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纳米片选通二极管制造技术
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文档序号:37133869
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一个或多个选通纳米片二极管设置在衬底上并且由纳米片结构制成。第一(第二)源极/漏极(S/D)布置在衬底上。第一(第二)S/D具有第一(第二)S/D掺杂类型的第一(第二)S/D掺杂浓度。一个或多个p
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该专利属于国际商业机器公司所有,仅供学习研究参考,未经过国际商业机器公司授权不得商用。
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