制造半导体装置的方法制造方法及图纸

一种制造半导体装置的方法包括将第一晶圆及第二晶圆装载至晶圆接合系统中。第一次量测晶圆接合系统内的相对湿度。在量测相对湿度之后，可将晶圆接合系统内的相对湿度调整至所需范围内。当相对湿度在所需范围内时，将第一晶圆接合至第二晶圆。晶圆接合至第二晶圆。晶圆接合至第二晶圆。

【技术实现步骤摘要】
制造半导体装置的方法


[0001]本揭示案实施例是有关于制造半导体装置的方法，尤其是在晶圆接合系统 中制造半导体装置的方法。

技术介绍

[0002]半导体装置用于多种电子应用，例如个人计算机、手机、数字相机及其他 电子设备。半导体装置的制程方式通常通过在半导体基板上方依序地沉积绝缘 或介电层、导电层、及半导体材料层，且使用微影技术来图案化各种材料层以 形成电路组件及元件。
[0003]半导体行业通过不断减小最小特征尺寸来不断提高各种电子组件(如晶体 管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度，从而允许更多组件整合至给定 面积中。然而，随着最小特征尺寸的减小，出现了应解决的其他问题。

技术实现思路

[0004]根据本揭示案的一个实施例，一种制造半导体装置的方法包括将第一晶圆 及第二晶圆装载至晶圆接合系统、第一次量测晶圆接合系统内的相对湿度、在 量测相对湿度之后调整晶圆接合系统内的相对湿度、及将第一晶圆接合至第二 晶圆。
[0005]根据本揭示案的另一实施例，一种制造半导体装置的方法包括在晶圆接合 系统中在第一晶圆及第二晶圆上执行表面处理、将第一晶圆接合至第二晶圆接 合以在晶圆接合系统中形成半导体基板并同时监测且维持相对湿度在35％至 60％的范围内、及自晶圆接合系统移出半导体基板。
[0006]根据本揭示案的又一实施例，一种制造半导体装置的方法包括使用第一传 送机械手臂将第一晶圆及第二晶圆经过第一装载闸移入至处理区、使用第二传 送机械手臂将第一晶圆及第二晶圆移至处理区内的表面处理站、在第一晶圆及 第二晶圆上执行电浆活化步骤、将第一晶圆及第二晶圆自处理区经过第二装载 闸移入接合区中、使用第三传送机械手臂将第一晶圆及第二晶圆移至接合区中 的清洗站、在第一晶圆及第二晶圆上方分布清洗剂、使用第三传送机械手臂将 第一晶圆及第二晶圆移至接合区中的接合站、及维持接合区的相对湿度在39％ 至43％范围内并同时将第一晶圆接合至第二晶圆。
附图说明
[0007]阅读以下实施方法时搭配附图以清楚理解本揭示案的观点。应注意的是， 根据业界的标准做法，各种特征并未按照比例绘制。事实上，为了能清楚地讨 论，各种特征的尺寸可能任意地放大或缩小。
[0008]图1根据一些实施例绘示三维视图中的纳米结构场效晶体管 (nanostructure field
‑
effect transistor，nano
‑
FET)的实例；
[0009]图2根据一些实施例绘示半导体基板的截面图；
[0010]图3根据一些实施例绘示接合系统的俯视图；
[0011]图4、图5、图6、及图7根据一些实施例绘示接合制程中的中间步骤的 截面图；
[0012]图8根据一些实施例绘示接合制程的方法的流程图；
[0013]图9及图10根据一些实施例绘示接合制程中的中间步骤的截面图；
[0014]图11、图12、图13、图14、图15A、图15B、图15C、图16A、图16B、 图16C、图17A、图17B、图17C、图18A、图18B、图18C、图18D、图18E、 图19A、图19B、图19C、图20A、图20B、图20C、图20D、图21A、图21B、 图21C、图21D、图21E、图21F、图21G、图22A、图22B、图22C、图23A、 图23B、图23C、图24A、图24B、图24C、图25A、图25B、图25C、图26A、 图26B、图26C、图27A、图27B、图27C、图28A、图28B、图28C、图29A、 图29B、图29C、图30A、图30B、图30C、图31A、图31B、图31C、图31D、 图31E、图32A、图32B、图32C、图33A、图33B、图33C、图34A、图34B、 图34C、图35A、图35B、图35C、图36A、图36B、图36C、图37A、图37B、 图37C、图38A、图38B、图38C、及图39根据一些实施例绘示制造nano
‑
FET 中的中间阶段的截面图。
