一种蚀刻装置及其方法，蚀刻方法包括形成内腔室于电浆处理装置的制程腔室中，内腔室具有的体积小于制程腔室。引入至少一气体进入内腔室中。测量至少一气体进入内腔室中的流量。调整至少一气体的流量至期望速率。在不形成内腔室时，通过至少一气体以期望速率处理晶圆。通过至少一气体以期望速率处理晶圆。通过至少一气体以期望速率处理晶圆。
【技术实现步骤摘要】
蚀刻装置及其方法
[0001]本揭露的一些实施方式是有关于一种蚀刻装置及其方法，特别是用于处理晶圆的蚀刻装置及其方法。
技术介绍
[0002]半导体集成电路(integrated circuit；IC)工业经历指数增长。IC材料与设计方面的技术进步已经产生几代的IC，其中每一代都比上一代具有更小、更复杂的电路。在IC发展过程中，功能密度(即每个晶片面积的互连元件数量)普遍增加，而几何尺寸(即，可以使用制造制程创建的最小组件(或线路))已减少。这种按照比例缩小的制程通常通过提高生产效率与降低相关的成本来提供益处。这种按照比例缩小更增加处理与制造IC的复杂性。
技术实现思路
[0003]在一些实施方式中，一种蚀刻方法包括形成内腔室于电浆处理装置的制程腔室中，内腔室具有的体积小于制程腔室。引入至少一气体进入内腔室中。测量至少一气体进入内腔室中的流量。调整至少一气体的流量至期望速率。在不形成内腔室时，通过至少一气体以期望速率处理晶圆。
[0004]在一些实施方式中，一种蚀刻方法包含通过上致动器，垂直地移动蚀刻装置的上部分从第一位置向下至第二位置。通过下致动器，垂直地移动蚀刻装置的下部分的密封环从第三位置向上至第四位置。当上部分位于第二位置且密封环位于第四位置时：引入至少一气体进入形成于上部分与密封环之间的内腔室中；测量内腔室的至少二压力；以及基于至少二压力，确定至少一气体的流速。当上部分位于第一位置且密封环位于第三位置时，在测量后处理晶圆。
[0005]在一些实施方式中，一种蚀刻装置包含制程腔室、静电夹持、密封环以及腔室限制组件。静电夹持位于制程腔室中。密封环位于制程腔室中且侧向围绕静电夹持。腔室限制组件配置以垂直移动密封环的位置，以在制程腔室中建立内腔室。
附图说明
[0006]本揭露的一些实施方式的态样在与随附附图一起研读时自以下详细描述内容来最佳地理解。应注意，根据行业中的标准惯例，各种特征未按比例绘制。实际上，各种特征的尺寸可为了论述清楚经任意地增大或减小。
[0007]图1与图2是根据本揭露的一些实施方式的蚀刻装置的示意图；
[0008]图3A至图3C是根据本揭露的一些实施方式的各方面的蚀刻装置的示意图；
[0009]图4A与图4B是根据本揭露的一些实施方式的各方面所绘示的处理晶圆的方法的示意图；
[0010]图5A至图6B是根据本揭露的一些实施方式的各方面所绘示的蚀刻装置的示意图。
[0011]【符号说明】
[0012]100:蚀刻装置
[0013]105:晶圆
[0014]110:制程腔室
[0015]112:上部分
[0016]113:上电极
[0017]114:下部分
[0018]115:内腔室
[0019]116:陶瓷框架
[0020]120:射频(RF)功率源
[0021]125:电浆
[0022]130:静电夹持
[0023]135:夹持电极
[0024]140:直流(DC)功率源
[0025]160:泵浦
[0026]170:上致动器
[0027]171:伺服马达
[0028]172:滚珠螺杆
[0029]173:伺服马达
[0030]174:滚珠螺杆
[0031]175:下致动器
[0032]176:升降板
[0033]177:垂直延伸
[0034]178:密封环
[0035]179:水平基底部分
[0036]180:光谱及/或电荷监测系统
[0037]190:保护涂层
[0038]300:小气流
[0039]310:气体源
[0040]320:流量验证单元
[0041]40:制程
[0042]400:操作
[0043]410:操作
[0044]420:操作
[0045]430:操作
[0046]440:操作
[0047]450:操作
[0048]460:操作
