半导体元件结构的形成方法技术

描述了一种半导体元件结构及其形成方法。在一个实施例中，提供了一种用于形成半导体元件结构的方法。该方法包括在半导体鳍片的一部分上方形成牺牲栅极结构；在牺牲栅极结构的相对侧上形成栅极间隔物；在未由牺牲栅极结构及栅极间隔物覆盖的半导体鳍片中形成非晶化区，其中非晶化区具有第一粗糙度的非晶

【技术实现步骤摘要】
半导体元件结构的形成方法


[0001]本揭露是关于一种半导体元件结构的形成方法。

技术介绍

[0002]近年来，应变工程已成为改善晶体管元件性能的一种广泛使用的方法。应变工程引起施加于晶体管元件的通道区及/或源极及漏极区上的应力。应力拉伸区域(多个)的晶格，使原子间的距离超过其正常的原子间距离。通过拉伸晶格，应变工程提高了电荷载流子移动率，从而改善了元件性能。尽管现有应变工程方法通常足以满足其预期目的，但并非在所有方面都完全令人满意。

技术实现思路

[0003]于一些实施方式中，半导体元件结构的形成方法包含：在半导体鳍片的一部分上方形成牺牲栅极结构；在牺牲栅极结构的相对侧上形成栅极间隔物；在未由牺牲栅极结构及栅极间隔物覆盖的半导体鳍片中形成非晶化区，其中非晶化区具有第一粗糙度的非晶
‑
结晶界面；在非晶化区上方形成应力源层，其中应力源层的形成将非晶
‑
结晶界面自第一粗糙度再结晶为小于第一粗糙度的第二粗糙度；使非晶化区经受退火工艺，以将非晶化区再结晶为结晶区，且结晶区包含第一错位。
[00本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体元件结构的形成方法，其特征在于，包含：在一半导体鳍片的一部分上方形成一牺牲栅极结构；在该牺牲栅极结构的相对侧上形成一栅极间隔物；在未由该牺牲栅极结构及该栅极间隔物覆盖的该半导体鳍片中形成一非晶化区，其中该非晶化区具有一第一粗糙度的一非晶
‑
结晶界面；在该非晶化区上方形成一应力源层，其中该应力源层的该形成将该非晶
‑
结晶界面自该第一粗糙度再结晶为小于该第一粗糙度的一第二粗糙度；以及使该非晶化区经受一退火工艺，以将该非晶化区再结晶为一结晶区，且该结晶区包含一第一错位。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，该第二粗糙度与该第一粗糙度处于约1:10至1:30的一比率。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，进一步包含：在使该非晶化区经受一退火工艺之后，移除该错位及该结晶区的多个部分以形成一沟槽；以及在该沟槽中磊晶形成一源极/漏极磊晶特征，该源极/漏极磊晶特征形成有自该第一错位延伸的一第二错位。4.一种半导体元件结构的形成方法，其特征在于，包含：自具有一第一区域及一第二区域的一基材形成一半导体鳍片；分别在该第一区域及该第二区域处该半导体鳍片的一部分上方形成一第一牺牲栅极结构及一第二牺牲栅极结构；在该半导体鳍片中该第一牺牲栅极结构的相对侧上形成多个非晶化区，其中所述多个非晶化区具有一基本圆形轮廓；在该第一牺牲栅极结构及该第二牺牲栅极结构以及该非晶化区上方形成一应力源层，其中该应力源层通过一基于原子层沉积的工艺形成，该工艺持续一段时间，使得该非晶化区自该基本圆形轮廓转换成一基本方形轮廓；退火该基材，使得该非晶化区再结晶，以形成具有一第一错位的多个结晶区；在所述多个结晶区中形成一凹槽；以...

【专利技术属性】
技术研发人员：何彩蓉，李资良，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：