一种用于在半导体基板的处理腔室的出入口上方产生气幕的系统及方法。气流稳定器及气流接收器，各个包括合作以产生气幕的水平流动段及垂直流动段，该气幕阻碍处理腔室之外的气体，例如，氧，流入腔室中，举例而言，在出入口打开以添加/或自处理腔室移除工件时。开以添加/或自处理腔室移除工件时。开以添加/或自处理腔室移除工件时。
【技术实现步骤摘要】
处理半导体基板的系统及方法
[0001]本揭露关于一种处理半导体基板的系统及方法。
技术介绍
[0002]在半导体工业中，快速热退火(rapid thermal annealing，RTA)是一半导体制程步骤，用于活化掺杂剂及金属触点的界面反应。原则上，操作涉及将晶圆自环境温度快速加热至约1000～1500K。一旦晶圆达到所需温度，可在淬火前将其保持在该温度下。RTA的一些实施利用间接红外灯加热晶圆。晶圆的温度由间接感测器根据晶圆发出的辐射判定。RTA完成之后，经由出入口将晶圆自处理腔室中移除，并准备进行进一步处理。
技术实现思路
[0003]根据本揭露的一些实施例中，一种处理半导体基板的系统。该系统包含一处理腔室；一暂存模块，用于在将一基板输送至该处理腔室之前分段该基板；一出入口，在该处理腔室与该暂存模块之间，该基板经由该出入口在该暂存模块与该处理腔室之间传递；一气流稳定器，定位于邻近该出入口，该气流稳定器包括一水平流动段及一垂直流动段。
[0004]根据本揭露的一些实施例中，一种处理半导体基板的方法，其包含以下步骤：经由一惰性气流稳定器的一水平流动段传递一惰性气体，该惰性气流稳定器定位于至一处理腔室的一出入口之上；将该惰性气体自该水平流动段传递至该惰性气流稳定器的一垂直流动段，该惰性气流稳定器的该水平流动段上覆该惰性气流稳定器的该垂直流动段；在该惰性气流接收器的一垂直流动段中接收来自该惰性气流稳定器的该惰性气体；将该惰性气体自该惰性气流接收器的该垂直流动段接收至该惰性气流接收器的一水平流动段，该惰性气流接收器的该垂直流动段上覆该惰性气流接收器的该水平流动段；经由该出入口传递该半导体基板；及处理该半导体基板。
[0005]根据本揭露的一些实施例中，一种气流系统，其包含一气流稳定器及一气流接收器。该气流稳定器包括一水平流动段及一垂直流动段，该气流稳定器的该水平流动段上覆该气流稳定器的该垂直流动段，该气流稳定器的该水平流动段包括多个重叠水平气流路径，且该气流稳定器的该垂直流动段包括多个垂直气流路径；该气流接收器包括一垂直流动段及一水平流动段，该气流接收器的该垂直流动段上覆该气流接收器的该水平流动段，该气流接收器的该垂直流动段包括多个垂直气流路径，且该气流接收器的该水平流动段包括多个重叠水平气流路径。
附图说明
[0006]本揭露的态样在与随附附图一起研读时自以下详细描述内容来最佳地理解。应注意，根据行业中的标准规范，各种特征未按比例绘制。实际上，各种特征的尺寸可为了论述清楚经任意地增大或减小。
[0007]图1是用于本揭露实施例的快速热处理(rapid thermal processing，RTP)系统的
示意性横截面图；
[0008]图2是根据本揭露实施例的工具平面图；
[0009]图3是一流程图，描绘根据本文描述的一实施的使用异质磊晶沉积形成结构的方法；
[0010]图4是根据本揭露实施例的气流系统的示意性侧视图；
[0011]图5是根据本揭露实施例的气流稳定器的透视图；
[0012]图6A是根据本揭露实施例的气流接收器的透视图；
[0013]图6B是图6A的气流接收器的横截面图；
[0014]图7A至图7D是根据本揭露实施例的气流稳定器的不同透视图；
[0015]图8是根据本揭露方法的实施例的流程图。
[0016]【符号说明】
[0017]100:处理腔室
[0018]101:灯头
[0019]102:反射体
[0020]106:基板
[0021]108:基板支架
[0022]114:窗口组件
[0023]116:底座
[0024]118:反射腔
[0025]120:高反射表面涂布层
[0026]124:导管
[0027]125:光管
[0028]126:弹性光纤
[0029]128:高温计
[0030]130:入口
[0031]134:支撑环/边缘环
[0032]136:石英圆筒
