一种半导体装置、其操作方法及其制造方法，制造半导体装置的方法包括形成具有第一受保护电路的半导体基板，及在第一受保护电路周围形成第一保护环，包括：形成用以提供第一参考电压的第一壁；及形成用以提供不同于第一参考电压的第二参考电压的第二壁。此外，一种半导体装置及操作半导体装置的方法亦在此揭露。导体装置及操作半导体装置的方法亦在此揭露。导体装置及操作半导体装置的方法亦在此揭露。
【技术实现步骤摘要】
半导体装置、其操作方法及其制造方法
[0001]本揭示内容是关于一种半导体装置、操作半导体装置的方法及制造半导体装置的方法。
技术介绍
[0002]集成电路(integrated circuit，IC)包括一或多个半导体装置。表示半导体装置的一种方式是使用称为布局图的平面图。布局图在设计规则的上下文中产生。设计规则集合对布局图中相应图案的置放施加约束，例如，地理/空间限制、连接性限制、或类似者。通常，设计规则集合包括与相邻或抵接单元中图案之间的间距及其他交互有关的设计规则子集，其中图案表示金属化层中的导体。
[0003]通常，设计规则集合特定于制程/技术节点，半导体装置将通过该制程/技术节点根据布局图制造。设计规则集合补偿相应制程/技术节点的变异性。这种补偿提高由布局图产生的实际半导体装置将是布局图所基于的虚拟装置的可接受的对等部分的可能性。
技术实现思路
[0004]本揭示内容包含一种制造半导体装置的方法。方法包含：形成具有一第一受保护电路的一半导体基板；及在第一受保护电路周围形成一第一保护环，包括：形成用以提供一第一参考电压的一第一壁；及形成用以提供不同于第一参考电压的一第二参考电压的一第二壁。
[0005]本揭示内容包含一种操作半导体装置的方法。半导体装置包括在一第一受保护电路周围的一第一保护环，第一保护环包括一第一壁及一第二壁，方法包含：用一第一参考电压偏压第一保护环的第一壁；及用不同于第一参考电压的一第二参考电压偏压第一保护环的第二壁。
[0006]本揭示内容包含一种半导体装置。半导体装置包含：具有一第一受保护电路的一半导体基板；及在第一受保护电路周围的一第一保护环，第一保护环包括：用以提供一第一参考电压的一第一壁；及用以提供不同于第一参考电压的一第二参考电压的一第二壁。
附图说明
[0007]本揭示内容的态样在与随附附图一起研读时自以下详细描述内容来最佳地理解。应注意，根据行业中的标准规范，各种特征未按比例绘制。实际上，各种特征的尺寸可为了论述清楚经任意地增大或减小。
[0008]图1是根据至少一些实施例的半导体装置的方块图；
[0009]图2是根据至少一些实施例的半导体装置的方块图；
[0010]图3是根据一些实施例的表示半导体装置的双架构相容布局图的横截面；
[0011]图4是根据一些实施例的表示半导体装置的布局图的横截面图；
[0012]图5是根据一些实施例的表示半导体装置的布局图的横截面图；
[0013]图6是根据一些实施例的半导体装置的方块图；
[0014]图7是根据一些实施例的半导体装置的方块图；
[0015]图8是根据一些实施例的半导体装置的方块图；
[0016]图9是根据一些实施例的制造半导体装置的方法的流程图；
[0017]图10A是根据一些实施例的产生布局图的方法的流程图；
[0018]图10B是根据一些实施例的产生布局图的方法的流程图；
[0019]图10C是根据一些实施例的制造半导体装置的方法的流程图；
[0020]图10D是根据一些实施例的操作半导体装置的流程图；
[0021]图11是根据一些实施例的电子设计自动化(electronic design automation，EDA)系统的方块图；
[0022]图12是根据一些实施例的集成电路(integrated circuit，IC)制造系统、及与的相关联的IC制造流程的方块图。
[0023]【符号说明】
[0024]100:半导体装置
[0025]102:巨集
[0026]104:区域
[0027]200:半导体装置
[0028]202:半导体基板
[0029]204、206、208、210、212、214、216、218:电路
[0030]222、224、226、228、230、236、238、240、244、246:保护环
[0031]220、232、234、242:节点
[0032]300:布局图
[0033]304:非埋入式电网(非BPG)
[0034]306:埋入式电网(BPG)
[0035]308:半导体基板
[0036]309、334、335、351、353、355、357:通孔塔
[0037]310、312、314、316、318、320、322、324、326、328:区段
[0038]311、313、315、317、319、329、336、338、344、346、359、361:导体
[0039]321、333:通孔(或通孔条)
[0040]330、332:受保护电路
[0041]331、340、342:通孔塔
[0042]350:保护环
[0043]400:布局图
[0044]500:布局图
[0045]600:布局图
[0046]602、604、606、608:受保护电路
[0047]610、612、614:保护环
[0048]700:半导体装置
[0049]702、704:受保护电路
[0050]710、712:保护环
[0051]800:半导体装置
[0052]802、804、806:受保护电路
[0053]810、812、814:保护环
[0054]830、832、834、836、838、840、842、844、846、848:壁
[0055]900:方法
[0056]902、904:方块
[0057]1000:方法
[0058]1002、1004、1006、1008、1010、1012、1014、1016、1018、1020:方块
[0059]1100:系统
[0060]1102:处理器
[0061]1104:储存媒体
[0062]1106:计算机程序码
[0063]1107:标准单元库
[0064]1108:总线
[0065]1109:布局图
[0066]1110:输入/输出(I/O)接口
[0067]1112:网络接口
[0068]1114:网络
[0069]1142:使用者界面
[0070]1200:系统
[0071]1220:设计室
[0072]1222:IC设计布局图
[0073]1230:遮罩室
[0074]1232:数据准备
[0075]1244:遮罩制造
[0076]1245:遮罩
[0077]1250:晶圆厂
[0078]1252:制造工具
[0079]1253:半导体晶圆
[0080]1260:IC装置
具体实施方式
[0081]以下揭示内容提供用于实施所提供标的本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种制造一半导体装置的方法，其特征在于，该方法包含：形成具有一第一受保护电路的一半导体基板；及在该第一受保护电路周围形成一第一保护环，包括：形成用以提供一第一参考电压的一第一壁；及形成用以提供不同于该第一参考电压的一第二参考电压的一第二壁。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，该形成一第一保护环进一步包括：形成用以提供该第一参考电压的至少一第三壁。3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，进一步包含：在该半导体基板下面形成一埋入式电网；且其中该形成一第一保护环进一步包括：将该埋入式电网的一部分并入该第一保护环中。4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，进一步包含：在该半导体基板之上形成一非埋入式电网；且其中该形成一第一保护环进一步包括：将该非埋入式电网的一部分并入该第一保护环中。5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，进一步包含：形成一第二受保护电路；且其中：该形成一第一保护环进一步包括：在该第二受保护电路周围安置该第一保护环；该第一受保护电路是一晶体管驱动器阵列；且该第二受保护电路是一静电放电箝位电路阵列。6.一种操作一半导体装置的方法，其特征在于，该半导体装置包括在一第一受保护电路周围的一第一保护环，该第一保护环包括一第一壁及一第二壁，该方法包含：用一第一参...
【专利技术属性】
技术研发人员：许家维，陈柏廷，李介文，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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