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描述了一种半导体元件结构及其形成方法。在一个实施例中，提供了一种用于形成半导体元件结构的方法。该方法包括在半导体鳍片的一部分上方形成牺牲栅极结构；在牺牲栅极结构的相对侧上形成栅极间隔物；在未由牺牲栅极结构及栅极间隔物覆盖的半导体鳍片中形成非...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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