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本申请的实施例提供了形成半导体结构的方法和半导体结构。根据本公开的方法包括在衬底上方沉积顶部外延层，由顶部外延层和衬底的部分形成鳍结构，凹进鳍结构的源极/漏极区以形成源极/漏极凹槽，在源极/漏极凹槽的表面上方共形沉积半导体层，回蚀刻半导体层...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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