半导体结构及其形成方法技术

一种半导体结构包含从基底延伸且沿第一方向纵向定向的鳍片，其中鳍片包含半导体层堆叠，设置于基底上且沿与第一方向垂直的第二方向纵向定向的隔离部件，其中隔离部件邻近鳍片设置，及具有设置于半导体层堆叠上的顶部及与半导体层堆叠交错的底部的金属栅极结构。再者，金属栅极结构的底部的侧壁由隔离部件的第一侧壁定义，且金属栅极结构的顶部横向延伸至隔离部件的顶面。隔离部件的顶面。隔离部件的顶面。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构及其形成方法


[0001]本公开实施例涉及一种半导体结构及其形成方法，且特别涉及一种用于多栅极场效晶体管的半导体结构及其形成方法。

技术介绍

[0002]半导体集成电路(integrated circuit，IC)产业经历了指数级增长。IC材料和设计的技术进步产生了几代IC，每一代的电路都比上一代更小、更复杂。在IC演进的过程中，功能密度(即每芯片面积互连装置的数量)已普遍增加，而几何尺寸(即可以使用制造工艺创造的最小组件(或线))已变小。此按比例缩小的过程通常通过增加生产效率和降低相关成本，来提供好处。此按比例缩小还增加了加工和制造IC的复杂性，且为了实现这些进步，需要在IC加工和制造方面进行类似的发展。
[0003]作为一类型的多栅极晶体管的纳米片场效晶体管(A nanosheet field
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effect transistor,NS FET或替代地称为全绕式栅极场效晶体管GAA FET)通常可包含设置在主动区(例如鳍片)上的通道层(例如Si层)堆叠、在主动区上或中形成的源极/漏极(S/D)部件、及与通本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的形成方法：形成从半导体基底突出的鳍片，其中所述鳍片沿第一方向纵向定向，且其中所述鳍片包含交替的第一半导体层和第二半导体层的堆叠；形成沟槽以分开所述鳍片，其中所述沟槽沿垂直于所述第一方向的第二方向纵向定向；形成隔离结构于所述沟槽中；形成介电头盔于所述隔离结构上；形成虚设栅极结构于所述介电头盔上，其中所述虚设栅极结构的第一部分设置于所述鳍片上且沿所述第二方向纵向定向，其中所述虚设栅极结构的第二部分平行于所述第一部分且邻近所述隔离结构的侧壁设置，且其中所述虚设栅极结构的第三部分从所述第二部分延伸且至所述介电头盔的顶面上；形成多个源极/漏极部件于所述鳍片中；以及形成金属栅极结构取代所述虚设栅极结构及所述多个第二半导体层。2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其中所述虚设栅极结构的所述第三部分延伸至完全覆盖所述介电头盔的所述顶面。3.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其中所述隔离结构为第一隔离结构，所述半导体结构的形成方法在形成所述第一隔离结构之前还包括：形成第二隔离结构，以部分地填充所述沟槽；以及沿在所述沟槽中露出所述鳍片的侧壁且在所述第二隔离结构上形成披覆层，使得所述第一隔离结构形成于所述披覆层上。4.一种半导体结构的形成方法，包括：形成从基底突出且被第一沟槽分开的多个鳍片，其中每个鳍片都包含交替的多个通道层和多个非通道层的堆叠；将所述多个鳍片图案化，以形成垂直于所述多个鳍片纵向定向的第二沟槽；沿在所述第一沟槽和所述第二沟槽中露出的每个鳍片的侧壁形成披覆层；形成隔离结构于所述披覆层上，以填充所述第一沟槽和所述第二沟槽；形成介电部件于所述隔离结构上，其中所述介电部件从所述多个鳍片突出；形成虚设栅极结构，包含：形成在所述披覆层上且邻近所述介电部件的第一侧壁设置的第一部...

【专利技术属性】
技术研发人员：彭宇凡，彭远清，吴于贝，吕侑珊，赖宏裕，陈贞妤，王文昀，李唐明，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：