[0033]137:滚珠轴承
[0034]139:下轴承座圈
[0035]141:环形上轴承
[0036]142:冷却室
[0037]143:入口
[0038]144:出口
[0039]145:净化环
[0040]146:循环回路
[0041]147:内部环形腔
[0042]149:通道
[0043]150:控制器
[0044]152a～152c:温度感测器
[0045]154:上窗口
[0046]156:下窗口
[0047]158:缝隙
[0048]159:出口
[0049]300:方法
[0050]310、320、330、340、350、360、370:步骤/方块
[0051]400:群集工具
[0052]400A:处理腔室
[0053]402:转运室
[0054]402A:基板暂存模块
[0055]403:壁
[0056]404:转运机器人
[0057]406:负载锁
[0058]406A～406B:负载锁室
[0059]406C:出入口
[0060]407:壁的内表面
[0061]408:处理腔室
[0062]408A:气流稳定器
[0063]410:处理腔室
[0064]410a～410b:气体入口
[0065]412:处理腔室/热处理腔室
[0066]412A:气流接收器
[0067]414:处理腔室
[0068]414A:出口/口
[0069]416:处理腔室/热处理腔室
[0070]416A:真空源
[0071]418:第二出入口
[0072]420:壳体
[0073]421:水平流动段
[0074]422:顶侧
[0075]423:垂直流动段
[0076]424:前侧
[0077]426a～426e:水平板
[0078]427:背侧
[0079]428:左端
[0080]430:右端
[0081]432:底侧
[0082]502a～502g:垂直板
[0083]504:护圈
[0084]506:护圈
[0085]508:前边缘
[0086]510:前边缘
[0087]512:安装板
[0088]514a～514c:槽
[0089]516a～516f:缝隙
[0090]620:壳体
[0091]621:水平流动段
[0092]622:顶侧
[0093]623:垂直流动段
[0094]624:前侧
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【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种处理半导体基板的系统，其特征在于，该系统包含：一处理腔室；一暂存模块，用于在将一基板输送至该处理腔室之前分段该基板；一出入口，在该处理腔室与该暂存模块之间，该基板经由该出入口在该暂存模块与该处理腔室之间传递；一气流稳定器，定位于邻近该出入口，该气流稳定器包括：一水平流动段；及一垂直流动段。2.根据权利要求1所述的系统，其特征在于，其进一步包含一气流接收器，定位于该出入口的与该气流稳定器所位于的一侧相对的一侧上，该气流接收器包括一垂直流动段及一水平流动段。3.根据权利要求2所述的系统，其特征在于，该气流稳定器定位于该出入口之上，而该气流接收器定位于该出入口之下。4.根据权利要求3所述的系统，其特征在于，该气流稳定器附接至该暂存模块的一壁，且该气流接收器附接至该暂存模块的一壁。5.根据权利要求2所述的系统，其特征在于，其进一步包含与该气流接收器流体连通的一真空源。6.根据权利要求1所述的系统，其特征在于，其进一步包含与该气流稳定器流体连通的一惰性气体源。7.根据权利要求1所述的系统，其特征在于，该腔室是用于对该基板进行一热退火的一腔室。8.一种处理半导体基板的方法，其特征在于，其包含以下步骤：经由一惰性气流稳定器的一水平流动段传递一惰性气体...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨胜钧，黄柏智，郑智龙，林艺民，廖侦皓，鍾旻成，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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