一种用于半导体制造的组件及其使用方法，用于半导体制造的组件包含喷头及可调式分配器组件。将喷头设置在清洁腔室之内的晶圆台之上并配置成通过喷头向晶圆的清洁表面喷射清洁材料。将可调式分配器组件设置在可供清洁材料流经通过的喷头之内。可调式分配器...

一种三维装置结构包括第一裸晶、配置在第一裸晶上的第二裸晶与连接电路。第一裸晶包括第一半导体基材、配置在第一半导体基材上的第一内连接结构与围绕此内连接结构的第一封环。第二裸晶包括第二半导体基材、配置在第二半导体基材上的第二内连接结构与围绕...

一种蚀刻装置及其方法，蚀刻方法包括形成内腔室于电浆处理装置的制程腔室中，内腔室具有的体积小于制程腔室。引入至少一气体进入内腔室中。测量至少一气体进入内腔室中的流量。调整至少一气体的流量至期望速率。在不形成内腔室时，通过至少一气体以期望速...

一种半导体元件及其制造方法，半导体元件包括基板、介电结构、栅极电极以及漏极电极。介电结构位于基板上。介电结构包括第一部分、第二部分与第三部分。第一部分具有第一等效氧化物厚度。第二部分与第一部分分开，且第二部分具有第二等效氧化物厚度。第三...

本公开提供一种记忆体单元、记忆体装置和其形成方法，记忆体单元包括半导体基板上方的薄膜晶体管。薄膜晶体管包括接触字元线的记忆体膜、接触源极线和位元线的氧化物半导体层，以及介于记忆体膜和氧化物半导体层之间的导电特征。记忆体膜设置在氧化物半导...

一种光子装置、光学耦合系统及光子装置的制造方法，光子装置包括一硅层，其中该硅层自该光子装置的一波导区延伸至该光子装置的一装置区，且该硅层包括该波导区中的一波导部分。该光子装置进一步包括一包覆层，该包覆层位于该波导部分上方，其中该装置区没...

一种量测基板温度的设备、系统及方法。将发射例如激光脉冲的光信号的发光源施加至基板上。发光源另一侧上的侦测器接收反射激光脉冲。侦测器亦接收与从基板的表面辐射的温度或能量密度相关联的发射信号。温度量测系统使用所接收的激光脉冲及发射信号来确定...

一种制造半导体装置的方法和半导体基板的检验系统，在半导体基板的检验的方法中，第一光束被分成两个或更多个第二光束。两个或更多个第二光束分别传输至半导体基板的顶部的第一集合的两个或更多个第一地点上。回应于传输的两个或更多个第二光束，接收来自...

一种镜面结构及微影系统的方法，镜面结构包括一绝缘层及设置于该绝缘层上的一第一导电层。该第一导电层包括设置于该绝缘层上的一第一非导电膜。该第一非导电膜包括一或多个第一导电段。该镜面结构亦包括设置于该第一导电层上的一反射层及设置于该反射层上...

一种半导体装置和形成半导体装置的方法，半导体装置包括基板、半导体条带、隔离介电质、多个通道层、栅极结构、多个源极/漏极结构，以及隔离层。半导体条带从基板向上延伸，长度则沿着第一方向延伸。隔离介电质横向包围半导体条带。通道层在半导体条带上...

一种微影系统的清洁方法与微影系统的清洁系统，在微影系统的清洁方法中，在闲置模式期间，经由第一开口将空气流引导至极紫外微影系统的晶圆台的腔室中。利用所引导的空气流从晶圆台的腔室中的一或多个晶圆卡盘的表面抽取一或多个微粒。经由第二开口将空气...

本揭露是关于在处理腔室(例如化学气相沉积室)中处理半导体基板的方法及减少半导体基板颗粒积聚的系统。化学气相沉积室包括与一或多个载子环叉配合以将半导体基板自一站移动至另一站的心轴机构。这些方法包括监测一或多个心轴操作参数，并基于监测一或多...

本发明实施例涉及数字低压差电压调节器。在一些实施例中，集成电路装置包含带着功能单元的多个行，每一行具有单元高度。带着功能单元的行中的至少一行包含具有所述行单元高度的至少一个数字低压差电压调节器(Digitallow

一种用于在半导体基板的处理腔室的出入口上方产生气幕的系统及方法。气流稳定器及气流接收器，各个包括合作以产生气幕的水平流动段及垂直流动段，该气幕阻碍处理腔室之外的气体，例如，氧，流入腔室中，举例而言，在出入口打开以添加/或自处理腔室移除工...

本揭露是关于一种电镀系统及其检测方法，电镀系统包括设置在该电镀系统的一圆锥体的一表面上的一第一接点检测感测器和一第二接点检测感测器。该第一接点检测感测器检测待由该电镀系统镀覆的一基板与一第一接点接脚之间的一第一接点处的一第一电阻，该第二...

一种深沟槽电容器、接合组合件及形成半导体结构的方法，深沟槽电容器包括至少一个深沟槽及一层堆叠，该层堆叠包括与至少两个节点介电层交错的至少三个金属电极层且在一基板的顶表面上方连续地延伸且进入该至少一个深沟槽中的每一者中。一接触级介电层覆盖...

本揭示内容是关于包括基板及记忆体阵列的半导体结构及其形成方法。记忆体阵列间隔于基板上方且具有多个列及多个行。此外，记忆体阵列包含在基板上方的共同高度处相邻的第一记忆体单元及第二记忆体单元。第二记忆体单元位于记忆体阵列的边缘且将第一记忆体...

一种极紫外光源设备及其操作方法，极紫外光源设备包括金属液滴产生器、收集器反射镜、用于接收激发激光的激发激光入口、用以反射穿过激发区域的激发激光的第一反射镜，及用以反射由第一反射镜反射的激发激光的第二反射镜。射由第一反射镜反射的激发激光的...

一种极端紫外线辐射源、靶液滴源以及其产生激光电浆的方法，用于极端紫外线源的靶液滴源包括液滴产生器，该液滴产生器用以产生给定材料的靶液滴。液滴产生器包括用以在由腔室封闭的空间中供应靶液滴的喷嘴。在一些实施例中，喷嘴管布置在液滴产生器的喷嘴...

一种光侦测器、影像感测器及制造光侦测器的方法，光侦测器包含具有半导体材料层的基板(诸如含硅层)，以及嵌入于半导体材料层中的锗基井，其中间隙位于锗基井的横向侧面以及周围的半导体材料层之间。锗基井的横向侧面以及周围的半导体材料层之间的间隙可...