半导体器件及其形成方法技术

半导体器件包括：第一半导体管芯。半导体器件包括：再分布结构，设置在第一半导体管芯的第一侧上方并且包括多个层。多个层中的至少第一个包括：第一电源/接地平面，嵌入在介电材料中并且配置为为第一半导体管芯提供第一供给电压。第一电源/接地平面包围每个可操作地耦接至第一半导体管芯的多个第一导电结构以及分散在多个第一导电结构周围的多个第二导电结构。本申请的实施例还涉及形成半导体器件的方法。的方法。的方法。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件及其形成方法


[0001]本申请的实施例涉及半导体器件及其形成方法。

技术介绍

[0002]由于各种电子组件(例如，晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度不断提高，半导体工业经历了快速增长。在大多数情况下，集成密度中的这种提高来自于最小部件尺寸的反复减小(例如，将半导体工艺节点朝着亚纳米节点缩小)，这允许更多组件集成至给定区域中。随着最近对小型化、更高速度和更大带宽以及更低功耗和延迟的需求不断增长，对用于半导体管芯的更小且更具创造性的封装技术的需求也在增长。

技术实现思路

[0003]本申请的一些实施例提供了一种半导体器件，包括：第一半导体管芯；以及再分布结构，设置在所述第一半导体管芯的第一侧上方并且包括多个层；其中，所述多个层中的至少第一个包括嵌入在介电材料中并且配置为为所述第一半导体管芯提供第一供给电压的第一电源/接地平面；以及其中，所述第一电源/接地平面包围：多个第一导电结构，每个可操作地耦接至所述第一半导体管芯；以及多个第二导电结构，分散在所述多个第一导电结构周围。
[0004]本申请的另一些实施本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，包括：第一半导体管芯；以及再分布结构，设置在所述第一半导体管芯的第一侧上方并且包括多个层；其中，所述多个层中的至少第一个包括嵌入在介电材料中并且配置为为所述第一半导体管芯提供第一供给电压的第一电源/接地平面；以及其中，所述第一电源/接地平面包围：多个第一导电结构，每个可操作地耦接至所述第一半导体管芯；以及多个第二导电结构，分散在所述多个第一导电结构周围。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述再分布结构配置为提供允许引脚输出接触图案用于正在封装的所述半导体器件的导电图案，并且其中，所述引脚输出接触图案与第一连接件的图案不同。3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述第一连接件设置在所述第一半导体管芯的所述第一侧上。4.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述引脚输出接触图案设置在所述再分布结构的第一侧上，所述再分布结构的第一侧与面向所述第一半导体管芯的第一侧的所述再分布结构的第二侧相对。5.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述引脚输出接触图案电连接至设置在所述再分布结构的所述第一侧上的第二连接件，并且其中，所述第二连接件电耦接至衬底。6.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：第二半导体管芯，设置在所述第一半导体管芯的与所述第一半导体管芯的所述第一侧相对的第二侧上；其中，所述多个层中的至少第二个包括嵌入在所述介电材料中并且配置为为所述第二半导体管芯提供第二供给电压的第二电源/接地平面；以及其中，所述第二电源/接地平面包围：多个第三导电结构，每个可操作地耦接至所述第二...

【专利技术属性】
技术研发人员：许宏任，张丰愿，陈硕懋，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：