集成电路芯片制造技术

提供一种集成电路芯片以及密封环结构。根据本公开的集成电路芯片包括互连结构，互连结构包括沿着第一方向延伸的第一金属线、第二金属线、第三金属线、第四金属线以及第五金属线，第一组横向连接器设置在第二金属线以及第三金属线之间或第四金属线以及第五金属线之间，且第二组横向连接器设置在第一金属线以及第二金属线之间或第三金属线以及第四金属线之间。间。间。

【技术实现步骤摘要】
集成电路芯片


[0001]本技术实施例涉及一种集成电路(integrated circuit)芯片以及用于制造互连结构的方法。

技术介绍

[0002]半导体集成电路(integrated circuit,IC)工业经历了指数级增长。集成电路材料以及设计的技术进步产生了几代的集成电路，其中每一代的电路都比前一代更小、更复杂。在集成电路演进的过程中，功能密度(即每一芯片区间的互连装置的数量)一般会增加，而几何大小(即可使用制造工艺创造的最小组件(或线))则减小。这种小型化的工艺一般通过提高生产效率且降低相关成本来提供益处。这种小型化也增加了工艺以及制造集成电路的复杂性。
[0003]例如，随着集成电路(IC)技术朝向更小的技术节点发展，引入了多栅极金属氧化物半导体场效应晶体管(metal
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oxide
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semiconductor field effect transistor,MOSFET)(多栅极MOSFET，或多栅极装置)，以通过增加栅极通道耦接、减少断态电流(off
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state本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种集成电路芯片，其特征在于包括：一基材，包括一装置区域以及围绕该装置区域的一环区域；以及一第一互连层，在该基材之上，且包括一装置部分以及一环部分，该装置部分直接地设置在该装置区域之上，该环部分直接地设置在该环区域之上，该第一互连层的该环部分包括：一第一金属线回路，完全围绕该第一互连层的该装置部分；一第二金属线回路，完全围绕该第一金属线回路；一第三金属线回路，完全围绕该第二金属线回路；一第四金属线回路，完全围绕该第三金属线回路；一第五金属线回路，完全围绕该第四金属线回路；第一多个横向连接器，夹在该第一金属线回路和该第二金属线回路之间以及该第三金属线回路和该第四金属线回路之间；以及第二多个横向连接器，夹在该第二金属线回路和该第三金属线回路之间以及该第四金属线回路和该第五金属线回路之间。2.如权利要求1所述的集成电路芯片，其特征在于，该多个第一多个横向连接器沿着一方向对齐。3.如权利要求2所述的集成电路芯片，其特征在于，该多个第二多个横向连接器沿着该方向对齐。4.如权利要求1所述的集成电路芯片，其特征在于，该第一金属线回路、该第二金属线回路、该第三金属线回路、该第四金属线回路、该第五金属线回路、该多个第一多个横向连接器以及该多个第二多个横向连接器由相同的材料形成。5.如权利要求1所述的集成电路芯片，其特征在于，当在顶视图中观察时，每一个该多个第一多个横向连接器以及该多个第二多个横向连接器实质上为正方形。6.如权利要求1所述的集成电路芯片，其特征在于，还包括：一第二互连层，在该第一互连层之上，且包括一装置部分以及一环部分，该第二互连层的该装置部分直接地设置在该装置区域之上，该第二互连层的该环部分直接地设置在该环区域之上，该第二互连层的该环部分包括：一第六金属线回路，完全围...

【专利技术属性】
技术研发人员：赖彦良，陈春宇，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：新型
国别省市：