半导体封装及其形成方法技术

半导体封装包括重布线结构、第一导电柱和第二导电柱，以及半导体器件。重布线结构具有第一表面和与第一表面相对的第二表面。第一导电柱和第二导电柱设置在重布线结构的第一表面上并与重布线结构电连接，其中第一导电柱的最大横向尺寸大于第二导电柱的最大横向尺寸，第一导电柱的顶部表面的形貌变化大于第二导电柱的顶部表面的形貌变化。半导体器件设置在重布线结构的第一表面之上，其中半导体器件包括第三导电柱和第四导电柱，第三导电柱通过第一接合结构结合到第一导电柱，并且第四导电柱通过第二接合结构结合到第二导电柱。通过第二接合结构结合到第二导电柱。通过第二接合结构结合到第二导电柱。

【技术实现步骤摘要】
半导体封装及其形成方法


[0001]本揭露实施例涉及一种半导体封装及其形成方法。

技术介绍

[0002]由于各种电子元件(即晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度不断增进，半导体行业经历了快速增长。在大多数情况下，集成密度的这种增进来自于最小特征尺寸(feature size)不断地减小，这允许将更多较小的元件整合到给定区域。这些较小的电子元件会需要较小的封装，其比以前的封装占用更少的面积。目前，整合扇出封装(integrated fan
‑
out package)因其密实度而变得越来越热门。如何保证整合扇出封装的可靠性成为该领域的一个挑战。

技术实现思路

[0003]根据本专利技术的实施例，一种半导体封装包括重布线结构、第一导电柱、第二导电柱和半导体器件。重布线结构具有第一表面和与第一表面相对的第二表面。第一导电柱和第二导电柱设置在重布线结构的第一表面上并与重布线结构电连接，其中第一导电柱的最大横向尺寸大于第二导电柱的最大横向尺寸，且第一导电柱的顶部表面的形貌变化大于第二导电柱的顶部表面的形貌变化。半导本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体封装，包括：重布线结构，具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；第一导电柱和第二导电柱，设置在所述重布线结构的所述第一表面上并与所述重布线结构电连接，其中所述第一导电柱的最大横向尺寸大于所述第二导电柱的最大横向尺寸，且所述第一导电柱的顶部表面的形貌变化大于所述第二导电柱的顶部表面的形貌变化；以及半导体器件，设置在所述重布线结构的所述第一表面之上，其中所述半导体器件包括第三导电柱和第四导电柱，所述第三导电柱通过第一接合结构结合到所述第一导电柱，并且所述第四导电柱通过第二接合结构结合到所述第二导电柱。2.根据权利要求1所述的半导体封装，其中所述第一导电柱包括本体部分和包围所述本体部分的周边部分，并且所述本体部分在其顶部表面上具有凹陷部。3.根据权利要求1所述的半导体封装，其中所述第一接合结构的最大横向尺寸与所述第一导电柱的所述最大横向尺寸的比在约0.8至1.5的范围内，且所述第二接合结构的最大横向尺寸与所述第二导电柱的所述最大横向尺寸的比在约0.8至1.5的范围内。4.一种半导体封装，包括：半导体器件，包括第一导电柱和第二导电柱；重布线结构，设置在所述半导体器件下方并包括沿第一方向依序堆叠的多个介电层；第三导电柱和第四导电柱，设置在最靠近所述半导体器件的所述介电层上并与所述重布线结构电连接，其中所述第三导电柱和所述第四导电柱中的每一个包括穿过最靠近所述半导体器件的所述介电层的通孔部分和在所述通孔部分之上的支柱部分，所述第三导电柱的所述通孔部分沿第二方向的最大尺寸大于所述第四导电柱的所述通孔部分沿所述第二方向的最大尺寸，所述第三导电柱的所述支柱部分沿第二方向的最大尺寸大于所述第四导电柱的所述支柱部分沿所述第二方向的最大尺寸，所述第二方向垂直于所述第一方向；以及第一接合结构和第二接合结构，设置在所述半导体器件和所述重布线结构之间，其中所述第一接合结构连接在所述第一导电柱和所述第三导电柱之间，所述第二接合结构连接在所述第二导电柱和所述第四导电柱之间。5.根据权利要求4所述的半导体封装，其中所述第三导电柱的所述通孔部分沿所述第二方向的所述最大尺寸与所述第三导电柱的所述支柱部分沿所述第二方向的所...

【专利技术属性】
技术研发人员：廖莉菱，游明志，杨哲嘉，赖柏辰，林柏尧，郑心圃，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：