一种沉积设备、沉积靶材结构及其方法，沉积设备包括：工艺腔室；晶圆支座，处于工艺腔室中；背板结构，具有在工艺腔室中面向晶圆支座的第一表面；靶材，具有面向第一表面的第二表面及面向晶圆支座的第三表面；及粘着结构，与背板结构及靶材实体接触。粘着...

一种半导体装置及其层对齐方法，半导体装置包括基于绕射的覆盖(DBO)标记，该基于绕射的覆盖标记具有设置在下层图案上的上层图案，且具有大于约5微米的最小尺寸。该装置进一步包括校正标记，该校正标记具有设置在下层图案上的上层图案，大体上定位在...

一种集成电路装置及其制造方法，集成电路装置包含彼此邻接且在基板上的第一及第二单元。第一单元包含沿着第一金属层中的多个轨道之中的第一轨道的第一输入/输出图案，多个轨道沿着第一轴伸长且沿着第二轴彼此间隔。第二单元包含沿着在第一金属层中的多个...

本揭示文件提供一种用于向电压调节器供电的电路以及供电方法。电压调节器电路具有电性耦接至输出驱动晶体管的栅极的输出，输出驱动晶体管具有电性耦接至电压源的第一端子以及电性耦接至分压器的第一端子的第二端子，分压器具有电性耦接至接地的第二端子，...

一种光罩与制造半导体制造的方法，光罩包含多个装置特征、第一辅助特征及第二辅助特征。装置特征在装置区域的图案化区域中。第一辅助特征在图案化区域中且相邻于装置特征。第一辅助特征用于校正光学微影术工艺中的光学近接性效应。第二辅助特征在装置区域...

一种晶片堆叠和三维集成装置结构及其形成方法，晶片堆叠包括：第一晶片，该第一晶片包括第一半导体基板；第二晶片，该第二晶片包括第二半导体基板；接合介电质结构，该接合介电质结构包括接合聚合物且接合该第一晶片及该第二晶片；接合互连结构，该接合互...

一种极紫外线微影设备及其使用方法，在微影设备的直接焦点附近提供遮门，以为了将设备的光源侧生成的锡碎屑自远离设备的扫描仪侧偏转并朝向碎屑收集装置移动。遮门的启动与光脉冲的生成同步，以不致阻挡光线进入扫描仪侧。侧。侧。

一种记忆体元件及其形成方法，一次性编程记忆体元件包含基板、第一晶体管、第二晶体管、第一字元线、第二字元线，和位元线。第一晶体管位于基板上，第一晶体管包含第一栅极结构，以及第一源/漏极区和第二源/漏极区，位于第一栅极结构的相对两侧。第二晶...

提供半导体结构及其形成方法。该半导体结构包括一基板、在该基板之上的一第一超晶格结构及一第二超晶格结构、围绕该第一超晶格结构及该第二超晶格结构中的每一者的一通道区的一栅极堆叠，及在该栅极堆叠的相对侧上的源极/漏极结构，所述源极/漏极结构接...

一种夹持环及沉积薄膜在工件上的系统与其方法，该夹持环包含：一本体，其中该本体具有一环状的圆形，且该本体包含一顶面、一底面、具有一内径D1的一内周缘与具有一外径D2的一外周缘；以及多个衬垫，等距地围绕该本体的该内周缘，每一所述衬垫从该本体...

一种用于制造半导体元件的系统及其集成电路图案化的方法，在对集成电路进行图案化的方法中，当设置于测试基板上的具有已知厚度的测试层经历倾斜角度电浆蚀刻时，接收测试层厚度变化数据。确定由倾斜角度电浆蚀刻引起的每个基板位置的重叠偏移数据。基于接...

揭示了一种集成电路结构及其制造方法，集成电路结构包括栅极、第一导电线及一对第二导电线及第一馈通孔。栅极设置于集成电路结构的正面，且在介电层的第一侧上沿第一方向延伸。第一导电线及一对第二导电线设置于介电层的与第一侧相对的第二侧上及集成电路...

本揭露关于一种处理半导体晶圆的方法及定位设备。用于改良一自动化物料搬运系统(AMHS)的效率的方法及系统包括提供一设备，该设备可操作地耦接至一处理设备的一装载端口，其中该设备用以自该装载端口移除一第一在制品且在一第二在制品沿着垂直于一第...

一种包括盖子的半导体封装，所述盖子具有位于盖子上及/或盖子内的一或多个热管，以提供改善的热管理。一种用于半导体封装的盖子，具有一或多个与盖子热整合的热管，可以为半导体封装提供更均匀的热损失、降低因过多热量积聚而损坏封装的风险以及可使盖子...

一种深沟槽电容器、半导体结构及其形成方法。在基板中形成深沟槽。在基板上方形成包括与至少两个节点介电层交错的至少三个金属电极层的层堆叠。层堆叠连续地延伸至深沟槽中，且在深沟槽的未填充容积中存在空腔。包括介电填充材料的介电填充材料层形成在空...

一种极紫外运输盒及释放极紫外罩幕静电的方法，极紫外(EUV)微影系统利用EUV运输盒的基底板自EUV扫描仪内的卡盘卸载EUV倍缩光罩。基底板包含顶表面及自顶表面延伸的支撑销。当倍缩光罩卸载至基底板上时，支撑销将倍缩光罩固持在距基底板的顶...

集成电路装置及其修改方法和形成方法，包括接收集成电路(IC)布局设计，其包括彼此邻接的第一电路单元和第二电路单元。第一电路单元包含第一IC部件，并且第二电路单元包含第二IC部件。当第一电路单元和第二电路单元邻接在一起时，确定第一IC部件...

一种半导体结构的制造方法包括：接收包括布局块的集成电路(IC)设计布局，布局块包括沿第一方向设置的多个第一线图案，延伸第一线图案的长度，连接第一线图案设置在小于预设值的距离内的多个部分，形成设置在布局块之外且平行于第一线图案的多个第二线...

本公开涉及一种半导体装置的形成方法，本文所述的技术能以选择性方式为p型源极/漏极区域与n型源极/漏极区域形成相应(不同)类型的金属硅化物层。举例而言，可选择性地形成p型金属硅化物层在p型源极/漏极区域上方(例如，使得p型金属硅化物层不形...

此处公开一种具有不同栅极结构设置的半导体装置与其制作方法。方法包括形成鳍状结构于基板上；形成栅极开口于鳍状结构上；形成金属氧化物层于栅极开口中；形成第一介电层于金属氧化物层上，形成第二介电层于第一介电层上；形成功函数金属层于第二介电层上...