【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】纳米片选通二极管
[0001]本专利技术涉及一种改进的半导体二极管。更具体地，本专利技术涉及一个或多个选通二极管以及由纳米片制造选通二极管的方法。
技术介绍
[0002]纳米片是薄的半导体层。将纳米片层压在一起以形成纳米片堆叠体。
[0003]纳米片技术正在作为制作目标为5纳米(nm)技术的小型器件的可行选项而被追求。纳米片堆叠体用作用于制造像场效应晶体管(FET)的器件的前体结构。
[0004]二极管是在包括数字电路、模拟电路、逻辑和控制电路、以及静电放电电路的许多电路应用中流行的半导体器件。
[0005]对于有效的纳米片选通二极管结构以及使用纳米技术制造选通二极管的方法存在一种需要。此外，存在对将选通二极管与其他部件(像FET)一起集成在纳米片结构中的方法和结构的需要。
技术实现思路
[0006]本专利技术的实施例包括一个或多个选通二极管结构以及从纳米片结构制作选通二极管以及将选通二极管集成在纳米片结构中的方法。
[0007]选通二极管包括衬底。第一源极/漏极(S/D)设置...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种选通纳米片二极管，包括：衬底；第一源极/漏极(S/D)，设置在所述衬底上，所述第一S/D具有第一S/D掺杂浓度，所述第一S/D掺杂浓度具有第一S/D掺杂类型；第二源极/漏极(S/D)，设置在所述衬底上，所述第二S/D具有第二S/D掺杂浓度，所述第二S/D掺杂浓度具有第二S/D掺杂类型；形成二极管的p
‑
n结；所述p
‑
n结的第一侧，所述第一侧具有第一侧结掺杂浓度，所述第一侧结掺杂浓度具有第一侧结掺杂类型，所述第一侧结掺杂类型与所述第一S/D掺杂类型相同，并且所述p
‑
n结的所述第一侧电连接并物理连接至所述第一S/D；所述p
‑
n结的第二侧，所述第二侧具有带有第二侧结掺杂类型的第二侧结掺杂浓度，所述第二侧结掺杂类型与所述第二S/D掺杂类型相同，并且所述p
‑
n结的所述第二侧与所述第二S/D电连接且物理连接；栅极电介质层，所述栅极电介质层接界并且围绕所述p
‑
n结；以及栅极金属，所述栅极金属围绕所述栅极电介质层，所述栅极金属和所述栅极电介质层形成围绕所述p
‑
n结的栅极堆叠体。2.根据权利要求1所述的选通纳米片二极管，其中，所述第一侧结掺杂类型和所述第一S/D掺杂类型是n型掺杂的。3.根据权利要求2所述的选通纳米片二极管，其中，所述n型掺杂剂是以下中的一种：磷(P)、砷(As)和锑(Sb)。4.根据权利要求2所述的选通纳米片二极管，其中，第一侧结掺杂浓度在1x10
19
cm
‑3与4x10
20
cm
‑3之间并且所述第一S/D掺杂浓度在8x10
20 cm
‑3与2x10
21
cm
‑3之间。5.根据权利要求1所述的选通纳米片二极管，其中，所述第二侧结掺杂类型和所述第二S/D掺杂类型是p型掺杂剂。6.根据权利要求5所述的选通纳米片二极管，其中，所述p型掺杂剂是以下中的一种：硼(B)、镓(Ga)、铟(In)和铊(Tl)。7.根据权利要求2所述的选通纳米片二极管，其中，第二侧结掺杂浓度在1x10
17
cm
‑3与1x10
19
cm
‑3之间并且所述第二S/D掺杂浓度8x10
20
cm
‑3与2x10
21
cm
‑3之间。8.根据权利要求1所述的选通纳米片二极管，其中，所述第一侧结掺杂类型和所述第一S/D掺杂类型是p型掺杂的。9.根据权利要求8所述的选通纳米片二极管，其中，第一侧结掺杂浓度在1x10
17
cm
‑3与1x10
19
cm
‑3之间并且所述第一S/D掺杂浓度在8x10
20 cm
‑3与2x10
21 cm
‑3之间。10.根据权利要求1所述的选通纳米片二极管，其中，所述第二侧结掺杂类型和所述第二S/D掺杂类型是n型掺杂剂。11.根据权利要求10所述的选通纳米片二极管，其中，第二侧结掺杂浓度在1x10
19
cm
‑3与4x10
20
cm
‑3之间并且所述第二S/D掺杂浓度在8x10
20
cm
‑3与2x10
21 cm
‑3之间。12.一种选通纳米片二极管，包括：衬底；第一源极/漏极(S/D)，设置在所述衬底上，所述第一S/D具有第一S/D掺杂浓度，所述第
一S/D掺杂浓度具有第一S/D掺杂类型；两个或更多个第二源极/漏极(S/D)，设置在所述衬底上，所述第二S/D具有带有第二S/D掺杂类型的第二S/D掺杂浓度，所述第二S/D中的一个是右第二S/D并且所述第二S/D中的一个是左第二S/D；一个或多个p
‑
n结，每个p
‑
n结在分离的沟道中形成二极管，每个二极管和所述沟道被栅极堆叠体包围...
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