一种晶圆用高温药液清洗蚀刻设备及清洗蚀刻方法技术

本发明专利技术公开了一种晶圆用高温药液清洗蚀刻设备，包括密闭腔室，密闭腔室的两侧具有排气通道；晶圆放置台设于密闭腔室内，晶圆放置台上设有卡爪；背面高温药液喷嘴从晶圆放置台下方往上伸出至晶圆背面的下方；表面保温件可升降的设置在晶圆的上方，表面保温件上设有入口；背部保温件可升降的设置在晶圆的下方；正面高温药液喷嘴可移动的设置在晶圆放置台的四周；清洗喷嘴设置在表面保温件内并指向晶圆，本发明专利技术还公开了一种晶圆用高温药液清洗蚀刻设备的清洗蚀刻方法，本发明专利技术通过可升降设置在晶圆上方和下方的表面保温件和背面保温件以及三个正面高温药液喷嘴并利用导流组件对气流导向，确保药液处于高温范围内，提升晶圆上表面内的蚀刻率均匀性。上表面内的蚀刻率均匀性。上表面内的蚀刻率均匀性。

【技术实现步骤摘要】
一种晶圆用高温药液清洗蚀刻设备及清洗蚀刻方法


[0001]本专利技术属于晶圆高温药液清洗蚀刻
，尤其涉及一种晶圆用高温药液清洗蚀刻设备及清洗蚀刻方法。

技术介绍

[0002]晶圆是指制作硅半导体电路所用的硅晶片，其原始材料是硅，晶圆的在电子和半导体领域应用广泛。
[0003]晶圆在生产过程中需要经过多步工序，其中在晶圆上进行清洗蚀刻为一个重要的工艺，目前在对晶圆进行清洗蚀刻时，需要利用到高温药液晶圆进行清洗蚀刻，但是在实际的使用中发现，当高温药液被供应到晶圆上时，晶圆上的高温药液在基底上流动并被排出，同时高温药液温度逐渐降低，随着温度的降低，蚀刻率和化学溶液的其它特性也会降低，从而导致晶圆上表面内的蚀刻率等不均匀，给晶圆的实际生产带来了诸多不利的影响。

技术实现思路

[0004]本专利技术目的是为了克服现有技术的不足而提供一种能够确保高温药液在对晶圆清洗蚀刻时的空间相对密闭，从而使得高温药液在晶圆上的温度保持相对稳定，减少了热量损失，提升晶圆清洗蚀刻效率和效果的晶圆用高温药液清洗蚀刻设备及清洗蚀刻方法。
[本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶圆用高温药液清洗蚀刻设备，其特征在于，包括：密闭腔室，所述密闭腔室的两侧具有排气口朝上设置的排气通道；晶圆放置台，设于所述密闭腔室内，且，所述晶圆放置台上设有用于夹持晶圆的卡爪；背面高温药液喷嘴，从所述晶圆放置台下方往上伸出至所述卡爪上的晶圆背面的下方，用于对晶圆的背面进行高温药液喷洗；表面保温件，可上下升降的设置在晶圆的上方，用于对晶圆的上方进行保温，所述表面保温件上设有多个用于正面高温药液喷嘴进入的入口；背部保温件，可升降的设置在所述晶圆放置台上并位于晶圆的下方，用于对晶圆的背面进行保温；至少一个正面高温药液喷嘴，可移动的设置在所述晶圆放置台的四周，所述正面高温药液喷嘴用于移动至入口处后将高温药液喷至晶圆的上表面；至少一个清洗喷嘴，设置在所述表面保温件内并指向晶圆。2.如权利要求1所述的晶圆用高温药液清洗蚀刻设备，其特征在于，还包括一个用于引导气流方向的导流组件，所述导流组件包括：移动密封块，可升降的设置在所述排气通道上方的出气口处；上引流罩，可上下升降的设置在表面保温件和承载台之间，且上引流罩可将晶圆的周向包围，其中，当上引流罩抵触在所述表面保温件上时将气流引导至排气通道的出气口处；下引流罩，可上下升降的抵触在所述上...

【专利技术属性】
技术研发人员：余涛，庞金元，
申请(专利权)人：若名芯半导体科技苏州有限公司，
类型：发明
国别省市：