记忆体装置及其制造半导体装置的方法制造方法及图纸

一种记忆体装置及其制造半导体装置的方法，记忆体装置包括第一记忆体单元。第一记忆体单元包括:沿横向延伸的第一导体结构；第一记忆体薄膜，其包括第一部分环绕第一导体结构的第一部分；及环绕第一记忆体薄膜的第一部分的第一半导体薄膜。第二导体结构沿垂直方向延伸并且沿横向耦接第一半导体薄膜的第一端部。第三导体结构沿垂直方向延伸并且沿横向耦接第一半导体薄膜的第二端部。第一半导体薄膜的第二端部。第一半导体薄膜的第二端部。

【技术实现步骤摘要】
记忆体装置及其制造半导体装置的方法


[0001]本揭露为关于一种记忆体装置及其制造半导体装置的方法，特别是关于一种具有环绕字线的记忆体装置及其制造半导体装置的方法。

技术介绍

[0002]由于各种电子元件(例如晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度不断提高，半导体工业经历了快速成长。在多数情况下，集成密度的改进来自于最小特征尺寸的反复减小，其允许更多组件被整合到给定区域。

技术实现思路

[0003]于本揭露的一些实施方式中，提出一种记忆体装置，包括第一记忆体单元。第一记忆体单元包括第一导体结构、第一记忆体薄膜及第一半导体薄膜。第一导体结构沿横向延伸。第一记忆体薄膜包括第一部分环绕第一导体结构的第一部分。第一半导体薄膜环绕第一记忆体薄膜的第一部分。其中第二导体结构沿垂直方向延伸并且沿横向耦接第一半导体薄膜的第一端部；及第三导体结构沿垂直方向延伸并且沿横向耦接第一半导体薄膜的第二端部。
[0004]于本揭露的另一些实施方式中，提出一种记忆体装置，包括一种记忆体阵列。记忆体阵列包括彼此横向分开设置的多个记忆体串，这些记忆本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种记忆体装置，其特征在于，包括:一第一记忆体单元，包括:一第一导体结构，沿一横向延伸；一第一记忆体薄膜，包括一第一部分环绕该第一导体结构的一第一部分；及一第一半导体薄膜，环绕该第一记忆体薄膜的该第一部分；其中一第二导体结构沿一垂直方向延伸并且沿该横向耦接该第一半导体薄膜的一第一端部；及一第三导体结构沿该垂直方向延伸并且沿该横向耦接该第一半导体薄膜的一第二端部。2.根据权利要求1所述的记忆体装置，其特征在于，该第一记忆体薄膜包括一第二部分与该第一导体结构的一第二部分的一顶面及一底面接触。3.根据权利要求2所述的记忆体装置，其特征在于，该第一导体结构的该第二部分及该第一记忆体薄膜的该第二部分的各者延伸超出该第一半导体薄膜面向或背离该横向的一侧壁。4.根据权利要求1所述的记忆体装置，其特征在于，还包括一第二记忆体单元设置在该第一记忆体单元下方或上方，其中该第二记忆体单元包括:一第四导体结构，沿该横向延伸并且设置在该第一导体结构下方或上方；一第二记忆体薄膜，包括一第一部分环绕该第四导体结构的一第一部分；及一第二半导体薄膜，环绕该第二记忆体薄膜的该第一部分；其中该第二导体结构沿该横向耦接该第二半导体薄膜的一第一端部；及该第三导体结构沿该横向耦接该第二半导体薄膜的一第二端部。5.根据权利要求1所述的记忆体装置，其特征在于，还包括一第三记忆体单元设置横向邻近该第一记忆体单元，其中该第三记忆体单元包括:一第五导体结构，沿该横向延伸并且设置横向邻近该第一导体结构；一第三记忆体薄膜，包括一第一部分环绕该第五导体结构的一第一部分；及一第三半导体薄膜，环绕该第三记忆体薄膜的该第一部分；其中该第二导体结构沿该横向耦接该第三半导...

【专利技术属性】
技术研发人员：林孟汉，黄家恩，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：