芯片封装结构及其形成方法技术

提供一种芯片封装结构。芯片封装结构包括导线基板。芯片封装结构包括位于导线基板上的中介基板。中介基板包括重分布结构、介电层、导电导孔，以及多个第一虚设导孔，介电层位于重分布结构上，导电导孔及这些第一虚设导孔穿过介电层，第一虚设导孔环绕导电导孔，这些第一虚设导孔与导线基板电性绝缘。芯片封装结构包括中介基板上的芯片结构。芯片结构与导电导孔电性连接，并且芯片结构与这些第一虚设导孔电性绝缘。性绝缘。性绝缘。

【技术实现步骤摘要】
芯片封装结构及其形成方法


[0001]本公开实施例是关于芯片封装结构及其形成方法，特别是关于具有定锚(anchor)环状结构的芯片封装结构及其形成方法。

技术介绍

[0002]半导体装置用于各种电子应用，如个人电脑、手机、数码相机和其他电子设备。半导体装置通常是通过在半导体基板上依次沉积绝缘层或介电层、导电层和半导体层，并使用微影技术对各种材料层进行图案化，以形成电路组件和元件。
[0003]数十个或数百个集成电路通常在单个半导体晶圆上制造。通过沿着划线锯切集成电路，将单个晶粒进行分割。然后，将单个晶粒分开包装。半导体工业继续通过不断减少最小部件尺寸来提高各种电子组件(如晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度，这使更多的组件可以集成到特定区域。然而，由于晶粒的部件尺寸不断减小，用于承载晶粒的中介基板的部件尺寸也随之减小。因此，使用具有小部件尺寸的晶粒和中介层基板来形成可靠的封装是一个挑战。

