一种等离子蚀刻清洗工艺制造技术

本发明专利技术涉及半导体技术领域，尤其涉及一种等离子蚀刻清洗工艺，包括以下步骤：S1、蚀刻前准备；S2、双腔道独立喷气；S3、蚀刻清洗；S4、排气。等离子蚀刻清洗工艺采用的装置包括：蚀刻腔体；基台；喷气机构，由进气管和喷气盘组成，进气管内部具有同轴设置的第一进气腔道和第二进气腔道，喷气盘内部具有匀气腔，匀气腔内部设置有螺旋匀气管，螺旋匀气管底部均匀连接有若干第一喷气管，喷气盘底部连接有与第一喷气管一一对应的第二喷气管；供气系统；排气机构。本发明专利技术能够有效增大气体喷射范围，同时不同反应气体之间在不同的喷射点位能够实现同步喷射，有效提高了反应气体分散均匀性，进而保证了激发等离子的均匀分布，提高了蚀刻质量。量。量。

【技术实现步骤摘要】
一种等离子蚀刻清洗工艺


[0001]本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种等离子蚀刻清洗工艺。

技术介绍

[0002]在半导体工艺应用上，经常针对半导体晶圆进行等离子蚀刻的处理。等离子蚀刻，其原理是暴露在电子区域的气体形成等离子体，由此产生的电离气体和释放高能电子组成的气体，从而形成了等离子或离子，电离气体原子通过电场加速时，会释放足够的力量与表面驱逐力紧紧粘合材料或蚀刻表面。某种程度来讲，等离子清洗实质上是等离子体蚀刻的一种较轻微的情况。
[0003]现有的等离子蚀刻工艺在喷气过程中，通常是通过具有八字型扩散喷头的喷气装置来喷射加工气体，喷气时将喷头对准基片即可。然而，这种喷气装置在喷气过程中，气体在扩散喷头的边缘是呈一定斜角喷射而出，其喷射范围并不能覆盖加工腔室，同时单点扩散式的喷射方式将会使加工气体集中在中央区域，激发产生的等离子体也将密集分布在中央区域，从而导致等离子体分布不均衡，影响蚀刻质量。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于提供一种等离子蚀刻清洗工艺，旨在解决上述技术问题。
[000本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种等离子蚀刻清洗工艺，其特征在于，所述等离子蚀刻清洗工艺采用的装置包括：蚀刻腔体（1），由圆筒型腔体部（11）、封闭腔体部（11）顶端的顶板（12）以及承托在腔体部（11）底端的底板（13）组成，所述顶板（12）上设置有上电极（121）；基台（2），同轴设置在蚀刻腔体（1）内部，用以承置基片，所述基台（2）和上电极（121）分别与交流射频电源（3）相连接；喷气机构（4），由贯穿顶板（12）设置的进气管（41）和连接在进气管（41）底部的喷气盘（42）组成，所述进气管（41）内部具有同轴设置的第一进气腔道（411）和第二进气腔道（412），所述喷气盘（42）内部具有匀气腔（421），所述匀气腔（421）内部设置有螺旋匀气管（43），所述螺旋匀气管（43）底部均匀连接有若干第一喷气管（44），所述喷气盘（42）底部连接有与第一喷气管（44）一一对应的第二喷气管（45），所述第二喷气管（45）与匀气腔（421）相连通且所述第二喷气管（45）同轴设置在第一喷气管（44）外侧，所述第一喷气管（44）用以喷射第一进气腔道（411）内的反应气体，所述第二喷气管（45）用以喷射第二进气腔道（412）内的反应气体；供气系统（5），由第一反应气体供气源（51）和第二反应气体供气源（52）组成，所述第一反应气体供气源（51）通过供气管道与第一进气腔道（411）相连通，所述第二反应气体供气源（52）通过供气管道与第二进气腔道（412）相连通；排气机构（6），由上排气板（61）、下排气板（62）、调节挡板（63）以及排气泵组成，用以排出残余物质；所述等离子蚀刻清洗工艺包括以下步骤：S1、蚀刻前准备：将基片放置在基台（2）上端，同时将上电极（121）和基台（2）分别与交流射频电源（3）接通；S2、双腔道独立喷气：第一反应气体供气源（51）通过供气管道向第一进气腔道（411）泵入反应气体，由第一喷气管（44）均匀喷射该反应气体，第二反应气体供气源（52）通过供气管道向第二进气腔道（412）泵入另一反应气体，由第二喷气管（45）均匀喷射该反应气体；S3、蚀刻清洗：两种反应气体在蚀刻加工区域均匀混合，经耦合辉光放电，产生高密度等离子体并轰击在基片表面，进行蚀刻清洗过程；S4、排...

【专利技术属性】
技术研发人员：熊志红，朱峰，郑思温，
申请(专利权)人：深圳仕上电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：