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本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种等离子蚀刻清洗工艺，包括以下步骤：S1、蚀刻前准备；S2、双腔道独立喷气；S3、蚀刻清洗；S4、排气。等离子蚀刻清洗工艺采用的装置包括：蚀刻腔体；基台；喷气机构，由进气管和喷气盘组成，进气管内部具有同轴...
该专利属于深圳仕上电子科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳仕上电子科技有限公司授权不得商用。

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