本揭露提供一种基材接合设备、基材处理设备及其系统。基材接合设备包含流体冷却模块与用于基材内的多个区域(例如二或更多个区域)侦测温度的感测器模块。根据本揭露，基材接合设备实现了基材中的温度稳定。基材接合设备更通过减少变形残留物、减少在基材...

一种晶粒与三维元件结构，晶粒包括半导体基板、互连结构以及第一硅通孔结构。互连结构设置于半导体基板上且包括金属间介电层、嵌入于金属间介电层中的金属特征与第一保护环结构。第一保护环结构包括延伸通过金属间介电层的至少一子集的同心的第一与第二保...

本揭露提供一种记忆体装置及其制造方法。记忆体装置包含在装置的记忆体区域及逻辑区域二者内的晶体管元件。在记忆体区域内的晶体管元件包含侧壁间隙壁，其具有在栅极结构的侧表面上的第一氧化层、在第一氧化层上的第一氮化层、在第一氮化层上的第二氧化层...

一种集成电路和其制造方法、以及在集成电路中的电路单元，集成电路包括在第一连接层中的多个水平导线、低于第一连接层的多个栅极导体、低于第一连接层的多个端子导体、以及导孔连接器其将多个水平导线中的一者与多个栅极导体中的一者或与多个端子导体中的...

一种半导体装置和制造半导体装置的方法，一个实施方式包括一种装置，此装置包括从基板延伸的第一鳍片。此装置也包括第一栅极堆叠其在第一鳍片上方并且沿着第一鳍片的侧壁。此装置也包括第一栅极间隔物其沿着第一栅极堆叠的侧壁而设置。此装置也包括第一源...

一种基本布局单元、布局方法和非暂时性计算机可读媒体。一基本布局单元包括金属层区域、布置在金属层区域上方的导电栅极图案、氧化物定义(OD)图案、氧化物定义(金属零)图案上方的金属零层、至少一个切割金属层(CMD)图案及至少一个通孔区域。该...

一种像素阵列及其形成方法，在一些实施中，一种像素阵列可包括用于像素阵列的可见光像素感测器的一近红外截止滤光层。近红外截止滤光层包括于像素阵列中，以吸收或反射近红外光以使这些可见光像素感测器减少由这些可见光像素感测器吸收的近红外光的量。此...

一种倍缩光罩外壳及其处置方法，倍缩光罩外壳包括：包括一第一表面的一基座；一盖，该盖包括一第二表面且安置于该基座上，其中该基座及该盖在之间形成一内部空间以包括一倍缩光罩；及一弹性体或凝胶材料层，该弹性体或凝胶材料层安置于该第一表面及该第二...

一种半导体封装结构及其形成方法，半导体封装结构包括第一晶粒、设置在第一晶粒上的第二晶粒及接合垫结构。第一晶粒包括半导体基材、设置在第一半导体基材上的互连结构、设置在互连结构上的钝化层及设置在钝化层上的测试垫。测试垫包括延伸穿过钝化层且电...

一种电子装置、传输系统及传输方法，电子装置包含多个通道及多个处理节点。每个处理节点包括耦合到通道的输入/输出(I/O)端口及耦合到I/O端口的通道控制模块。每个处理节点经配置为：通过第一操作中的通道控制模块选择I/O端口的第一I/O端口...

一种操作极紫外光微影系统的方法，微影系统利用锡滴产生用于微影的极紫外辐射。微影系统用激光照射液滴。液滴经激励且发出极紫外辐射。收集器将极紫外辐射反射至微影靶。微影系统将液滴源与氧化剂隔离以防止喷嘴氧化或在喷嘴上形成金属氧化物，这两者皆会...

一种电浆蚀刻系统以及电浆蚀刻方法，电浆蚀刻系统在一电浆蚀刻腔室中在一晶圆上方产生一电浆。该晶圆由一聚焦环包围。电浆蚀刻系统透过在该聚焦环上方产生一补充电场来拉直该聚焦环上方的一电浆鞘。该聚焦环上方的一电浆鞘。该聚焦环上方的一电浆鞘。

一种半导体元件及其形成方法，形成方法包含在一基板上形成二维半导体材料层；形成源/漏极电极以覆盖二维半导体材料层的相对两端，并暴露二维半导体材料层的一部分；通过物理沉积制程在二维半导体材料层的部分上方形成第一栅极介电层；通过化学沉积制程在...

一种用于制造半导体的设备和用于保持激光功率及降低激光功率衰减的方法用以防止观测到的功率放大器的长期能量衰减并且相应地延长采用这些功率放大器的二氧化碳激光的使用寿命，在操作或周期性维护期间自外部管线供应掺杂氢气的混合气体，以便高效地移除随...

一种测试结构、半导体元件及其形成方法，半导体元件包括记忆体单元元件阵列的记忆体区及包括测试记忆体单元结构的测试区。测试记忆体单元结构包括在基材的第一凸起部分上的第一栅极堆叠、邻近于第一凸起部分且在基材的第一凸起部分与第二凸起部分之间的一...

一种用于制造半导体装置的方法和系统，用于制造半导体装置的方法包括于基板上方形成包含光阻剂组合物的光阻层，以形成光阻剂涂布基板。光阻层选择性地曝光于光化辐射中以在光阻层中形成潜伏图案。通过施加一显影剂至该经选择性曝光光阻层来显影该潜伏图案...

一种半导体装置及其形成方法，特别是一种用于制造用于高压击穿防御的深沟槽电容器熔丝的装置及方法。半导体装置包含深沟槽电容器结构及晶体管结构。晶体管结构可包含基极、形成于基极内的第一端子、及形成于基极内的第二端子。第一端子及第二端子可通过掺...

实施例包括一种半导体装置、晶体管、以及形成半导体装置的方法，诸如包括第一纳米结构的纳米FET晶体管。栅极介电质在第一纳米结构周围形成。栅极电极在栅极介电质上方形成，并且栅极电极包括第一功函数金属。在栅极电极中，由于在形成第一功函数金属之...

一种三维装置结构，包括晶粒，该晶粒包括半导体基板、设置在半导体基板上的互连结构、延伸穿过半导体基板且电接触互连结构的金属特征的硅穿孔结构及嵌入半导体基板中且电性连接至硅穿孔结构的集成被动元件。连接至硅穿孔结构的集成被动元件。连接至硅穿孔...

一种半导体装置、其操作方法及其制造方法，制造半导体装置的方法包括形成具有第一受保护电路的半导体基板，及在第一受保护电路周围形成第一保护环，包括：形成用以提供第一参考电压的第一壁；及形成用以提供不同于第一参考电压的第二参考电压的第二壁。此...