一种高密度清洗设备制造技术

本发明专利技术公开了一种高密度清洗设备，该设备中设置有用于传送基板的清洗通道；清洗通道沿传送方向包括依次连接的液洗段和干燥段；在液洗段设置有液洗组件，在干燥段设置有干燥组件和导流组件；干燥组件被配置为，输出用于干燥基板的第一气流；第一气流的输出方向与基板的传送平面之间呈第一夹角，第一夹角为锐角；第一气流在基板上形成干燥作用区，以干燥液洗组件在基板表面产生的液体；导流组件被配置为，输出用于引导第一气流方向的第二气流；第二气流与第一气流相交，以增加干燥作用区的宽度和/或干燥作用区气流对基板表面液体的剪切应力。本发明专利技术的高密度清洗设备能够增强对基板表面的干燥效率，降低了Open类不良的发生率。降低了Open类不良的发生率。降低了Open类不良的发生率。

【技术实现步骤摘要】
一种高密度清洗设备


[0001]本专利技术涉及显示面板制造
，尤其涉及一种高密度清洗设备。

技术介绍

[0002]TFT
‑
LCD(Thin film transistor liquid crystal display，薄膜晶体管液晶显示器)具有低成本、低功耗、低辐射、寿命周期长等优点，也是当前大尺寸显示面板的主流。TFT基板为由TFT阵列排布在玻璃基板上的阵列基板，是显示面板的关键部件，用于控制液晶分子的偏转，从而控制显示面板各子像素的色彩和亮度。TFT基板制作工艺包含基板清洗工艺、Sputter(溅射)成膜工艺、CVD(Chemical Vapor Deposition，化学气相沉积)成膜工艺、光刻胶涂布工艺、曝光工艺、显影工艺、湿刻工艺、干刻工艺、剥离工艺、退火工艺以及检测和维修等。随着产品的不断迭代，TFT
‑
LCD的工艺要求越来越高，尤其是大世代线大尺寸面板。基板清洗工艺是由高密度清洗设备(High density cleaner，HDC)完成，HDC主要通过AP plasma(等离子清洗)、毛刷、高压二流体等对基板表面的有机物和微粒进行清洗，并通过HDC的干燥装置风刀(Air knife，AK)对基板进行干燥。工厂一般会将HDC与Sputter成膜设备连接在一起，形成一条生产线，可以节约成本以及减少基板搬送过程中的污染。
[0003]但是，目前发现通过HDC的基板进入到Sputter成膜阶段时，容易发生成膜异常，制造的TFT基板Open类不良的发生率较高，严重影响了产品良率和产能的提升。