[0049]470:虚线
[0050]480A:点
[0051]480B:点
[0052]480C:点
[0053]480D:点
[0054]50:半导体元件
[0055]500:电浆增强蚀刻制程
[0056]510:半导体鳍片
[0057]521:栅极电极
[0058]522:栅极间隔
[0059]523:氧化层
[0060]524:硬遮罩
[0061]530:第一介电层
[0062]540:第二介电层
[0063]550:硬遮罩
[0064]560:覆盖氧化物层
[0065]570:保护层
[0066]580:虚线
[0067]t
i
:初始时间
[0068]t
f
:最终时间
[0069]t
m1
:时间
[0070]t
m2
:时间
[0071]t
m3
:时间
[0072]t
m4
:时间
[0073]P
m1
:压力
[0074]P
m2
:压力
[0075]P
m3
:压力
[0076]P
m4
:压力
[0077]W
REC1
:第一凹陷宽度
[0078]W
REC2
:第二凹陷宽度
[0079]W
OH1
:第一悬垂宽度
[0080]W
OH2
:第二悬垂宽度
[0081]H
HML1
:第一硬遮罩损失高度
[0082]H
HML2
:第二硬遮罩损失高度
[0083]X:轴(方向)
[0084]Z:轴(方向)
具体实施方式
[0085]以下揭露提供用于实施本揭露的一些实施方式或实例的不同特征。下文描述组件及配置的特定实例以简化本揭露的一些实施方式。当然，此等组件及配置仅为实例且并非意欲为限制性的。例如，在以下描述中第一特征于第二特征上方或上的形成可包括第一及
第二特征直接接触地形成的实施方式，且亦可包括附加特征可形成在第一特征与第二特征之间使得第一特征及第二特征可不直接接触的实施方式。此外，本揭露的一些实施方式在各种实例中可重复参考符号及/或字母。此重复是出于简单及清楚的目的，且本身并不指明所论述的各种实施方式及/或组态之间的关系。
[0086]进一步地，为方便描述可在本揭露的一些实施方式中使用空间上相对的术语，诸如“在
……
之下”、“在
……
下方”、“下面的”、“在
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【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种蚀刻方法，其特征在于，包含：形成一内腔室于一电浆处理装置的一制程腔室中，该内腔室具有的体积小于该制程腔室；引入至少一气体进入该内腔室中；测量该至少一气体进入该内腔室中的一流量；调整该至少一气体的该流量至一期望速率；以及在不形成该内腔室时，通过该至少一气体以该期望速率处理一晶圆。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，形成该内腔室包含：垂直地移动围绕一静电夹持的一密封环的一位置朝向该制程腔室的一上部分。3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，还包含：当该内腔室存在时，产生一电浆于该内腔室中；以及通过该内腔室外的一光谱及/或一电荷监测系统表征该电浆。4.一种蚀刻方法，其特征在于，包含：通过一上致动器，垂直地移动一蚀刻装置的一上部分从一第一位置向下至一第二位置；通过一下致动器，垂直地移动该蚀刻装置的一下部分的一密封圈从一第三位置向上至一第四位置；当该上部分位于该第二位置且该密封环位于该第四位置时：引入至少一气体进入形成于该上部分与该密封环之间的一内腔室中；测量该内腔室的至少二压力；以及基于该至少二压力，确定该至少一气体的流速；以及当该上部分位于该第一位置且该密封环位于该第三位置时...
【专利技术属性】
技术研发人员：廖柏亭，任勇彰，曾宗益，陈少墉，陈玺中，廖志腾，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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