层的该第一部分上形成该第二层的一第三部分及在该第一层的该第二部分上形成该第二层的一第四部分；以及在该第二层上形成一第三层，该形成该第三层的步骤包含流动一二氯硅烷气体，该第三层为自该第二层的该第三部分延伸至该第二层的该第四部分的一单一连续材料。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，形成该第三层的步骤包含以下步骤：在该第三层下方形成一气隙。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，进一步包含将该第一源极/漏极区形成于一第三半导体鳍片的一第三凹槽中，该第三半导体鳍片与该第二半导体鳍片相邻，该第一源极/漏极区的该第一层的一第五部分形成于该第三凹槽中，该第一源极/漏极区的该第二层的一第六部分形成于该第一层的该第五部分上，且该第三层与该第二层的该第六部分实质接触。4.一种形成一半导体装置的方法，其特征在于，包含：在一第一半导体鳍片中形成一第一凹槽，该第一半导体鳍片突出于一基板；在一第二半导体鳍片中形成一第二凹槽，该第二半导体鳍片与该第一半导体鳍片相邻突出于该基板；在该第一凹槽中形成一第一源极/漏极层的一第一部分，且在该第二凹槽中形成该第一源极/漏极层的一第二部分；在该第一源极/漏极层的该第一部分上形成一第二源极/漏极层的一第一部分，且在该第一源极/漏极层的该第二部分上形成该第二源极/漏极层的一第二部分，其中形成该第二源极/漏极层的步骤包括在一氢环境中流动一第一前驱物；在该第二源极/漏极层的该第一部分及该第二源极/漏极层的该第二部分上形成一第三源极/漏极层，该第三源极/漏极层为自该第一凹槽延伸至该第二凹槽的一单一连续层，其中形成该第三源极/漏极层的步骤包含流动一第二前驱物，其中在流动该第一前驱物时该第二源极/漏极层的垂直生长大于在流动该第二前驱物时该第三源极/漏极层的垂直生长，且其中在流动该第二前驱物时该第三源极/漏极层的侧向生长大于在流动该第一前驱物时该第二源极/漏极层的侧向生长；以及在该第一半导体鳍片及该第二半导体鳍片上方形成一栅极结构。5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，该第二源极/漏极层具有量测为...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭建億，吕惟皓，舒丽丽，杨育佳，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：