技术实现思路

[0004]鉴于上述问题，本专利技术提出了一种高密度清洗设备，其中增加的导流组件增加了干燥作用区的宽度和/或干燥作用区气流对基板表面液体的剪切应力，从而增强对基板表面的干燥效率，降低了Open类不良的发生率。
[0005]第一方面，本申请通过一实施例提供如下技术方案：
[0006]一种高密度清洗设备，设置有用于传送基板的清洗通道；所述清洗通道沿传送方向包括依次连接的液洗段和干燥段；在所述液洗段设置有液洗组件，在所述干燥段设置有干燥组件和导流组件；所述干燥组件被配置为，输出用于干燥所述基板的第一气流；所述第一气流的输出方向与所述基板的传送平面之间呈第一夹角，所述第一夹角为锐角；所述第一气流在所述基板上形成干燥作用区，以干燥所述液洗组件在所述基板表面产生的液体；所述导流组件被配置为，输出用于引导所述第一气流方向的第二气流；所述第二气流与第一气流相交，以增加所述干燥作用区的宽度，和/或所述干燥作用区气流对基板表面液体的剪切应力。
[0007]可选的，所述导流组件包括送风单元；所述送风单元用于产生所述第二气流。
[0008]可选的，所述导流组件还包括导流板；所述导流板设置在所述送风单元出风口下方，并与所述送风单元之间形成具有导流出口的导流腔室；
[0009]所述导流腔室用于汇聚所述第二气流以从所述导流出口输出，所述第二气流从所述导流出口输出的方向与所述基板的传送平面之间呈第二夹角，所述第二夹角为锐角。
[0010]可选的，所述第二夹角大于所述第一夹角。
[0011]可选的，所述送风单元输出的所述第二气流的流速为0.38m/s～0.52m/s。
[0012]可选的，高密度清洗设备还包括：排气组件；所述排气组件设置在所述清洗通道外，所述排气组件与所述清洗通道的干燥段连通，以将所述干燥段中干燥所述基板后产生的气流排出。
[0013]可选的，所述清洗通道的干燥段的侧壁至少设置有第一连接孔和第二连接孔，所述排气组件通过所述第一连接孔和所述第二连接孔与所述清洗通道的干燥段连通；所述第一连接孔和所述第二连接孔分别位于沿所述传送方向，且垂直于所述传送平面的两个侧壁，所述第一连接孔和所述第二连接孔均位于所述基板正面朝向的一侧，所述基板的正面为用于制造膜层的一面。
[0014]可选的，所述液洗组件包括液切清洗组件和高压二流体液洗组件；所述液切清洗组件设置在所述导流组件和所述高压二流体液洗组件之间。
[0015]可选的，所述干燥组件包括条形的风刀干燥组件；所述风刀干燥组件与所述传送方向之间的夹角范围为72
°
～76
°
。
[0016]可选的，所述风刀干燥组件为双风刀干燥组件，所述双风刀干燥组件用于同时输出并行的两道所述第一气流。
[0017]可选的，所述第一夹角的范围为31
°
～33
°
。
[0018]本专利技术实施例中提供的一种高密度清洗设备，设置有用于传送基板的清洗通道；清洗通道沿传送方向包括依次连接的液洗段和干燥段；在液洗段设置有液洗组件，在干燥段设置有干燥组件，并在干燥段增加导流组件。其中，干燥组件被配置为，输出用于干燥所述基板的第一气流；第一气流的输出方向与基板的传送平面之间呈第一夹角，第一夹角为锐角；第一气流在基板上形成干燥作用区，以干燥液洗组件在基板表面产生的液体；导流组件被配置为输出用于引导第一气流方向的第二气流；第二气流与第一气流相交，以增加干燥作用区的宽度和/或干燥作用区气流对基板表面液体的剪切应力，从而增强对基板表面的干燥效率，降低了Open类不良的发生率。
[0019]上述说明仅是本专利技术技术方案的概述，为了能够更清楚了解本专利技术的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本专利技术的上述和其它目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举本专利技术的具体实施方式。
附图说明
[0020]为了更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0021]图1为本专利技术实施例中示出的具有残留水膜的基板的结构示意图；
[0022]图2为本专利技术实施例中示出的无可见水膜的基板的结构示意图；
[0023]图3为本专利技术实施例中示出的高密度清洗设备水平切面的组件位置结构示意图；
[0024]图4为本专利技术实施例中示出的高密度清洗设备纵切面的组件位置结构示意图；
[0025]图5为本专利技术实施例中第二水洗组件为普通水洗组件的清洗范围示意图；
[0026]图6为本专利技术实施例中第二水洗组件为液切清洗组件的清洗范围示意图；
[0027]图7为本专利技术实施例中第一气流的流向示意图；
[0028]图8为本专利技术实施例中第二气流开启前后干燥原理对比示意图；
[0029]图9为本专利技术实施例中干燥段的导流组件和干燥组件的位置关系示意图；
[0030]图10为本专利技术实施例中送风单元和导流板之间的位置关系示意图；
[0031]图11为本专利技术实施例中排气组件的结构示意图；
[0032]图12为本专利技术实施例中干燥组件的角度关系示意图；
[0033]图13为本专利技术实施本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高密度清洗设备，其特征在于，设置有用于传送基板的清洗通道；所述清洗通道沿传送方向包括依次连接的液洗段和干燥段；在所述液洗段设置有液洗组件，在所述干燥段设置有干燥组件和导流组件；所述干燥组件被配置为，输出用于干燥所述基板的第一气流；所述第一气流的输出方向与所述基板的传送平面之间呈第一夹角，所述第一夹角为锐角；所述第一气流在所述基板上形成干燥作用区，以干燥所述液洗组件在所述基板表面产生的液体；所述导流组件被配置为，输出用于引导所述第一气流方向的第二气流；所述第二气流与第一气流相交，以增加所述干燥作用区的宽度，和/或所述干燥作用区气流对基板表面液体的剪切应力。2.根据权利要求1所述的高密度清洗设备，其特征在于，所述导流组件包括送风单元；所述送风单元用于产生所述第二气流。3.根据权利要求2所述的高密度清洗设备，其特征在于，所述导流组件还包括导流板；所述导流板设置在所述送风单元出风口下方，并与所述送风单元之间形成具有导流出口的导流腔室；所述导流腔室用于汇聚所述第二气流以从所述导流出口输出，所述第二气流从所述导流出口输出的方向与所述基板的传送平面之间呈第二夹角，所述第二夹角为锐角。4.根据权利要求3所述的高密度清洗设备，其特征在于，所述第二夹角大于所述第一夹角。5.根据权利要求2所述的高密度清洗设备，其特征在于，所述送风单元输出的所述第二气流的流速为0.38m/s～0.52m/s。6.根据权利要求1或2...

【专利技术属性】
技术研发人员：邵良武，张福刚，张勋泽，凌龙兴，杨昊，王召波，
申请(专利权)人：武汉京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：