[0015]【符号说明】
[0016]20:分隔件
[0017]48:区域
[0018]50:基板
[0019]50A:晶圆
[0020]50B:薄膜
[0021]50C:晶圆
[0022]50N:n型区
[0023]50P:p型区
[0024]51:第一半导体层
[0025]51A～51C:第一半导体层
[0026]52:第一纳米结构
[0027]52A～52C:第一纳米结构
[0028]53:第二半导体层
[0029]53A～53C:第二半导体层
[0030]54:第二纳米结构
[0031]54A～54C:第二纳米结构
[0032]55:纳米结构
[0033]64:多层堆叠
[0034]66:鳍片
[0035]68:浅沟槽隔离(Shallow trench isolation，STI)区
[0036]70:虚设介电层
[0037]71:虚设栅极介电层
[0038]72:虚设栅极层
[0039]74:遮罩层
[0040]76:虚设栅极
[0041]78:遮罩
[0042]80:第一间隔层
[0043]81:第一间隔物
[0044]82:第二间隔层
[0045]83:第二间隔物
[0046]86:第一凹槽
[0047]87:第二凹槽
[0048]88:侧壁凹槽
[0049]90:第一内间隔物
[0050]91:第一磊晶材料/虚设半导体区域
[0051]92:磊晶源极/漏极区
[0052]92A:第一半导体材料层
[0053]92B:第二半导体材料层
[0054]92C:第三半导体材料层
[0055]94:接触蚀刻终止层(contact etch stop layer，CESL)
[0056]96:第一层间介电质(interlayer dielectric，ILD)
[0057]98:第三凹槽
[0058]100:栅极介电层
[0059]102:栅极
[0060]104:栅极遮罩
[0061]106:第二ILD
[0062]108:第四凹槽
[0063]109:晶体管结构
[0064]110:第一硅化物区域
[0065]112:源极/漏极触点
[0066]114:栅极触点
[0067]120:前侧互连结构
[0068]122:第一导电特征
[0069]124:第一介电层
[0070]125:第二介电层
[0071]128:第五凹槽
[0072]129:第二硅化物区域
[0073]130:背侧本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种制造半导体装置的方法，其特征在于，包括：将一第一晶圆及一第二晶圆装载至一晶圆接合系统中；第一次量测该晶圆接合系统内的一相对湿度；在量测该相对湿度之后，调整该晶圆接合系统内的该相对湿度；及将该第一晶圆接合至该第二晶圆。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，调整该相对湿度的步骤包括启动一水源。3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，调整该相对湿度的步骤包括启动一脱水设备。4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，进一步包括：在调整该相对湿度之后第二次量测该晶圆接合系统内的一相对湿度。5.一种制造半导体装置的方法，其特征在于，包括：在一晶圆接合系统中在一第一晶圆及一第二晶圆上执行一表面处理；将该第一晶圆接合至该第二晶圆以在该晶圆接合系统中形成一半导体基板，同时监测且维持一相对湿度在35％至60％的一范围内；及自该晶圆接合系统移出该半导体基板。6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，进一步包括：在该半导体基板上形成一第一晶体管，该第一晶体管包含一第一源极/漏极区，其中一虚设半导体区域自该第一源极/漏极区延伸至该半导体基板中；平坦化该半导体基板以暴露该虚设半导体区域；移除该虚设半导体区域以定义一第一开口，该第一开口暴露该第一源极/漏极区的一背侧；移除该半导体基板的多个剩余部分；及在该第一开口中形成一触点，该触...

【专利技术属性】
技术研发人员：邓运桢，蔡承峯，陈翰德，许志成，张惠政，杨育佳，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：