技术实现思路

[0004]本公开实施例提供一种芯片封装结构，包括：导线基板；中介(interposer)基板，位于导线(wiring)基板上，其中中介基板包含重分布结构、介电层、导电导孔，以及多个第一虚设导孔，介电层位于重分布结构上，导电导孔及这些第一虚设导孔穿过介电层，这些第一虚设导孔环绕导电导孔，且这些第一虚设导孔与导线基板电性绝缘；以及芯片结构，位于中介基板上，其中芯片结构与导电导孔电性连接，并且芯片结构与这些第一虚设导孔电性绝缘。
[0005]本公开实施例提供一种芯片封装结构，包括：中介基板，包含重分布结构、介电层，及导电导孔，其中介电层位于重分布结构上，且导电导孔位于介电层中并与重分布结构电性连接；定锚(anchor)环状结构，部分地埋置于介电层中，并且环绕导电导孔，其中定锚环状结构比介电层更坚硬(rigid)；以及芯片结构，位于中介基板上，其中芯片结构与导电导孔电性连接，且芯片结构与定锚环状结构电性绝缘。
[0006]本公开实施例提供一种芯片封装结构的形成方法，包括：形成介电层于重分布结构上；形成第一导电导孔及多个虚设导孔于介电层中，其中这些虚设导孔环绕第一导电导孔；将芯片结构接合(bond)至重分布结构，其中芯片结构与第一导电导孔电性连接，且芯片结构与虚设导孔电性绝缘；以及将重分布结构接合至导线基板，其中这些虚设导孔与导线基板电性绝缘。
附图说明
[0007]以下将配合所附图式详述本公开实施例。应注意的是，依据在业界的标准做法，各种特征并未按照比例绘制且仅用以说明例示。事实上，可任意地放大或缩小元件的尺寸，以
清楚地表现出本公开实施例的特征。
[0008]图1A
‑
图1H是根据本公开的一实施例，绘示出用于形成芯片封装结构的制程的各个阶段的剖面图。
[0009]图1A
‑
1是根据本公开的一实施例，绘示出图1A的重分布结构的区域的俯视图。
[0010]图1C
‑
1是根据本公开的一实施例，绘示出图1C的重分布结构的区域的俯视图。
[0011]图1E
‑
1是根据本公开的一实施例，绘示出图1E的重分布结构的右侧区域的俯视图。
[0012]图1E
‑
2是根据本公开的一实施例，绘示出图1E的重分布结构的左侧区域的俯视图。
[0013]图1H
‑
1是根据本公开的一实施例，绘示出图1H的芯片封装结构的俯视图。
[0014]图1H
‑
2是根据本公开的一实施例，绘示出图1H的芯片封装结构的俯视图。
[0015]图1H
‑
3是根据本公开的一实施例，绘示出图1H的芯片封装结构的俯视图。
[0016]图2是根据本公开的一实施例，绘示出图1H的中介基板的角落区域的俯视图。
[0017]图3是根据本公开的一实施例，绘示出图1H的中介基板的角落区域的俯视图。
[0018]图4是根据本公开的一实施例，绘示出图1H的中介基板的角落区域的俯视图。
[0019]图5是根据本公开的一实施例，绘示出图1H的中介基板的角落区域的俯视图。
[0020]图6是根据本公开的一实施例，绘示出图1H的中介基板的角落区域的俯视图。
[0021]图7是根据本公开的一实施例，绘示出图1H的中介基板的角落区域的俯视图。
[0022]图8是根据本公开的一实施例，绘示出图1H的中介基板的角落区域的俯视图。
[0023]图9是根据本公开的一实施例，绘示出芯片封装结构之剖面图。
[0024]图10A
‑
图10B是根据本公开的一实施例，绘示出用于形成芯片封装结构的制程的各个阶段的剖面图。
[0025]图10A
‑
1是根据本公开的一实施例，绘示出图10A的中介基板的角落区域的俯视图。
[0026]其中，附图标记说明如下：
[0027]10：中介基板
[0028]10c：角落
[0029]10r：角落区域
[0030]100：芯片封装结构
[0031]110：重分布结构
[0032]111：介电层
[0033]111a：开口
[0034]112：重分布层
[0035]113：重分布层
[0036]114：重分布层
[0037]114a：导电线
[0038]115：重分布层
[0039]115a：垫片
[0040]W115a：宽度
[0041]W115c：宽度
[0042]W115c'：宽度
[0043]115b：垫片
[0044]115c：虚设垫片
[0045]116：导电导孔
[0046]120：介电层
[0047]122：开口
[0048]124：开口
[0049]126：开口
[0050]128：顶表面1
[0051]130a：导电导孔
[0052]130b：导电导孔
[0053]130c：虚设导孔
[0054]W130a：宽度
[0055]W130c：宽度
[0056]131a：顶表面
[0057]131b：顶表面
[0058]131c：顶表面
[0059]132：晶种层
[0060]134：遮罩层
[0061]134a：开口
[0062]134b：开口
[0063]134c：开口
[0064]136：导电层
[0065]140a：导电柱
[0066]140b：导电柱
[0067]140c：虚设导电柱
[0068]142：晶种层
[0069]144：遮罩层
[0070]144a：开口
[0071]144b：开口
[0072]144c：开口
[0073]14本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种芯片封装结构，包括：一导线基板；一中介基板，位于该导线基板上，其中该中介基板包含一重分布结构、一介电层、一导电导孔，以及多个第一虚设导孔，该介电层位于该重分布结构上，该导电导孔及所述第一虚设导孔穿过该介电层，所述第一虚设导孔环绕该导电导孔，且所述第一虚设导孔与该导线基板电性绝缘；以及一芯片结构，位于该中介基板上，其中该芯片结构与该导电导孔电性连接，并且该芯片结构与所述第一虚设导孔电性隔离。2.如权利要求1所述的芯片封装结构，还包括：一导电柱，位于该导电导孔上，其中该芯片结构与该导电柱连接；以及多个虚设导电柱，位于所述第一虚设导孔上，其中该芯片结构与所述虚设导电柱电性绝缘。3.如权利要求1所述的芯片封装结构，其中该导电导孔及该第一虚设导孔靠近该中介基板的一角落。4.如权利要求1所述的芯片封装结构，还包括：多个第二虚设导孔，位于所述第一虚设导孔下且分别与所述第一虚设导孔连接，其中所述第二虚设导孔与该导线基板及该芯片结构电性绝缘。5.一种芯片封装结构，包括：一中介基板，包含一重分布结构、一介电层，及一导电导孔，其中该介电层位于该重分布结构上，且该导电导孔位于该介电层中并与该重分布结构电性连接；一定锚环状结构，部分地埋置于该介电层中，并且环绕该导电导孔，其中该定锚环状结构比该介电层更坚硬...

【专利技术属性】
技术研发人员：汪金华，许佳桂，叶书伸，赖柏辰，林柏尧，郑心圃，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：