一种半导体装置的制造方法包含形成保护层在基材上。减少保护层的亲水性。形成抗蚀层在保护层上，并图案化抗蚀层。并图案化抗蚀层。并图案化抗蚀层。
【技术实现步骤摘要】
半导体装置的制造方法
[0001]本揭露是关于一种半导体装置的制造方法，特别是关于一种保护层组成物及半导体装置的制造方法。
技术介绍
[0002]由于消费性装置随着消费者需求而愈来愈小，前述装置的独立部件也有必要减少尺寸。组成例如手机、平板电脑等装置的主要元件的半导体装置已被迫变的愈来愈小，导致在半导体装置中的独立元件(例如晶体管、电阻、电容等)也具有减小尺寸的压力。
[0003]用于半导体装置工艺的可用技术是利用光微影材料。此材料是施用在将被图案化的层的表面，然后暴露至能量，以使其本身被图案化。前述暴露修饰光敏材料的暴露区域的化学及物理性质。可利用前述修饰及缺少修饰的未暴露区域，以移除一区域而不移除另一者。
[0004]然而，随着独立部件的尺寸的缩小，光微影工艺的工艺窗变得愈来愈紧密。如此，为了维持装置缩小的能力，光微影工艺领域的进步是必要的，且为了达到希望的设计准则，进一步的优化是必需的，以保持朝着愈来愈小的元件前进。
技术实现思路
[0005]本揭露的一态样是提供一种半导体装置的制造方法，其包含形成保护层在基材上，并减少保护层的亲水性。形成抗蚀层在保护层上，并图案化抗蚀层。
[0006]本揭露的另一态样是提供一种半导体装置的制造方法包含形成目标层在基材上。形成光阻底层在目标层上，其中光阻底层为亲水层。将光阻底层自亲水层转化为疏水层。形成光阻层在光阻底层上。选择性地暴露光阻层至光化辐射。显影选择性暴露的光阻层，以形成图案在光阻层内。在显影步骤之后，湿式清洗基材。
[0007]本揭露的再一态样是提供一种半导体装置的制造方法，其是包含形成包含旋涂碳组成物的旋涂碳层在基材上，基材的外型包含多个具有上表面的分开突出部。施加环氧乙烷或环氧丙烷至旋涂碳层。形成光阻层在旋涂碳层上。图案式成像光阻层，及显影光阻层，以形成图案在光阻层内。
附图说明
[0008]根据以下详细说明并配合附图阅读，使本揭露的态样获致较佳的理解。需注意的是，如同业界的标准作法，许多特征并不是按照比例绘示的。事实上，为了进行清楚讨论，许多特征的尺寸可以经过任意缩放。
[0009]图1是绘示根据本揭露一些实施例的半导体装置的制造流程；
[0010]图2是绘示根据本揭露一实施例的连续操作的流程阶段；
[0011]图3A及图3B是绘示根据本揭露一实施例的连续操作的流程阶段；
[0012]图4是绘示根据本揭露一实施例的连续操作的流程阶段；
[0013]图5是绘示根据本揭露一实施例的连续操作的流程阶段；
[0014]图6是绘示根据本揭露一实施例的连续操作的流程阶段；
[0015]图7是绘示根据本揭露一实施例的连续操作的流程阶段；
[0016]图8是绘示根据本揭露一实施例的连续操作的流程阶段；
[0017]图9是绘示根据本揭露一些实施例的保护层组成物的聚合物；
[0018]图10是绘示根据本揭露一些实施例的保护层组成物的聚合物；
[0019]图11是绘示根据本揭露一些实施例的保护层组成物的聚合物；
[0020]图12A、图12B及图12C是绘示根据本揭露一些实施例的保护层组成物的聚合物；
[0021]图13是绘示根据本揭露一些实施例的保护层的覆盖材料；
[0022]图14是绘示根据本揭露一些实施例的保护层的覆盖材料；
[0023]图15A及图15B是绘示根据本揭露一些实施例的保护层的覆盖材料；
[0024]图16是绘示根据本揭露一实施例的连续操作的流程阶段；
[0025]图17A、图17B及图17C是绘示根据本揭露一实施例的连续操作的流程阶段；
[0026]图18A、图18B及图18C是绘示根据本揭露一实施例的连续操作的流程阶段；
[0027]图19是绘示根据本揭露一实施例的方法所制造的半导体装置；
[0028]图20A、图20B、图20C、图20D、图20E、图20F、图20G、图20H、图20I、图20J、图20K、图20L、图20M、图20N、图20O、图20P、图20Q及图20R是绘示根据本揭露一些实施例的连续操作；
