半导体结构制造技术

本发明专利技术公开了一种半导体结构，包括：基板、缓冲层、通道层、阻障层、掺杂化合物半导体层、以及复合阻挡层。缓冲层位于基板上。通道层位于缓冲层上。阻障层位于通道层上。掺杂化合物半导体层位于阻障层上。复合阻挡层位于掺杂化合物半导体层上，复合阻挡层与阻障层包含相同的第三族元素，且在复合阻挡层中的所述相同的第三族元素的原子百分比随着远离掺杂化合物半导体层而增加。半导体层而增加。半导体层而增加。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构


[0001]本专利技术实施例是关于半导体结构，特别是关于具有复合阻挡层的半导体结构。

技术介绍

[0002]氮化镓系(GaN
‑
based)半导体材料具有许多优秀的材料特性，例如：高抗热性、宽能隙(band
‑
gap)、高电子饱和速率、及较佳的散热性等等。氮化镓系半导体材料适用于高频操作及高温环境。近年来，氮化镓系半导体材料已应用于快速充电设备、无线通信基地台供电模块、电动车相关组件、或其他具有异质界面结构的高电子迁移率晶体管(high electron mobility transistor，HEMT)的装置。
[0003]高电子迁移率晶体管又称为异质结构场效晶体管(heterostructure FET,HFET)或调变掺杂场效晶体管(modulation
‑
doped FET,MODFET)，其中包括不同能隙(energy gap)的半导体材料，在邻近的不同半导体材料的界面处会产生二维电子气(two dimensional electron gas,2DEG)层。高本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：一基板；一缓冲层，位于该基板上；一通道层，位于该缓冲层上；一阻障层，位于该通道层上；一掺杂化合物半导体层，位于该阻障层上；以及一复合阻挡层，位于该掺杂化合物半导体层上，其中该复合阻挡层与该阻障层包含一相同的第三族元素，且在该复合阻挡层中的该相同的第三族元素的原子百分比随着远离该掺杂化合物半导体层而增加。2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，该复合阻挡层包括一第一阻挡层及位于该第一阻挡层上的一第二阻挡层。3.如权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，该复合阻挡层更包括一第三阻挡层，位于该第一阻挡层及该第二阻挡层之间。4.如权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，该第二阻挡层包括AlN或Al
x
Ga
(1
‑
x)
N，其中0<x...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈志谚，卢钒达，王端玮，陈俊扬，
申请(专利权)人：世界先进积体电路股份有限公司，
类型：发明
国别省市：