半导体结构及其形成方法技术

本申请的实施例提供了形成半导体结构的方法和半导体结构。根据本公开的方法包括在衬底上方沉积顶部外延层，由顶部外延层和衬底的部分形成鳍结构，凹进鳍结构的源极/漏极区以形成源极/漏极凹槽，在源极/漏极凹槽的表面上方共形沉积半导体层，回蚀刻半导体层以在源极/漏极凹槽的底面上方形成扩散停止层，在扩散停止层和源极/漏极凹槽的侧壁上方沉积第一外延层，在第一外延层上沉积第二外延层，以及在第二外延层上沉积第三外延层。扩散停止层的锗浓度大于顶部外延层的锗浓度或第一外延层的锗浓度。的锗浓度。的锗浓度。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构及其形成方法


本申请的实施例涉及半导体
，更具体地，涉及半导体结构及其形成方法。

技术介绍

半导体集成电路(IC)产业经历了指数级增长。IC材料和设计的技术进步产生了几代IC，每一代电路都比上一代更小、更复杂。在IC演进过程中，功能密度(即，每芯片面积互连的器件的数量)普遍增加，而几何尺寸(即，可以使用制造工艺创建的最小组件(或线))降低。这种按比例缩小的过程通常通过提高生产效率和降低相关成本来提供好处。这种按比例缩小也增加了加工和制造IC的复杂性。例如，随着集成电路(IC)技术向更小的技术节点发展，已引入多栅极金属氧化物半导体场效应晶体管(多栅极MOSFET或多栅极器件)以通过增加栅极
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沟道耦合、降低关态电流和降低短沟道效应(SCE)来改进栅极控制。多栅极器件通常是指具有设置在沟道区的多于一侧上的栅极结构(或其部分)的器件。鳍式场效应晶体管(FinFET)和多桥沟道(multi
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bridge
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channel，MBC)晶体管是多栅极器件的示例，它们已成为高性能和低泄漏应本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种形成半导体结构的方法，包括：在衬底上方沉积顶部外延层；由所述顶部外延层和所述衬底的部分形成鳍结构；凹进所述鳍结构的源极/漏极区以形成延伸进入所述顶部外延层并且终止于所述顶部外延层的源极/漏极凹槽；在所述源极/漏极凹槽的表面上方共形沉积半导体层；回蚀刻所述半导体层以在所述源极/漏极凹槽的底面上方形成扩散停止层，在所述扩散停止层和源极/漏极凹槽的侧壁上方沉积第一外延层；在所述第一外延层上方沉积第二外延层；以及在所述第二外延层上方沉积第三外延层，其中，所述顶部外延层包括第一锗浓度，所述扩散停止层包括第二锗浓度，并且所述第一外延层包括第三锗浓度，其中，所述第二锗浓度大于所述第一锗浓度或所述第三锗浓度。2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第二外延层的所述沉积包括将所述第二外延层直接沉积在所述源极/漏极凹槽的侧壁和所述扩散停止层上。3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第二锗浓度在约25％和约35％之间。4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述第二锗浓度与所述第三锗浓度的差异大于5％。5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一外延层的所述沉积包括用p型掺杂剂原位掺杂所述第一外延层，其中，所述第二外延层的所述沉积包括用所述p型掺杂剂原位掺杂所述第二外延层，其中，所述第三外延层的所述沉积包括用所述p型掺杂剂原位掺杂所述第三外延层。6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述p型掺杂剂包括硼(B)。7.根据权利要求5所述的方法，其中，所述半导体层的所述沉积包括用磷(P)或碳(C)原位掺杂所述半导体层。8.根据权利要求7所述的方...

【专利技术属性】
技术研发人员：许晁玮，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：