一种方法包括在突出半导体鳍上形成第一伪栅极堆叠件，蚀刻第一伪栅极堆叠件以形成沟槽，向下延伸沟槽以穿透突出半导体鳍的一部分，以及用介电材料填充沟槽以形成鳍隔离区。接缝形成在鳍隔离区中，并且接缝延伸至低于突出半导体鳍的顶面水平的水平面。接缝...

提供了制造半导体结构的方法。在实施例中，一种制造半导体结构的方法，包括：形成半导体区域，该半导体区域具有第一掺杂浓度的第一导电类型的第一掺杂剂；在半导体区域的上方形成电介质层；形成穿过电介质层的开口，该开口暴露半导体区域；在形成开口之后...

一种晶片结构及其修整方法。所述修整方法包括以下步骤。提供第一晶片，所述第一晶片具有第一表面及与第一表面相对的第二表面。在第一晶片的第一表面上形成第一预修整标记，其中形成第一预修整标记包括形成多个凹槽，所述多个凹槽被排列成沿着第一晶片的周...

在一些实施例中，本公开涉及一种单光子雪崩检测器(SPAD)器件，该器件包括硅衬底，该硅衬底包括在硅衬底的上表面中的凹槽。p型区域布置在凹槽的下表面下方的硅衬底中。n型雪崩区域布置在p型区域下方的硅衬底中，并在p

半导体结构包括沿着列方向彼此相邻布置并且分别具有第一单元高度和第二单元高度的第一单元和第二单元。每个单元包括沿着垂直于列方向的行方向纵向延伸的至少一个半导体有源区。该结构还包括位于第一单元和第二单元上方的金属迹线的阵列。金属迹线通过沿着...

一种半导体结构，包括硅基板、绝缘层、双层、第一晶体管的通道区域及第二晶体管的通道区域。绝缘层在硅基板中。双层在绝缘层上方，且双层包括与应变松弛硅锗(SiGe)部分直接接触的硅部分。第一晶体管的通道区域在双层的硅部分上。第二晶体管的通道区...

方法包括在衬底上形成沟道层和牺牲层的堆叠件。沟道层和牺牲层具有不同的材料组分并且在垂直方向上交替设置。方法还包括：图案化堆叠件以形成半导体鳍；在半导体鳍的侧壁上形成隔离部件；使半导体鳍凹进，从而形成源极/漏极凹槽，从而使得半导体鳍的凹进...

本发明的实施例公开了包括散热结构的封装器件、半导体封装件、封装半导体器件及其形成方法。在实施例中，一种半导体封装件包括半导体管芯，该半导体管芯包括衬底、位于衬底前侧上的前侧互连结构、以及位于与前侧互连结构相对的衬底的背侧上的背侧互连结构...

半导体器件包括：第一半导体管芯。半导体器件包括：再分布结构，设置在第一半导体管芯的第一侧上方并且包括多个层。多个层中的至少第一个包括：第一电源/接地平面，嵌入在介电材料中并且配置为为第一半导体管芯提供第一供给电压。第一电源/接地平面包围...

封装结构包括第一介电层、第一半导体装置、第一重分布线、第二介电层、第二半导体装置、第二重分布线、第一导电件及第一模制材料。第一半导体装置在第一介电层上方。第一重分布线在第一介电层中且电连接至第一半导体装置。第二介电层在第一半导体装置上方...

方法包括形成第一半导体器件的第一晶体管。第一半导体器件包括第一沟道区域以及位于第一沟道区域上的栅电极。第二半导体器件通过设置在第一半导体器件和第二半导体器件之间的接合层而接合至第一半导体器件。形成第二半导体器件的第二晶体管，第二半导体器...

本申请的实施例提供了一种存储器器件、计算器件和用于存储器内计算的方法。存储器器件包括存储器中计算宏和时钟生成电路。存储器中计算宏配置为基于第一时钟信号执行存储器内计算。时钟生成电路布置在存储器中计算宏内，配置为生成第一时钟信号。根据存储...

本申请的实施例公开了一种半导体器件以及形成半导体器件的方法，包括：在第一区域中的第一沟道区域上方和第二区域中的第二沟道区域上方形成第一介电层；将第一偶极子元素引入第一区域中的第一介电层中，以在第一区域中形成第一含偶极子栅极介电层；在第一...

本发明的实施例公开了用于图案化的方法。实施例利用光刻工艺形成图案化的目标层。在形成图案化的心轴层和图案化的心轴层上方的间隔件层之后，使用化学气相沉积工艺沉积光掩模的底层以形成无定形碳膜。光掩模的上层用于图案化底层以形成转变材料的开口。转...

示例性半导体结构包括具有第一侧和第二侧的器件衬底。介电层设置在器件衬底的第一侧上方。贯通孔沿着第一方向延伸穿过介电层并且从第一侧穿过器件衬底延伸至第二侧。贯通孔具有沿着第一方向的总长度和沿着不同于第一方向的第二方向的宽度。总长度是介电层...

在实施例中，半导体器件包括设置在衬底上方的第一器件区域中的第一沟道区域；设置在第一沟道区域上方的第一栅极介电层；以及设置在第一栅极介电层上方的栅电极。第一栅极介电层包括第一偶极子掺杂剂和第二偶极子掺杂剂。第一偶极子掺杂剂沿着第一栅极介电...

本公开涉及具有涂层的光学组件和使用方法。经涂覆的纳米管和纳米管束被形成为用于EUV光刻系统中的光学组件的膜。这些光学组件可用于对半导体衬底上的材料进行图案化的方法。这样的方法涉及在UV光刻系统中产生UV辐射。UV辐射穿过光学组件，如薄膜...

本发明涉及包括半导体衬底以及沿半导体衬底设置的多个半导体器件的半导体晶圆结构。包括多个介电层的介电堆叠件布置在半导体衬底上方。导电互连结构位于介电堆叠件内。密封环层位于介电堆叠件上方并且沿介电堆叠件的第一侧壁横向围绕介电堆叠件。密封环层...

本申请实施例提供了一种存储器电路及其操作方法。存储器电路包括被配置为接收包括多个数据元素的信号的数据寄存器、耦接到数据寄存器的第一选择电路、计数器、耦接到计数器的第二选择电路以及耦接在计数器和第二选择电路之间的反相器。数据寄存器将每个数...

本申请的实施例提供了形成半导体结构的方法和半导体结构。根据本公开的方法包括在衬底上方沉积顶部外延层，由顶部外延层和衬底的部分形成鳍结构，凹进鳍结构的源极/漏极区以形成源极/漏极凹槽，在源极/漏极凹槽的表面上方共形沉积半导体层，回蚀刻半导...