半导体装置及其制造方法制造方法及图纸

一种半导体装置包括衬底、至少一个通孔、衬层和导电层。衬底包括电子电路。至少一个通孔穿过衬底。至少一个通孔在其侧壁上包括多个凹入部分。衬层填满至少一个通孔的多个凹入部分。导电层配置于至少一个通孔的侧壁上、覆盖衬层，并延伸至衬底表面上。至少一个通孔的侧壁上的导电层的厚度是变化的。壁上的导电层的厚度是变化的。壁上的导电层的厚度是变化的。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置及其制造方法


[0001]本专利技术实施例是涉及半导体装置及其制造方法。

技术介绍

[0002]半导体集成电路(IC)行业经历了指数级增长。IC材料和设计方面的技术进步已经产生了几代IC，其中每一代都比上一代具有更小、更复杂的电路。在IC发展过程中，功能密度(即每个芯片面积的互连装置数量)普遍增加，而几何尺寸(即，可以使用制造工艺创建的最小组件(或线路))已减少。通常，这种按比例缩小的过程通过提高生产效率和降低相关成本来提供好处。这种按比例缩小还增加了处理和制造IC的复杂性，为了实现这些进步，对IC处理和制造的发展进行了研究。

技术实现思路

[0003]根据本公开的一方面，一种半导体装置包括衬底、至少一个通孔、衬层和导电层。衬底包括电子电路。至少一个通孔穿过衬底。至少一个通孔在其侧壁上包括多个凹入部分。衬层填满至少一个通孔的多个凹入部分。导电层配置于至少一个通孔的侧壁上、覆盖衬层，并延伸至衬底表面上。至少一个通孔的侧壁上的导电层的厚度是变化的。
[0004]根据本公开的另一方面，一种半导体装置包括电路衬底、钝化本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，包括：衬底，包括电子电路；至少一个通孔，穿过所述衬底，其中所述至少一个通孔在其侧壁上包括多个凹入部分；衬层，填入所述至少一个通孔的所述多个凹入部分中；以及导电层，设置在所述至少一个通孔的侧壁上、覆盖所述衬层，并延伸到所述衬底的表面上，其中所述至少一个通孔的所述侧壁上的所述导电层的厚度是变化的。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述至少一个通孔具有下开口和上开口，所述上开口宽于所述下开口。3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中所述上开口具有倾斜且平滑的侧壁，并且所述多个凹入部分沿所述下开口的所述侧壁排列。4.根据权利要求2所述的半导体装置，其中在所述至少一个通孔的所述上开口的所述侧壁上的所述导电层的厚度小于在所述下开口的所述侧壁上的所述导电层的厚度。5.根据权利要求4所述的半导体装置，其中在所述上开口的所述侧壁上的所述导电层的厚度等于或小于在所述衬底的所述表面上的所述导电层的厚度。6.根据权利要求2所述的半导体装置，其中所述电子电路设置在所述至少一个...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨挺立，吕文雄，王肇仪，刘富维，古进誉，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：