沉积系统及其操作方法技术方案

提供一种沉积系统及其操作方法，沉积系统能够通过将温度维持在预定温度范围内来防止靶材及其他元件因归因于来自溅射制程的热应力而变形来延长腔室运行时间。沉积系统包含基板处理腔室、基板处理腔室内的靶材及以圆形形式形成在材靶上的多个凹槽。多个凹槽包含靶材的中央部上的第一凹槽及靶材的外围部分上的第二凹槽。第二凹槽。第二凹槽。

【技术实现步骤摘要】
沉积系统及其操作方法


[0001]本揭露是关于一种沉积系统及其操作方法。

技术介绍

[0002]为生产半导体装置，半导体基板(诸如作为半导体装置的原材料的硅晶圆)必须经过一系列复杂而精确的制程步骤，诸如扩散、离子植入、化学气相沉积、微影术、蚀刻、物理气相沉积、化学机械抛光及电化学电镀。
[0003]物理气相沉积(physical vapor deposition，PVD)通常用于在半导体基板上沉积一层或多层(例如薄膜)。例如，溅射(PVD的一种形式)通常用于半导体制造制程中以将复杂合金及金属(诸如银、铜、黄铜、钛、氮化钛、硅、氮化硅及氮化碳)沉积在基板上。溅射包含在真空外壳(例如处理腔室)中彼此平行定位的靶材(来源)及基板(例如晶圆)。靶材(阴极)电接地，而基板(阳极)具有正电位。氩气(相对较重且为化学惰性气体)通常用作溅射制程中的溅射离子物种。当氩气被引入腔室中时，与自阴极释放的电子发生多次碰撞。这使氩气失去其外部电子且变成带正电的氩离子。带正电的氩离子被阴极靶材的负电位强烈吸引。当带正电的氩离子撞击靶材表面时，带正电的氩离子的动量转本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种沉积系统，其特征在于，包含：一基板处理腔室；一靶材，处于该基板处理腔室内，该靶材包含：多个第一凹槽，呈一第一圆形形式处于该靶材上，该些第一凹槽包含该靶材的一中央部上的一第一凹槽及该靶材的一外围部分上的一第一凹槽，其中该靶材的该中央部上的该第一凹槽的一第一深度与该靶材的该外围部分上的该第一凹槽的一第二深度不同。2.根据权利要求1所述的沉积系统，其特征在于，该第一圆形形式对应于一第一磁体的一旋转图案。3.根据权利要求1所述的沉积系统，其特征在于，进一步包含呈一第二圆形形式的多个第二凹槽，该第二圆形形式对应于一第二磁体的一轨道运行图案，该第二磁体用以绕该第一磁体运行，该第一磁体用以在该靶材上方旋转。4.根据权利要求1所述的沉积系统，其特征在于，该第一深度大于该第二深度。5.根据权利要求1所述的沉积系统，其特征在于，该第二深度大于该第一深度。6.一种沉积系统，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：王嘉熙，陈彦羽，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：