半导体装置的制造方法制造方法及图纸

本公开涉及一种半导体装置的制造方法，包括：在通道结构上方形成栅极介电结构；在栅极介电结构上方形成金属栅极的一个或多个功函数金属层；以含氟材料处理一个或多个功函数金属层；进行一个或多个制程，使氟从含氟材料至少部分扩散至栅极介电结构中。少部分扩散至栅极介电结构中。少部分扩散至栅极介电结构中。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置的制造方法


[0001]本专利技术实施例是有关于半导体技术，且特别是有关于半导体装置及其制造方法。

技术介绍

[0002]半导体集成电路(integrated circuit，IC)产业已经历了快速成长。在集成电路材料和设计上的技术进步产生了数代集成电路，每一代都比前一代具有更小且更复杂的电路。在集成电路的发展史中，功能密度(即每一芯片区互连的装置数目)增加，同时几何尺寸(即制造过程中所产生的最小的组件或线路)缩小。此元件尺寸微缩化的制程提供增加生产效率与降低相关费用的益处。此元件尺寸微缩化也增加了加工和制造集成电路的复杂性。
[0003]举例来说，随着晶体管的栅极的尺寸持续变小，栅极中的缺陷(例如栅极介电质中的缺陷)可能会导致栅极漏电的问题。栅极漏电可导致晶体管装置效能下降或甚至失效。
[0004]因此，虽然现有的半导体装置一般对于其预期目的已为足够的，但是这些半导体装置并非在所有方面都完全令人满意。

技术实现思路

[0005]在一些实施例中，提供半导体装置的制造方法，此方法包含在通道结构上方形成栅极本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置的制造方法，包括：在一通道结构上方形成一栅极介电结构；在该栅极介电结构上方形成一金属栅极的一个或多个功函数金属层...

【专利技术属性】
技术研发人员：谢博文，赖蓓盈，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：