半导体装置及其层对齐方法制造方法及图纸

一种半导体装置及其层对齐方法，半导体装置包括基于绕射的覆盖(DBO)标记，该基于绕射的覆盖标记具有设置在下层图案上的上层图案，且具有大于约5微米的最小尺寸。该装置进一步包括校正标记，该校正标记具有设置在下层图案上的上层图案，大体上定位在该DBO标记的中心处，且具有该DBO标记的该最小尺寸的大小的小于约1/5的最小尺寸。于约1/5的最小尺寸。于约1/5的最小尺寸。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置及其层对齐方法


[0001]本揭露关于一种半导体装置及其层对齐方法。

技术介绍

[0002]半导体集成电路(integrated circuit，IC)工业已经历指数增长。IC材料及设计中的技术进步已产生IC的多个世代，其中每个世代具有相较于前一世代的较小及较复杂电路。在IC演化的过程中，功能密度(亦即，每晶片区域互连装置的数目)通常已增加，而几何形状大小(亦即，可使用制造工艺创造的最小组件(或接线))已减小。这个按比例缩小工艺通常通过提高生产效率及降低相关联的成本提供效益。这个按比例缩小亦已增加处理及制造IC的复杂性。

技术实现思路

[0003]根据本揭露的一些实施例，一种半导体装置包含：一基于绕射的覆盖(DBO)标记，其位于一第一位置处；以及一第一校正标记，其位于一第二位置处，该第二位置距该第一位置小于约1微米。
[0004]根据本揭露的一些实施例，一种半导体装置，包含：一基于绕射的覆盖(DBO)标记，其具有设置在一下层图案上的一上层图案，且具有大于约5微米的最小尺寸；以及一校正标记，其具有设置在一下层图案上的一上层图案，该校正标记大体上定位在该DBO标记的中心处，且具有小于约1/5该DBO标记的该最小尺寸的该大小的最小尺寸。
[0005]根据本揭露的一些实施例，一种半导体装置的层对齐方法包含：通过一基于绕射的覆盖(DBO)标记量测一第一材料层与一第二材料层之间的一第一覆盖；使用该第一材料层执行一蚀刻操作；在该蚀刻操作之后，通过距该DBO标记的中心小于1微米的一校正标记量测一第二覆盖；当该第二覆盖大于一临限值时，通过重新组配一第一DBO程序库形成一第二DBO程序库；以及使用具有小于该临限值的该第二覆盖的该第二DBO程序库执行一微影操作。
附图说明
[0006]本揭示案的态样当与随附附图一起阅读时，自以下详细描述更好地理解。应注意，根据工业中的标准实习，各种特征未按比例描绘。实际上，各种特征的尺寸可出于论述的清晰性而任意地增加或减小。
[0007]图1为根据本揭示案的实施例的微影扫描器的一部分的视图；
[0008]图2A至图5为根据本揭示案的各种态样的基于绕射的覆盖(diffraction
‑
based overlay，DBO)标记的视图；
[0009]图6至图7F为例示根据本揭示案的各种态样的混合DBO标记的视图；
[0010]图8为例示根据本揭示案的各种态样的将半导体装置的层对齐的方法的视图。
[0011]【符号说明】
[0012]10:系统
[0013]11:水平接线
[0014]11A～11F:水平接线
[0015]12:垂直接线
[0016]12A～12D:垂直接线
[0017]16:遮罩台
[0018]18:遮罩
[0019]22:半导体晶圆
[0020]24:基板台
[0021]30:投影光学器件模块/投影光学器件盒/POB
[0022]50:对齐区
[0023]60C、60P:校正标记
[0024]80:方法
[0025]120:光源
[0026]140:照明器
[0027]200:覆盖量测图案
[0028]213:范围
[0029]214:暗条带
[0030]216:亮条带
[0031]217:长度
[0032]219:高度
[0033]222:Y方向
[0034]224:X方向
[0035]232:间距
[0036]234:宽度
[0037]236:Z方向
[0038]300:下层基板
[0039]302:第二层
[0040]303:抗蚀剂材料层
[0041]304:第一层
[0042]306,308:覆盖量测图案
[0043]310A:负第一级绕射
[0044]310B:正第一级绕射
[0045]311:负第一级绕射
[0046]312A:负第一级绕射
[0047]312B:正第一级绕射
[0048]313:正第一级绕射
[0049]314:入射光束
[0050]320:光学系统
[0051]322:侦测器
[0052]326:光源
[0053]330:分析器模块
[0054]332:基板
[0055]402:覆盖移位距离
[0056]404:强度坐标
[0057]420:非对称函数/AS函数
[0058]422:斜率
[0059]500:覆盖量测图案
[0060]501:左上部分
[0061]502:右上部分
[0062]504:左下部分
[0063]505:右下部分
[0064]506,508:范围
[0065]501,502,504,505:部分
[0066]500,520,600:DBO标记
[0067]600D～600F:混合DBO标记
[0068]606:范围
[0069]608:范围
[0070]650:空间
[0071]700:区
[0072]710:主动区
[0073]720:主动区
[0074]730:栅极区
[0075]750:通孔区
[0076]800:操作
[0077]810:操作
[0078]820:操作
[0079]830:操作
[0080]840:操作
[0081]W
60
、H
60
:尺寸
具体实施方式
[0082]以下揭示内容提供用于实行所提供的主题的不同特征的许多不同实施例或实例。以下描述组件及配置的特定实例以简化本揭示案。当然，这些仅为实例且不欲为限制性的。例如，以下描述中的第二特征之上或第二特征上的第一特征的形成可包括其中第一特征及第二特征是直接接触地形成的实施例，且可亦包括其中额外特征可形成在第一特征与第二特征之间，使得第一特征及第二特征可不直接接触的实施例。另外，本揭示案可在各种实例中重复元件符号及/或字母。这个重复是出于简单性及清晰性的目的，且并不实质上规定所
论述的各种实施例及/或组态之间的关系。
[0083]此外，诸如“在
……
下方”、“在
……
以下”、“下”、“在
……
上方”、“上”等的空间相对术语可在本文中使用于便于描述，以描述如附图中所例示的一个元件或特征与另一元件(多个)或特征(多个)的关系。除附图中所描绘的取向之外，空间相对术语意欲涵盖使用或操作中的装置的不同取向。设备可以其他方式定向(旋转90度或以其他取向定向)且同样可据此解释本文所使用的空间相对描述符。
[0084]诸如本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，其特征在于，包含：一基于绕射的覆盖(DBO)标记，位于一第一位置处；以及一第一校正标记，位于一第二位置处，该第二位置距该第一位置小于约1微米。2.如权利要求1所述的装置，其特征在于，该第一校正标记位于该DBO标记的多个部分之间的一通道中。3.如权利要求1所述的装置，其特征在于，进一步包含：至少一个第二校正标记，位于该DBO标记的一周边上。4.如权利要求3所述的装置，其特征在于，该第一校正标记及该至少一个第二校正标记大体上对称地定位在该DBO标记的中心的周围。5.如权利要求4所述的装置，其特征在于，该至少一个第二校正标记定位在沿一第一方向延伸的多条第一接线及沿大体上垂直于该第一方向的一第二方向延伸的多条第二接线的交叉点处，且所述多条第一接线及所述多条第二接线侧向地包围该DBO标记及该第一校正标记。6.如权利要求1所述的装置，其特征在于，该第二位置距该第一位置小于约0.01微米。7.如权利要求1所述的装置，其特征在于，该第一校正标记的大...

【专利技术属性】
技术研发人员：简宏仲，杨智傑，洪浩肯，谢铭峯，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：