半导体器件及其形成方法技术

在实施例中，一种器件包括：隔离区，位于衬底上；第一半导体鳍，突出于隔离区上方；第一栅极电介质，位于第一半导体鳍的第一沟道区的，第一栅极电介质包括第一界面层和第一高k介电层；第二半导体鳍，突出于隔离区上方；第二栅极电介质，位于第二半导体鳍的第二沟道区上，第二栅极电介质包括第二界面层和第二高k介电层，第一沟道区上的第一界面层的第一部分具有比第二沟道区上的第二界面层的第二部分大的厚度，第二沟道区具有比第一沟道区大的高度。本申请的实施例提供了半导体器件及其形成方法。法。法。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件及其形成方法


[0001]本申请的实施例涉及半导体器件及其形成方法。

技术介绍

[0002]半导体器件用于各种电子应用(例如个人计算机、手机、数字照相机及其他电子器件)中。半导体器件通常是通过如下方式制作而成：在半导体衬底之上依序沉积绝缘层或介电层、导电层及半导体层，并使用光刻及蚀刻技术将各种材料层图案化以在其上形成电路组件及元件。
[0003]半导体行业通过不断减小最小部件尺寸(minimum feature size)来不断提高各种电子组件(例如晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度，此使得能够将更多的组件集成到给定区域中。然而，随着最小部件大小的减小，出现应解决的附加问题。

技术实现思路

[0004]在实施例中，一种半导体器件包括：隔离区，位于衬底上；第一半导体鳍，突出于隔离区上方；第一栅极电介质，位于第一半导体鳍的第一沟道区上，第一栅极电介质包括第一界面层和第一高k介电层；第二半导体鳍，突出于隔离区上方；第二栅极电介质，位于第二半导体鳍的第二沟道区上，第二栅极电介质，包括第二界面层和第二高k介电层本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，包括：隔离区，位于衬底上；第一半导体鳍，突出于所述隔离区上方；第一栅极电介质，位于所述第一半导体鳍的第一沟道区上，所述第一栅极电介质包括第一界面层和第一高k介电层；第二半导体鳍，突出于所述隔离区上方；和第二栅极电介质，位于所述第二半导体鳍的第二沟道区上，所述第二栅极电介质包括第二界面层和第二高k介电层，所述第一沟道区上的所述第一界面层的第一部分具有比所述第二沟道区上的所述第二界面层的第二部分大的厚度，所述第二沟道区具有比所述第一沟道区大的高度。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一栅极电介质和所述第二栅极电介质均设置在所述隔离区上，并且所述隔离区上的所述第一界面层的第三部分具有与所述隔离区上的所述第二界面层的第四部分相同的厚度。3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一沟道区的第一顶表面是基本平坦的，并且所述第二沟道区的第二顶表面是基本平坦的。4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一沟道区的第一顶表面是基本平坦的，并且所述第二沟道区的第二顶表面是凸的。5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一半导体鳍的一侧包括第一侧壁、第二侧壁、和锯齿状台阶表面，所述锯齿状台阶表面将所述第一侧壁连接到所述第二侧壁，所述第一界面层沿所述第一侧壁、所述第二侧壁、和所述锯齿状台阶表面延...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈学儒，陈昱璇，吴俊毅，黄文宏，林宗达，陈建豪，洪正隆，游国丰，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：