半导体结构的制造方法技术

提供半导体结构的制造方法。根据本公开的范例性方法包含接收鳍状结构，鳍状结构包含第一通道区与第二通道区及第一虚设栅极结构与第二虚设栅极结构，第一虚设栅极结构与第二虚设栅极结构分别设置于第一通道区与第二通道区的上方。此方法也包含将第一虚设栅极结构的一部分、第一通道区的一部分与基板在第一虚设栅极结构下方的一部分移除以形成沟槽，在沟槽中形成混合介电部件，将混合介电部件的一部分移除以形成空气间隙，将空气间隙密封，以及将空气间隙密封后，以栅极堆叠取代第二虚设栅极结构。结构。结构。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构的制造方法


[0001]本公开实施例是有关于半导体结构的制造方法，且特别是有关于形成具有降低的介电系数(κ)值的CPODE结构以降低相邻的主动区之间的寄生电容的方法。

技术介绍

[0002]半导体集成电路(integrated circuit，IC)产业已经历了指数级成长。集成电路材料和设计的技术进步已经产生几世代的集成电路，其中每一世代都比先前世代具有更小、更复杂的电路。在集成电路发展过程中，功能密度(即，每个芯片面积的内连接装置数量)普遍增加，而几何尺寸(即，可以使用制造程序创建的最小构件(或线路))已减少。这种按比例缩小(scaling down)的工艺通常通过提高生产效率和降低相关成本提供了益处。这种按比例缩小也增加了加工和制造集成电路的复杂性，为了实现这些进步，需要在加工和制造集成电路进行类似的发展。
[0003]这种按比例缩小也增加了加工和制造集成电路的复杂性，为了实现这些进步，需要在加工和制造集成电路进行类似的发展。举例来说，已发展各种方法形成隔离结构以将主动区划分为区段。虽然现有的隔离结构通常足以隔离主动区段，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的制造方法，包括：接收工件，所述工件包括：鳍状结构，从基板突出并包括第一通道区及第二通道区；第一虚设栅极结构，设置于所述第一通道区的上方；第二虚设栅极结构，设置于所述第二通道区的上方；及源极/漏极部件，设置于所述第一通道区与所述第二通道区之间；将所述第一虚设栅极结构的一部分移除，以形成第一沟槽，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：李凯璿，林诗哲，黄柏瑜，吴仕杰，吴以雯，李振铭，杨复凯，王美匀，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：