半导体器件及其制造方法技术

方法包括在衬底上形成沟道层和牺牲层的堆叠件。沟道层和牺牲层具有不同的材料组分并且在垂直方向上交替设置。方法还包括：图案化堆叠件以形成半导体鳍；在半导体鳍的侧壁上形成隔离部件；使半导体鳍凹进，从而形成源极/漏极凹槽，从而使得半导体鳍的凹进顶面位于隔离部件的顶面下方；从半导体鳍的凹进顶面生长基底外延层；在源极/漏极凹槽中沉积绝缘层；以及在源极/漏极凹槽中形成外延部件，其中，外延部件位于绝缘层之上。绝缘层位于基底外延层之上并且位于最底部沟道层之上。本申请的实施例还涉及半导体器件及其制造方法。涉及半导体器件及其制造方法。涉及半导体器件及其制造方法。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件及其制造方法


[0001]本申请的实施例涉及半导体器件及其制造方法。

技术介绍

[0002]半导体集成电路(IC)工业经历了指数级增长。IC材料和设计中的技术进步已经产生了多代IC，其中每一代都具有比上一代更小且更复杂的电路。在IC发展的过程中，功能密度(即，每芯片面积的互连器件的数量)普遍增加，而几何尺寸(即，可以使用制造工艺创建的最小组件(或线))已经减小。这种按比例缩小的工艺通常通过提高生产效率和降低相关成本来提供益处。这种缩小也增加了处理和制造IC的复杂性。
[0003]例如，随着IC技术向更小的技术节点发展，已经引入了多栅极器件，以通过增加栅极
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沟道耦合、减少截止态电流以及减少短沟道效应(SCE)来提高栅极控制。多栅极器件通常是指具有设置在沟道区域的多于一侧上方的栅极结构或其部分的器件。全环栅(GAA)晶体管是已经成为用于高性能和低泄漏应用的流行和有希望的候选器件的多栅极器件的实例。GAA晶体管因其栅极结构而得名，栅极结构可以在沟道区域周围延伸，从而在四侧上提供对堆叠半导体沟道层的访问。与平面晶体本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种制造半导体器件的方法，包括：在衬底上形成沟道层和牺牲层的堆叠件，所述沟道层和所述牺牲层具有不同的材料组分并且在垂直方向上交替设置；图案化所述堆叠件以形成半导体鳍；在所述半导体鳍的侧壁上形成隔离部件；使所述半导体鳍凹进，从而形成源极/漏极凹槽，从而使得所述半导体鳍的凹进顶面位于所述隔离部件的顶面下方；从所述半导体鳍的所述凹进顶面生长基底外延层；在所述源极/漏极凹槽中沉积绝缘层，其中，所述绝缘层位于所述基底外延层之上并且位于最底部沟道层之上；以及在所述源极/漏极凹槽中形成外延部件，其中，所述外延部件位于所述绝缘层之上。2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述绝缘层将所述基底外延层与所述外延部件分隔开而使所述基底外延层不接触所述外延部件。3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述绝缘层完全覆盖所述最底部沟道层的侧壁。4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述基底外延层的顶面位于所述最底部沟道层的底面下方并且位于所述最底部牺牲层的顶面之上。5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述基底外延层完全覆盖所述最底部沟道层的侧壁。6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述绝缘层和所述基底外延层共同覆盖所述最底部沟道层的侧壁。7.根据权利要求1所述的方法，其中，沉积所述绝缘层包括循环沉积工艺。8.根据权利要求1所述的方法，其中，沉积所述绝缘层包括等离子体增强化学气相沉积(PECVD)工艺。9.一种制造半导体器件的方法，包括：在半导体衬底上形...

【专利技术属性】
技术研发人员：赖柏宇，李威养，郑铭龙，林家彬，彭远清，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：