[0029]图21A、图21B、图21C、图21D及图21E、是绘示根据本揭露一些实施例的连续操作；
[0030]图22是绘示根据本揭露一些实施例的半导体装置的制造流程；
[0031]图23是绘示根据本揭露一些实施例的半导体装置的制造流程；
[0032]图24是绘示根据本揭露一实施例的连续操作的流程阶段。
[0033]【符号说明】
[0034]10:基材
[0035]15:抗蚀层
[0036]20:目标层
[0037]30:光罩
[0038]35:不透明图案
[0039]40:光罩基材
[0040]45:辐射
[0041]50:区域
[0042]52:区域
[0043]55:开口
[0044]57:显影剂
[0045]62:分散器
[0046]65:反射光罩
[0047]70:基材
[0048]75:反射多层
[0049]80:覆盖层
[0050]85:吸收层
[0051]90:背部导电层
[0052]95:辐射
[0053]97:部分
[0054]100:流程
[0055]105:导电层
[0056]110:保护层/亲水层
[0057]110
’
:保护层/疏水层
[0058]115:中间层
[0059]120:光阻层
[0060]125a:抗蚀层
[0061]125b:三层抗蚀层
[0062]130:开口
[0063]130
’
:开口/图案
[0064]135:突起部
[0065]140:凹槽
[0066]145:开口/图案
[0067]145
’
:开口/通孔
[0068]150:导电层
[0069]200:功函数调整材料层
[0070]205:光阻层
[0071]210:层间层
[0072]215:第二光阻层
[0073]225:第三光阻层
[0074]230:栅极介电层
[0075]235:覆盖层/第一导电层
[0076]245:第一阻障层/第二导电层
[0077]250:第二阻障层/第三导电层
[0078]260:保护层
[0079]265:第二保护层
[0080]270:第三保护层
[0081]280:第一p型功函数调整材料层
[0082]285:第二p型功函数调整材料层290:粘着层
[0083]295:主体栅极电极层
[0084]305:化学处理...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包含：形成一保护层在一基材上；减少该保护层的亲水性；形成一抗蚀层在该保护层上；以及图案化该抗蚀层。2.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，其中该减少该保护层的该亲水性包含对该保护层施加一化学品。3.如权利要求2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，其中该化学品为环氧乙烷、环氧丙烷或前述的组合。4.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，其中该图案化该抗蚀层的步骤包含：选择性暴露该抗蚀层至一光化辐射，以形成一潜在图案；以及施加一显影剂至该潜在图案，以形成在一图案在该抗蚀层内。5.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包含：形成一目标层在一基材上；形成一光阻底层在该目标层上，其中该光阻底层为一亲水层；将该光阻底层自该亲水层转化为一疏水层；形成一光阻层在该光阻底层上；选择性地暴露该光阻层至一光化辐射；显影该选择性暴露的光阻层，以形成一图案在该光阻层内；以及在该显影步骤之后，湿式清洗该基材。6.如权利要求5所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，还包含：在形成该光阻底层之前，形成一导电层在该目标层上。7....
【专利技术属性】
技术研发人员：谢潔欣，赖韦翰，张庆裕，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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